一种反激式直流母线辅助开关电源制造技术

本实用新型专利技术公开一种反激式直流母线辅助开关电源，包括DClinK吸收电路、上桥驱动电路、RCD吸收电路、上桥开关电路、PWM芯片驱动电路、变压器、次级整流电路、次级滤波电路和LDO降压电路，DClinK吸收电路、上桥驱动电路、RCD吸收电路和变压器初级绕组与直流母线连接，上桥驱动电路与上桥开关电路连接，RCD吸收电路和上桥开关电路与变压器的初级绕组连接，上桥开关电路与PWM芯片驱动电路连接，变压器次级绕组通过次级整流电路与次级滤波电路连接，次级滤波电路与LDO降压电路连接；本实用新型专利技术使整个回路承受的电压更大，能承受500V‑1200V宽范围变动的直流母线的电压和反射电压，可靠性更高，故障率更低。

A flyback DC bus auxiliary switching power supply

The utility model discloses a flyback type DC bus auxiliary switching power supply, which comprises a dclink absorption circuit, an upper bridge driving circuit, an RCD absorption circuit, an upper bridge switching circuit, a PWM chip driving circuit, a transformer, a secondary rectifier circuit, a secondary filter circuit and an LDO step-down circuit, a dclink absorption circuit, an upper bridge driving circuit, an RCD absorption circuit, a transformer primary winding and a DC bus The upper bridge drive circuit is connected with the upper bridge switch circuit, the RCD absorption circuit and the upper bridge switch circuit are connected with the primary winding of the transformer, the upper bridge switch circuit is connected with the PWM chip drive circuit, the secondary winding of the transformer is connected with the secondary filter circuit through the secondary rectifier circuit, and the secondary filter circuit is connected with the LDO step-down circuit; the utility model makes the voltage borne by the whole circuit more It can bear the voltage and reflected voltage of 500V \u2011 1200V wide range DC bus, with higher reliability and lower failure rate.

【技术实现步骤摘要】
一种反激式直流母线辅助开关电源
本技术属于开关电源
，具体涉及一种反激式直流母线辅助开关电源。
技术介绍
在整个电子设备的运行中，辅助开关电源作为整个系统的板级芯片供电系统单独存在。常规的电机变频器和驱动器有些使用单独购买的外部单独开关电源供电（外部供电），有些是从直流母线直接供电。对于从直流母线直接供电的方案，有些电压较高的直流母线或者电压波动范围大的直流母线，其直流电压可能在500V-1200V一个宽范围进行变动，对电机变频器和驱动器的辅助开关电源系统的设计与要求带来挑战。而普通的DC转DC的开关电源电路中通常只有一个MOS管来承受直流母线的电压和反射电压，使用在电压波动范围大的直流母线上无法正常工作。因此如何从一个500V-1200V宽范围变动的直流母线上直接产生一个辅助开关电源从而应用在电机驱动系统中是目前需要解决的问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足提供一种反激式直流母线辅助开关电源，本反激式直流母线辅助开关电源通过上桥开关电路内的MOS管以及PWM芯片驱动电路内的驱动芯片内置的MOS管，使整个回路承受的电压更大，能承受500V-1200V宽范围变动的直流母线的电压和反射电压，可靠性更高，故障率更低。为实现上述技术目的，本技术采取的技术方案为：一种反激式直流母线辅助开关电源，包括DClinK吸收电路、上桥驱动电路、RCD吸收电路、上桥开关电路、PWM芯片驱动电路、变压器T1、次级整流电路、次级滤波电路和LDO降压电路，所述DClinK吸收电路、上桥驱动电路、RCD吸收电路和变压器T1的初级绕组均与直流母线连接，所述上桥驱动电路与上桥开关电路连接，所述RCD吸收电路和上桥开关电路均与变压器T1的初级绕组连接，所述上桥开关电路与PWM芯片驱动电路连接，所述变压器T1的次级绕组与PWM芯片驱动电路连接，所述变压器T1的次级绕组通过次级整流电路与次级滤波电路连接，所述次级滤波电路与LDO降压电路连接；所述上桥开关电路包括MOS管Q1、电容C4、钳位二极管D5、电容C5和电阻R7，所述电容C4的一端、钳位二极管D5的负极和MOS管Q1的栅极均与上桥驱动电路连接，所述MOS管Q1的漏极分别与RCD吸收电路、变压器T1的初级绕组和电容C5的一端连接，所述电容C5的另一端与电阻R7的一端连接，所述电阻R7的另一端、MOS管Q1的源极、钳位二极管D5的正极和电容C4的另一端均与PWM芯片驱动电路连接；所述PWM芯片驱动电路包括驱动芯片U1、电阻R10至电阻R15、二极管D6以及电容C6至电容C10，所述驱动芯片U1采用ALTAIR04-900，所述电阻R7的另一端、MOS管Q1的源极、钳位二极管D5的正极和电容C4的另一端均与驱动芯片U1的引脚16连接，驱动芯片U1的引脚13至引脚16相互连接，所述电阻R10和电阻R11的一端均与变压器T1的次级绕组连接，所述电阻R10的另一端与二极管D6的正极连接，二极管D6的负极分别与电容C6的一端、电容C7的一端和驱动芯片U1的引脚3连接，所述驱动芯片U1的引脚7分别与电容C8的一端和电容C9的一端连接，所述电容C9的另一端与电阻R15的一端连接，所述驱动芯片U1的引脚5与电容C10的一端连接，所述驱动芯片U1的引脚6分别与电阻R11的另一端、电阻R12的一端和电阻R13的一端连接，所述驱动芯片U1的引脚1和引脚2均与电阻R14的一端连接，所述电容C6、电容C7、电容C8、电阻R15、电容C10、电阻R12、电阻R13和电阻R14的另一端均连接地线。作为本技术进一步改进的技术方案，所述DClinK吸收电路包括电容C1、电容C2、电阻R1和电阻R2，所述电容C1和电阻R1的一端均与直流母线连接，所述电容C1的另一端分别与电阻R1的另一端、电容C2的一端和电阻R2的一端连接，所述电容C2的另一端和电阻R2的另一端均连接地线。作为本技术进一步改进的技术方案，所述上桥驱动电路包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、钳位二极管D1、钳位二极管D2和电感L1，所述电阻R3的一端与直流母线连接，另一端通过电阻R4与电阻R5连接，所述电阻R5分别与电感L1的一端和钳位二极管D1的负极连接，所述钳位二极管D1的正极与钳位二极管D2的负极连接，所述钳位二极管D2的正极连接地线，所述电感L1的另一端与上桥开关电路内的MOS管Q1的栅极连接。作为本技术进一步改进的技术方案，所述RCD吸收电路包括电阻R6、电容C3、二极管D3和二极管D4，所述电阻R6的一端和电容C3的一端相互连接后分别与直流母线和变压器T1的初级绕组连接，电阻R6的另一端和电容C3的另一端均与二极管D3的负极连接，所述二极管D3的正极与二极管D4的负极连接，所述二极管D4的正极分别与变压器T1的初级绕组和上桥开关电路内的MOS管Q1的漏极连接。作为本技术进一步改进的技术方案，所述变压器T1的初级绕组有两个引脚，分别为初级上端引脚和初级下端引脚；变压器T1的次级线圈有四个引脚，分别为次级上端引脚、次级中上端引脚、次级中下端引脚和次级下端引脚；所述变压器T1的初级上端引脚与直流母线连接，初级下端引脚分别与上桥开关电路内的MOS管Q1的漏极和RCD吸收电路内的二极管D4的正极连接，所述变压器T1的次级上端引脚通过电阻R9分别与PWM芯片驱动电路内的电阻R10和电阻R11连接，所述变压器T1的次级下端引脚通过电阻R8分别与PWM芯片驱动电路内的电阻R10和电阻R11连接；所述次级整流电路包括电感L2、二极管D7和二极管D8，所述变压器T1的次级上端引脚与电感L2的一端连接，电感L2的另一端与二极管D7的正极连接，所述二极管D7的负极通过电阻R16与次级滤波电路连接，所述二极管D7的负极通过电容C11与地线连接，所述电阻R16通过钳位二极管DZ1与地线连接，所述变压器T1的次级中上端引脚与二极管D8的正极连接，所述二极管D8的负极与次级滤波电路连接，所述变压器T1的次级中下端引脚与地线连接。作为本技术进一步改进的技术方案，所述次级滤波电路包括电容C12至电容C18，所述电容C12的一端、电容C13的一端和电容C14的一端均通过电阻R16与次级整流电路的二极管D7的负极连接，所述电容C12、电容C13和电容C14的另一端均连接地线，所述电容C15的正极、电容C16、电容C17和电容C18的一端均与次级整流电路的二极管D8的负极连接，所述电容C15的负极、电容C16、电容C17和电容C18的另一端均连接地线。作为本技术进一步改进的技术方案，所述LDO降压电路包括电压转换芯片U2、电容C19和电容C20，所述电压转换芯片U2采用LD29150DT33R,所述电压转换芯片U2的引脚1分别与次级滤波电路内的电容C15的正极、电容C16、电容C17和电容C18的一端连接，所述电压转换芯片U2的引脚2分别与电容C19和电容C20的一端连接，所述电压转换芯片U2的引脚3、电容C19和电容C20的另一端均连接地线。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反激式直流母线辅助开关电源，其特征在于，包括DClinK吸收电路、上桥驱动电路、RCD吸收电路、上桥开关电路、PWM芯片驱动电路、变压器T1、次级整流电路、次级滤波电路和LDO降压电路，所述DClinK吸收电路、上桥驱动电路、RCD吸收电路和变压器T1的初级绕组均与直流母线连接，所述上桥驱动电路与上桥开关电路连接，所述RCD吸收电路和上桥开关电路均与变压器T1的初级绕组连接，所述上桥开关电路与PWM芯片驱动电路连接，所述变压器T1的次级绕组与PWM芯片驱动电路连接，所述变压器T1的次级绕组通过次级整流电路与次级滤波电路连接，所述次级滤波电路与LDO降压电路连接；/n所述上桥开关电路包括MOS管Q1、电容C4、钳位二极管D5、电容C5和电阻R7，所述电容C4的一端、钳位二极管D5的负极和MOS管Q1的栅极均与上桥驱动电路连接，所述MOS管Q1的漏极分别与RCD吸收电路、变压器T1的初级绕组和电容C5的一端连接，所述电容C5的另一端与电阻R7的一端连接，所述电阻R7的另一端、MOS管Q1的源极、钳位二极管D5的正极和电容C4的另一端均与PWM芯片驱动电路连接；/n所述PWM芯片驱动电路包括驱动芯片U1、电阻R10至电阻R15、二极管D6以及电容C6至电容C10，所述驱动芯片U1采用ALTAIR04-900，所述电阻R7的另一端、MOS管Q1的源极、钳位二极管D5的正极和电容C4的另一端均与驱动芯片U1的引脚16连接，驱动芯片U1的引脚13至引脚16相互连接，所述电阻R10和电阻R11的一端均与变压器T1的次级绕组连接，所述电阻R10的另一端与二极管D6的正极连接，二极管D6的负极分别与电容C6的一端、电容C7的一端和驱动芯片U1的引脚3连接，所述驱动芯片U1的引脚7分别与电容C8的一端和电容C9的一端连接，所述电容C9的另一端与电阻R15的一端连接，所述驱动芯片U1的引脚5与电容C10的一端连接，所述驱动芯片U1的引脚6分别与电阻R11的另一端、电阻R12的一端和电阻R13的一端连接，所述驱动芯片U1的引脚1和引脚2均与电阻R14的一端连接，所述电容C6、电容C7、电容C8、电阻R15、电容C10、电阻R12、电阻R13和电阻R14的另一端均连接地线。/n...

【技术特征摘要】
1.一种反激式直流母线辅助开关电源，其特征在于，包括DClinK吸收电路、上桥驱动电路、RCD吸收电路、上桥开关电路、PWM芯片驱动电路、变压器T1、次级整流电路、次级滤波电路和LDO降压电路，所述DClinK吸收电路、上桥驱动电路、RCD吸收电路和变压器T1的初级绕组均与直流母线连接，所述上桥驱动电路与上桥开关电路连接，所述RCD吸收电路和上桥开关电路均与变压器T1的初级绕组连接，所述上桥开关电路与PWM芯片驱动电路连接，所述变压器T1的次级绕组与PWM芯片驱动电路连接，所述变压器T1的次级绕组通过次级整流电路与次级滤波电路连接，所述次级滤波电路与LDO降压电路连接；
所述上桥开关电路包括MOS管Q1、电容C4、钳位二极管D5、电容C5和电阻R7，所述电容C4的一端、钳位二极管D5的负极和MOS管Q1的栅极均与上桥驱动电路连接，所述MOS管Q1的漏极分别与RCD吸收电路、变压器T1的初级绕组和电容C5的一端连接，所述电容C5的另一端与电阻R7的一端连接，所述电阻R7的另一端、MOS管Q1的源极、钳位二极管D5的正极和电容C4的另一端均与PWM芯片驱动电路连接；
所述PWM芯片驱动电路包括驱动芯片U1、电阻R10至电阻R15、二极管D6以及电容C6至电容C10，所述驱动芯片U1采用ALTAIR04-900，所述电阻R7的另一端、MOS管Q1的源极、钳位二极管D5的正极和电容C4的另一端均与驱动芯片U1的引脚16连接，驱动芯片U1的引脚13至引脚16相互连接，所述电阻R10和电阻R11的一端均与变压器T1的次级绕组连接，所述电阻R10的另一端与二极管D6的正极连接，二极管D6的负极分别与电容C6的一端、电容C7的一端和驱动芯片U1的引脚3连接，所述驱动芯片U1的引脚7分别与电容C8的一端和电容C9的一端连接，所述电容C9的另一端与电阻R15的一端连接，所述驱动芯片U1的引脚5与电容C10的一端连接，所述驱动芯片U1的引脚6分别与电阻R11的另一端、电阻R12的一端和电阻R13的一端连接，所述驱动芯片U1的引脚1和引脚2均与电阻R14的一端连接，所述电容C6、电容C7、电容C8、电阻R15、电容C10、电阻R12、电阻R13和电阻R14的另一端均连接地线。


2.根据权利要求1所述的反激式直流母线辅助开关电源，其特征在于，所述DClinK吸收电路包括电容C1、电容C2、电阻R1和电阻R2，所述电容C1和电阻R1的一端均与直流母线连接，所述电容C1的另一端分别与电阻R1的另一端、电容C2的一端和电阻R2的一端连接，所述电容C2的另一端和电阻R2的另一端均连接地线。


3.根据权利要求2所述的反激式直流母线辅助开关电源，其特征在于，所述上桥驱动电路包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、钳位二极管D1、钳位二极管D2和电感L1，所述电阻R3的一端与直流母线连接，另一端通过电阻R4与电阻R5连接，所述电阻R5分别与电感L1的一端和钳位二极管D1的负极连接，所述钳位二极管D1的正极与钳位二极管D2的负极连接，所述钳位二极管D2的正极连接地线，所述电感L1的另一端与上桥开关电路内的MOS管Q1的栅极连接。


4.根据权利要求3所述的反激式直流母线辅助开关电源，其特征在于，所述RCD吸收电路包括电...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄紫阳，仇一鸣，杨雄，何根旺，康鹏，邓加凌，陈超峰，邵阳，韦清霞，曲建华，许学文，宋博峰，张南海，费晓亮，潘振涵，
申请(专利权)人：宁波菲仕自动化技术有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33