【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】扩链剂、聚氨酯及其改性方法、抛光层、抛光垫及抛光方法
本专利技术涉及作为聚氨酯的制造原料使用的新型的扩链剂、新型的聚氨酯及其改性方法、抛光层、抛光垫及抛光方法。
技术介绍
聚氨酯可以通过使包含扩链剂、高分子二醇及有机二异氰酸酯的原料进行反应来制造。例如，下述专利文献1公开了一种由含酰胺基二醇构成的扩链剂，其作为聚氨酯树脂的原料成分使用，所述聚氨酯树脂的原料成分能够制造机械的强度优异且具备优异的热稳定性的热塑性聚氨酯树脂。然而，作为为了对半导体晶片进行镜面加工、或者为了在半导体基板上形成电路的工序中使具有氧化膜等绝缘膜、导电体膜的被抛光物的表面平坦化而使用的抛光方法，已知有CMP。CMP是一边向被抛光物的表面供给包含磨粒和反应液的浆料一边用抛光垫对被抛光物进行高精度地抛光的方法。聚氨酯作为CMP中使用的抛光垫的抛光层的原材料而使用。近年来，随着在半导体基板上形成的电路的高集成化及多层布线化的发展，对于CMP要求抛光速度的提高、更高的平坦性。为了满足这样的要求，为了通过提高浆料中的磨粒与抛光层的亲和性来提高抛光速...
【技术保护点】
1.一种含席夫碱的扩链剂，其是用作聚氨酯制造原料的扩链剂，所述含席夫碱的扩链剂是含席夫碱的二醇、含席夫碱的二胺或它们的衍生物。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170512 JP 2017-0953781.一种含席夫碱的扩链剂，其是用作聚氨酯制造原料的扩链剂，所述含席夫碱的扩链剂是含席夫碱的二醇、含席夫碱的二胺或它们的衍生物。
2.根据权利要求1所述的含席夫碱的扩链剂，其由下述通式(1)表示，
R1－N＝C－R2···(1)
式(1)中，R1为烷基、烯基、羟基苯基、氨基苯基、羟基苄基亚氨基、氨基苄基亚氨基、或含有它们的基团，在R1为含有烷基或烯基的基团时，R2为含有二羟基苯基的基团，在R1为含有羟基苯基或氨基苯基的基团时，R2为含有羟基苯基的基团，在R1为含有羟基苄基亚氨基或氨基苄基亚氨基的基团时，R2为含有羟基苯基的基团，R1和R2各自任选具有取代基。
3.根据权利要求1或2所述的含席夫碱的扩链剂，其为2,4-二羟基苯-1-亚氨基丁烷、2,4-二羟基苯-1-亚氨基丙烷、N,N’-双亚水杨基乙二胺、2-亚水杨基氨基苯酚、4-[(3-二甲氨基丙基亚氨基)甲基]苯-1,3-二醇、或者3-〔{4-[(3-羟基丙基亚氨基)甲基]苯亚甲基}氨基〕丙烷-1-醇。
4.一种聚氨酯，其具有席夫碱。
5.根据权利要求4所述的聚氨酯，其包含来自含席夫碱的扩链剂的单体单元。
6.根据权利要求5所述的聚氨酯，其是至少包含如下单体单元的聚氨酯：
来自包含所述含席夫碱的扩链剂的扩链剂的单体单元、来自高分子二醇的单体单元、以及来自有机二异氰酸酯的单体单元。
7.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：大下梓纱，竹越穰，加藤充，冈本知大，加藤晋哉，
申请(专利权)人：株式会社可乐丽，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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