一种通过外接电容来防止芯片浪涌电流的结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种通过外接电容来防止芯片浪涌电流的结构，包括：芯片组件，其包括芯片电路板、电容座、电容、芯片和第一导热板；所述芯片电路板中的所述芯片的VIN的一端与C1的正极连接，AGN的一端与R2连接，GND的一端接地，VFB的一端分别与R4和C5的负极连接，Vout的一端分别与L1和RSEN连接。本实用新型专利技术导热铜片上的导热套与芯片电路板上的导热套连接，支撑壳体底部的导热座与芯片上的第一导热板连接，完成散热组件的安装，在芯片组件工作时，芯片和电容上产生的热量被第一导热板上方的导热座和电容外侧的导热套吸收，热量吸收完成后，再由导热铜片传递至散热部处，热量最后被散热部上方的轴流风机抽出，从而避免热量堆积对芯片造成损坏。

A structure to prevent chip surge current by external capacitor

The utility model discloses a structure for preventing chip surge current through external capacitance, including: chip assembly, which includes chip circuit board, capacitor base, capacitance, chip and the first heat conduction board; one end of VIN of the chip in the chip circuit board is connected with positive pole of C1, one end of AGN is connected with R2, one end of GND is grounded, one end of VFB is connected with negative pole of R4 and C5 respectively Connect, one end of Vout is connected with L1 and rsen respectively. The heat conducting sleeve on the heat conducting copper sheet of the utility model is connected with the heat conducting sleeve on the chip circuit board, the heat conducting base at the bottom of the supporting shell is connected with the first heat conducting plate on the chip, so as to complete the installation of the heat dissipating assembly. When the chip assembly works, the heat generated on the chip and the capacitance is absorbed by the heat conducting base above the first heat conducting plate and the heat conducting sleeve outside the capacitance. After the heat absorption is completed, the heat is transmitted by the heat conducting base The heat is transferred to the heat sink, and the heat is finally extracted by the axial fan above the heat sink, so as to avoid the chip damage caused by heat accumulation.

【技术实现步骤摘要】
一种通过外接电容来防止芯片浪涌电流的结构
：本技术涉及电源设备
，具体为一种通过外接电容来防止芯片浪涌电流的结构。
技术介绍
：电子技术的发展，使得电源的输出功率越来越大。对于交流转直流电源的整流桥后端滤波电容也变得越来越大，大多数开关电源通常采用热敏电阻或者共模电感来降低开关电源加电瞬间产生较高的浪涌电流。浪涌电流主要是由滤波电容充电产生，在开关电源的开关管上电导通瞬间，电容对交流电呈现低阻抗特性。如果不采取保护措施，则输入浪涌电流的峰值电流将远远大于稳态输入电流，危害电源的可靠性和安全性，降低开关电源的使用寿命，现有技术中，大多采用外接电容在防止浪涌电流的产生，然而由于外接电容，导致整体在工作时，易产生大量热量，热量若不能及时散发，极易对设备造成损坏，为此，提出一种通过外接电容来防止芯片浪涌电流的结构。
技术实现思路
：本技术的目的在于提供一种通过外接电容来防止芯片浪涌电流的结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。本技术由如下技术方案实施：一种通过外接电容来防止芯片浪涌电流的结构，包括：>散热组件；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通过外接电容来防止芯片浪涌电流的结构，其特征在于，包括：/n散热组件(20)；/n风机组件(30)；/n芯片组件(10)，其包括芯片电路板(11)、电容座(12)、电容(13)、芯片(14)和第一导热板(15)；/n所述芯片电路板(11)中的所述芯片(14)的VIN的一端与C1的正极连接，AGN的一端与R2连接，GND的一端接地，VFB的一端分别与R4和C5的负极连接，Vout的一端分别与L1和RSEN连接，ISEN的一端分别与C4的正极、D3的正极和L1连接，SW的一端与C3的正极连接，BOOT与C3的负极连接。/n

【技术特征摘要】
20190620 CN 20192093369571.一种通过外接电容来防止芯片浪涌电流的结构，其特征在于，包括：
散热组件(20)；
风机组件(30)；
芯片组件(10)，其包括芯片电路板(11)、电容座(12)、电容(13)、芯片(14)和第一导热板(15)；
所述芯片电路板(11)中的所述芯片(14)的VIN的一端与C1的正极连接，AGN的一端与R2连接，GND的一端接地，VFB的一端分别与R4和C5的负极连接，Vout的一端分别与L1和RSEN连接，ISEN的一端分别与C4的正极、D3的正极和L1连接，SW的一端与C3的正极连接，BOOT与C3的负极连接。


2.根据权利要求1所述的一种通过外接电容来防止芯片浪涌电流的结构，其特征在于：所述散热组件(20)，其包括支撑壳体(21)、支撑杆(22)、散热部(23)、第二导热板(24)、导热座(25)、导热铜片(26)和导热套(27)，所述支撑壳体(21)的底部固定连接有所述支撑杆(22)，所述支撑壳体(21)的内部设有所述散热部(23)，所述散热部(23)的顶部固定连接有所述第二导热板(24)，所述散热部(23)的底部固定连接有所述导热座(25)，所述散热部(23)的外侧壁固定连接有所述导热铜片(26)，所述导热铜片(26)的一端固定连接有所述导热套(27)，且所述导热套(27)套接至所述电容(13)的外侧壁。


3.根据权利要求2所述的一种通过外接电容来...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭虎，王照新，李建伟，蔡彩银，
申请(专利权)人：浙江德芯空间信息技术有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33