光烧结粒子制备方法、光烧结靶制备方法及光烧结方法技术

本发明专利技术提供光烧结粒子制备方法。根据一实施例，可包括：准备纳米粒子的步骤；以及以所要形成上述纳米粒子的基板的热导率为基准，在上述纳米粒子的表面形成厚度互不相同的氧化膜的步骤。

Preparation method of light sintering particles, target and method of light sintering

The invention provides a preparation method of light sintered particles. According to an embodiment, the step of preparing nano particles and the step of forming oxide films with different thickness on the surface of the nano particles based on the thermal conductivity of the substrate to form the nano particles can be included.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光烧结粒子制备方法、光烧结靶制备方法及光烧结方法
本专利技术涉及光烧结粒子制备方法、光烧结靶制备方法及光烧结方法，更具体地，涉及通过控制纳米粒子的表面的氧化膜来提高光烧结有效性的光烧结粒子制备方法、光烧结靶制备方法及光烧结方法。
技术介绍
最近，随着电子工程技术和信息技术的发展，便携式电子设备的利用逐渐增加。目前，大部分的电子产品通过光刻工序制造。但是，光刻工序包括十二个以上的步骤，非常复杂，工序成本高、制造时间长，并利用许多有毒性化学物质，因此，可引起环境污染。因此，为了代替这种光刻工序，正积极研究印刷电子。印刷电子意味着通过丝网印刷、凹版印刷等的印刷工序形成图案的电子产品。这由印刷、干燥、烧结等共三个步骤的简单工序形成，相比于以往的光刻工序，具有价格低、环保、有柔韧性、大面积大量生产、低温/简单工序等的优点，因而备受关注。因此，印刷电子可适用于柔性电子产品、太阳能电池等各种电子产品。在印刷的电子器件的核心技术中有烧结，根据烧结方法及条件，确定烧结后的图案的导电率及图案的质量。作为以往的导电性油墨的烧结方法，目前具有热烧结方法，但在300℃以上的高温条件下进行烧结，因此，无法适用于作为新一代基板的柔性基板，工序时间长且需要腔室，因而不适合大量生产。因此，作为新的烧结方法，提出激光烧结法、等离子烧结法、微波烧结法等，但它们也不适合大量生产，因此，本专利技术人提出白色光极短波光烧结方法。
技术实现思路
技术问题本专利技术所要实现的一技术目的在于，提供考虑基板的特性而具有高有效性的光烧结粒子制备方法、光烧结靶制备方法及光烧结方法。本专利技术所要实现的再一技术目的在于，提供在硅基板中也以高质量进行光烧结的光烧结粒子制备方法、光烧结靶制备方法及光烧结方法。本专利技术所要实现的另一技术目的在于，提供具有优秀的工序便利性的光烧结粒子制备方法、光烧结靶制备方法及光烧结方法。本专利技术所要实现的还有一技术目的在于，提供具有优秀的价格竞争力的光烧结粒子制备方法、光烧结靶制备方法及光烧结方法。本专利技术所要实现的又一技术目的在于，提供容易大量生产的光烧结粒子制备方法、光烧结靶制备方法及光烧结方法。本专利技术所要实现的技术目的并不局限于如上所述的事项。解决问题的方案本专利技术一实施例的光烧结粒子制备方法可包括：准备纳米粒子的步骤；以及以所要形成上述纳米粒子的基板的热导率为基准，在上述纳米粒子的表面形成厚度互不相同的氧化膜的步骤。根据一实施例，在形成上述氧化膜的步骤中，在上述基板的热导率小于预设基准值的情况下，第一厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，在上述基板的热导率大于预设基准值的情况下，第二厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，上述第一厚度可小于上述第二厚度。根据一实施例，上述预设基准值可为1W/mK。根据一实施例，上述第一厚度可为上述纳米粒子直径的1～3％，上述第二厚度可为上述纳米粒子直径的3～10％。本专利技术一实施例的光烧结靶制备方法可包括：准备纳米粒子的步骤；以所要形成上述纳米粒子的基板的热导率为基准，在上述纳米粒子的表面形成厚度互不相同的氧化膜的步骤；以及使形成有上述氧化膜的纳米粒子包含粘合剂树脂来制备导电性靶的步骤。根据一实施例，在形成上述氧化膜的步骤中，在上述基板的热导率小于预设基准值的情况下，第一厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，在上述基板的热导率大于预设基准值的情况下，第二厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，上述第一厚度可小于上述第二厚度。根据一实施例，上述预设基准值可为1W/Mk。根据一实施例，上述第一厚度可为上述纳米粒子直径的1～3％，上述第二厚度可为上述纳米粒子直径的3～10％。本专利技术一实施例的光烧结方法可包括：以所要形成上述纳米粒子的基板的热导率为基准，在上述纳米粒子的表面形成厚度互不相同的氧化膜的步骤；使形成有上述氧化膜的纳米粒子包含粘合剂树脂来制备导电性靶的步骤；在上述基板形成所制备的上述导电性靶的步骤；以及对形成于上述基板的导电性靶进行光烧结的步骤。根据一实施例，在形成上述氧化膜的步骤中，在上述基板的热导率小于预设基准值的情况下，第一厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，在上述基板的热导率大于预设基准值的情况下，第二厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，上述第一厚度小于上述第二厚度，在上述进行光烧结的步骤中，在上述基板的热导率小于预设基准值的情况下，第一强度的光向上述基板照射，在上述基板的热导率大于预设基准值的情况下，第二强度的光向上述基板照射，上述第一强度小于上述第二强度。本专利技术另一实施例放入光烧结粒子制备方法可包括：根据所要形成纳米粒子的基板的特性来确定是否需要在上述纳米粒子的表面形成氧化膜的步骤；以及在需要在上述纳米粒子的表面形成氧化膜的情况下，在上述纳米粒子的表面形成氧化膜的步骤。根据另一实施例，上述基板的特性为热导率，在上述热导率为1W/mK以上的情况下，可判断为需要在上述纳米粒子的表面形成氧化膜。根据另一实施例，在上述基板包含硅的情况下，可判断为需要在上述纳米粒子的表面形成氧化膜。本专利技术另一实施例的光烧结靶制备方法可包括：根据所要形成纳米粒子的基板的特性来确定是否需要在上述纳米粒子的表面形成氧化膜的步骤；在需要在上述纳米粒子的表面形成氧化膜的情况下，在上述纳米粒子的表面形成氧化膜的步骤；以及使形成有上述氧化膜的纳米粒子包含粘合剂树脂来制备导电性靶的步骤。根据另一实施例，上述基板的特性为热导率，在上述热导率为1W/mK以上的情况下，可判断为需要在上述纳米粒子的表面形成氧化膜。根据另一实施例，在上述基板包含硅的情况下，可判断为需要在上述纳米粒子的表面形成氧化膜。本专利技术另一实施例的光烧结方法可包括：根据所要形成纳米粒子的基板的特性来确定是否需要在上述纳米粒子的表面形成氧化膜的步骤；在需要在上述纳米粒子的表面形成氧化膜的情况下，在上述纳米粒子的表面形成氧化膜的步骤；使形成有上述氧化膜的纳米粒子包含粘合剂树脂来制备导电性靶的步骤；在上述基板形成所制备的上述导电性靶的步骤；以及对形成于上述基板的导电性靶进行光烧结的步骤。专利技术的效果本专利技术一实施例的光烧结方法可包括：能够以根据基板种类具有最佳光烧结特性的方式形成及控制铜纳米粒子的氧化膜的步骤；制备包含高分子粘合剂树脂的导电性油墨的步骤；在基板印刷(printing)及干燥(drying)上述导电性油墨的步骤；以及利用从氙闪光灯照射的白色光对印刷的上述图案进行光烧结的步骤。根据本专利技术的一实施例，在常温/大气条件下，在数毫秒(1～1000ms)以内的非常短的时间内，可还原及烧结氧化皮膜，容易大量生产具有高导电率及可靠性的电子器件。尤其，根据本专利技术的一实施例，对于以往的难以执行光烧结工序的硅基板也可进行光烧结工序，可扩大所适用的基板的种类。附图说明图1为用于说明本专利技术一实施例的光烧结方法的流程图。图2为用于说明本专利技术一实施例的光烧结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光烧结粒子制备方法，其特征在于，包括：/n准备纳米粒子的步骤；以及/n以所要形成上述纳米粒子的基板的热导率为基准，在上述纳米粒子的表面形成厚度互不相同的氧化膜的步骤。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170420 KR 10-2017-00509281.一种光烧结粒子制备方法，其特征在于，包括：
准备纳米粒子的步骤；以及
以所要形成上述纳米粒子的基板的热导率为基准，在上述纳米粒子的表面形成厚度互不相同的氧化膜的步骤。


2.根据权利要求1所述的光烧结粒子制备方法，其特征在于，
在形成上述氧化膜的步骤中，
在上述基板的热导率小于预设基准值的情况下，第一厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，在上述基板的热导率大于预设基准值的情况下，第二厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，
上述第一厚度小于上述第二厚度。


3.根据权利要求2所述的光烧结粒子制备方法，其特征在于，上述预设基准值为1W/mK。


4.根据权利要求2所述的光烧结粒子制备方法，其特征在于，上述第一厚度为上述纳米粒子直径的1～3％，上述第二厚度为上述纳米粒子直径的3～10％。


5.一种光烧结靶制备方法，其特征在于，包括：
准备纳米粒子的步骤；
以所要形成上述纳米粒子的基板的热导率为基准，在上述纳米粒子的表面形成厚度互不相同的氧化膜的步骤；以及
使形成有上述氧化膜的纳米粒子包含粘合剂树脂来制备导电性靶的步骤。


6.根据权利要求5所述的光烧结靶制备方法，其特征在于，
在形成上述氧化膜的步骤中，
在上述基板的热导率小于预设基准值的情况下，第一厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，在上述基板的热导率大于预设基准值的情况下，第二厚度的氧化膜形成于上述纳米粒子的表面，
上述第一厚度小于上述第二厚度。


7.根据权利要求6所述的光烧结靶制备方法，其特征在于，上述预设基准值为1W/mK。


8.根据权利要求6所述的光烧结靶制备方法，其特征在于，上述第一厚度为上述纳米粒子直径的1～3％，上述第二厚度为上述纳米粒子直径的3～10％。


9.一种光烧结方法，其特征在于，包括：
以所要形成上述纳米粒子的基板的热导率为基准，在上述纳米粒子的表面形成厚度互不相同的氧化膜的步骤；
使形成有上述氧化膜的纳米粒子包含粘合剂树脂来制备导电性靶的步骤；
在上述基板形成所制备的上述导电性靶的步骤；以及
对形成于上述基板的导电性靶进行光烧结的步骤。


10.根据权利要求9所述的光烧...

【专利技术属性】
技术研发人员：金学成，黄现俊，吴敬焕，金德中，
申请(专利权)人：汉阳大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国;KR