改良式电极组件制造技术

提供一种等离子体处理设备，包含：射频功率源；直流功率源；腔室，所述腔室封围处理容积；以及基板支撑组件，所述基板支撑组件被设置在所述处理容积中。所述基板支撑组件包含：基板支撑件，所述基板支撑件具有基板支撑表面；电极，所述电极被设置在所述基板支撑件中；以及互连组件，所述互连组件将所述射频功率源和所述直流功率源与所述电极耦合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】改良式电极组件
本公开的实施例大体涉及用于处理基板的设备及方法。
技术介绍
在集成电路及其他电子装置的制造中，通常使用等离子体处理以用于沉积或蚀刻多种材料层。通常使用高频功率(例如射频(RF)功率)以例如在处理腔室内部产生等离子体。可以将RF功率应用至处理腔室的一个或更多个部分，例如处理腔室的气体分配组件或处理腔室中的基板支撑件。当RF功率应用至基板支撑件时，通常也将直流(DC)偏压应用至基板支撑件以在处理期间将基板夹至基板支撑件。一般而言，等离子体处理提供热处理上的许多优点。例如，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)允许以相较于模拟的热处理更低温度及更高沉积率来执行沉积处理。然而，以升高温度来执行一些等离子体处理，例如大于200摄氏度，例如自约300摄氏度至约500摄氏度的温度。以大于200摄氏度的温度来使用传统RF系统(例如，将RF功率及DC偏压应用至基板支撑件的RF系统)可造成出现问题。例如，处理期间将RF功率(例如，应用至基板支撑件)提供至多种腔室处理部件对其他处理部件及操作(例如DC偏压的应用及基板支撑件的电阻性加热本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理设备，包括：/n射频功率源；/n直流功率源；/n腔室，所述腔室封围处理容积；以及/n基板支撑组件，所述基板支撑组件被设置在所述处理容积中，所述基板支撑组件包括：/n基板支撑件，所述基板支撑件具有基板支撑表面；/n电极，所述电极被设置在所述基板支撑件中；以及/n互连组件，所述互连组件将所述射频功率源和所述直流功率源与所述电极耦合。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170421 US 62/488,4591.一种等离子体处理设备，包括：
射频功率源；
直流功率源；
腔室，所述腔室封围处理容积；以及
基板支撑组件，所述基板支撑组件被设置在所述处理容积中，所述基板支撑组件包括：
基板支撑件，所述基板支撑件具有基板支撑表面；
电极，所述电极被设置在所述基板支撑件中；以及
互连组件，所述互连组件将所述射频功率源和所述直流功率源与所述电极耦合。


2.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其中所述基板支撑组件进一步包括：
基座；以及
主干，所述主干将所述基座连接至所述基板支撑件，其中所述互连组件被设置在所述基座中。


3.如权利要求1所述的等离子体处理设备，进一步包括冷却组件，其中所述基板支撑组件进一步包括耦合至所述冷却组件的通道，且所述冷却组件被配置为引导冷却流体流经所述通道。


4.如权利要求3所述的等离子体处理设备，其中所述通道被设置在所述互连组件和所述基板支撑件之间。


5.如权利要求1所述的等离子体处理设备，进一步包括
气体源，其中所述基板支撑组件进一步包括管道，所述管道将所述气体源耦合至所述基板支撑表面，以及温度传感器，所述温度传感器延伸通过所述管道至所述基板支撑表面。


6.如权利要求5所述的等离子体处理设备，进一步包括：
加热组件，所述加热组件被设置在所述基板支撑件中；
加热功率源，所述加热功率源与所述加热组件耦合；以及
控制器，所述控制器连接至所述加热功率源、所述气体源以及所述温度传感器，其中所述控制器被配置为：
基于由所述温度传感器所感应的温度来调整由所述加热功率源供应至所述加热组件的功率，同时造成所述气体源将气体供应至所述基板支撑表面。


7.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其中
所述射频功率源经由第一传导绳耦合至所述互连组件，并且所述第一传导绳为中空的，
所述直流功率源经由第二传导绳耦合至所述互连组件，并且
所述第二传导绳与所述第一传导绳在所述第一传导绳和所述第二传导绳与所述互连组件接触的位置处间隔开至少5cm。


8.如权利要求1所述的等离子体处理设备，其中：
所述互连组件包括连接体；

【专利技术属性】
技术研发人员：R·博卡，J·M·沙勒，J·D·平森二世，L·布恩卡特，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US