电子设备和其制造方法技术

一种电子设备包含衬底结构、多个柱基底、至少一个发光装置和多个电连接材料。所述衬底主体具有上表面和与所述上表面相对的下表面，并包含非III‑V族材料。所述柱基底邻近于所述衬底结构的所述上表面安置。所述发光装置包含III‑V族材料，并包括多个电极衬垫。所述电连接材料位于所述发光装置的所述电极衬垫与所述柱基底之间。

Electronic equipment and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
电子设备和其制造方法
本公开涉及一种电子设备和制造方法，并涉及一种包含至少一个发光装置的电子设备和一种电子设备的制造方法。
技术介绍
随着电子行业的快速发展和半导体处理技术的进步，电子设备与越来越多的电子装置集成以实现更好的电气性能和更多功能。相应地，电子设备具备更多输入/输出(input/output，I/O)连接。为了制造具有更多I/O连接的电子设备，电子设备的大小可对应地增大。因此，制造成本可相应地增加。替代地或另外，为了最小化具有更多I/O连接的电子设备的大小，用于承载电子装置的衬底的柱密度(pillardensity)可对应地增大。因此，柱的直径可减小。因此，回焊工艺期间出现的金属间化合物(intermetalliccompound，IMC)是重要问题，且电子设备的良率会降低。
技术实现思路
在一些实施例中，一种电子设备包含衬底结构、多个柱基底、至少一个发光装置和多个电连接材料。所述衬底主体具有上表面和与所述上表面相对的下表面，并包含非III-V族材料。所述柱基底邻近于所述衬底结构的所述上表面安置。所述发光装置包含本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子设备，其包括：/n衬底结构，其具有上表面和与所述上表面相对的下表面，并包含非III-V族材料；/n多个柱基底，其邻近于所述衬底结构的所述上表面安置；/n至少一个发光装置，其包含III-V族材料，其中所述发光装置包括多个电极衬垫；以及/n多个电连接材料，其位于所述发光装置的所述电极衬垫与所述柱基底之间。/n

【技术特征摘要】
20180606 US 62/681,533;20190603 US 16/430,2261.一种电子设备，其包括：
衬底结构，其具有上表面和与所述上表面相对的下表面，并包含非III-V族材料；
多个柱基底，其邻近于所述衬底结构的所述上表面安置；
至少一个发光装置，其包含III-V族材料，其中所述发光装置包括多个电极衬垫；以及
多个电连接材料，其位于所述发光装置的所述电极衬垫与所述柱基底之间。


2.根据权利要求1所述的电子设备，其中通过沉积形成所述柱基底。


3.根据权利要求2所述的电子设备，其中通过镀敷形成所述柱基底。


4.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述柱基底中的每一个包含邻近于所述衬底结构的所述上表面安置的第一导电层、安置于所述第一导电层上的障壁层和安置于所述障壁层上的第二导电层；所述电连接材料位于所述发光装置的所述电极衬垫与所述柱基底的所述第二导电层之间。


5.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述发光装置包含装置主体和所述电极衬垫，所述装置主体包含所述III-V族材料，且所述电极衬垫与所述装置主体接触。


6.根据权利要求5所述的电子设备，其中所述电极衬垫接合到所述装置主体。


7.根据权利要求6所述的电子设备，其中所述电极衬垫通过焊料接合到所述装置主体。


8.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述电连接材料由可流动导电材料形成。


9.根据权利要求8所述的电子设备，其中所述可流动导电材料包含焊接材料。


10.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述衬底结构包括：
衬底主体，其具有上表面和与所述上表面相对的下表面，并包含所述非III-V族材料；
多个导电通孔，其延伸穿过所述衬底主体；
顶部电路层，其邻近于所述衬底主体的所述上表面安置，并包含多个顶部衬垫，其中所述柱基底安置于所述顶部衬垫上；以及
底部电路层，其邻近于所述衬底主体的所述下表面安置，并包含多个底部衬垫，其中所述导电通孔电连接到所述顶部衬垫和所述底部衬垫。


11.根据权利要求10所述的电子设备，其中所述顶部衬垫包含多个第一顶部衬垫和多个第二顶部衬垫，所述第一顶部衬垫中的每一个电连接到互补型金属氧化物半导体控制器，且所述第二顶部衬垫彼此电连接。


12.根据权利要求10所述的电子设备，其中所述衬底主体包含以阵列布置的多个衬底单元区域，所述顶部衬垫包含多个第一顶部衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明德，张简千琳，李长祺，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;TW