The embodiment of the utility model relates to a multi wavelength laser array, the array includes a substrate and a plurality of selective growth region epitaxial layers with different wavelengths growing on the substrate, the selective growth region epitaxial layers successively include a buffer layer, a lower waveguide layer, a plurality of quantum wells, an upper waveguide layer and a cover layer from the bottom to the top; the cover layer in the selective growth region and the selected growth region are The outer region consists of corrosion stop layer, space layer, transition layer and ohmic contact layer from bottom to top. The array realizes the laser array with multi wavelength output on a single chip, reduces the practical application cost and volume of the laser.
【技术实现步骤摘要】
一种多波长激光器阵列
本技术属于激光器
,具体涉及一种基于选择区域外延技术制造的多波长激光器阵列。
技术介绍
随着信息技术向大容量、高集成化方向发展,在CWDM、DWDM、LANWDM等领域需用到多种符合要求的激光器,通常地,采用多波长的分立器件进行整合封装,这在实际使用时成本、能耗都相对较高,同时产品体积偏大不利于进一步的集成化。
技术实现思路
为了解决上述技术问题中的至少一个,本技术实施例提出了一种多波长激光器阵列,包括衬底及利用不同宽度的介质掩膜在衬底上生长的多个波长不同的选择生长区域外延层,所述选择生长区域外延层自下而上依次包括缓冲层、下波导层、多量子阱、上波导层和覆盖层;在选择生长区域的覆盖层和在选择生长区域以外的区域自下而上依次包括腐蚀停止层、空间层、过渡层和欧姆接触层。进一步,所述多量子阱在非选择生长区域生长时光致发光的波长为1290nm。进一步,所述激光器阵列还形成有双沟限制的脊形波导结构,所述脊形波导结构两侧的沟槽的深度为1μm。进一步,所述选择生长区域的宽度为15μm。进一步,所述激光器阵列还形成有Bar条。进一步,所述衬底为N-InP衬底;所述缓冲层为N-InP缓冲层,其厚度为0.8μm;所述下波导层为无掺杂AlGaInAs下波导层,其厚度为80nm;所述多量子阱为5层周期为16nm的压应变AlGaInAs多量子阱;所述上波导层为无掺杂AlGaInAs上波导层,其厚度为80nm,所述覆盖层为P-InP覆盖层,其厚度为100nm;所述腐 ...
【技术保护点】
1.一种多波长激光器阵列,其特征在于,包括衬底及在衬底上生长的多个波长不同的选择生长区域外延层,所述选择生长区域外延层自下而上依次包括缓冲层、下波导层、多量子阱、上波导层和覆盖层;在选择生长区域的覆盖层和在选择生长区域以外的区域自下而上依次包括腐蚀停止层、空间层、过渡层和欧姆接触层。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种多波长激光器阵列,其特征在于,包括衬底及在衬底上生长的多个波长不同的选择生长区域外延层,所述选择生长区域外延层自下而上依次包括缓冲层、下波导层、多量子阱、上波导层和覆盖层;在选择生长区域的覆盖层和在选择生长区域以外的区域自下而上依次包括腐蚀停止层、空间层、过渡层和欧姆接触层。
2.如权利要求1所述的多波长激光器阵列,其特征在于,所述多量子阱在非选择生长区域生长时光致发光的波长为1290nm。
3.如权利要求1所述的多波长激光器阵列,其特征在于,所述激光器阵列还形成有双沟限制的脊形波导结构,所述脊形波导结构两侧的沟槽的深度为1μm。
4.如权利要求1所述的多波长激光器阵列,其特征在于,所述选择生长区域的宽度为15μm。
技术研发人员:黄长统,薛正群,苏辉,刘阳,吴林福生,杨重英,
申请(专利权)人:深圳市特发信息股份有限公司,中国科学院福建物质结构研究所,福建中科光芯光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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