The invention relates to the technical field of optical thin film, in particular to a step low refractive index al
【技术实现步骤摘要】
一种阶跃低折射率Al2O3薄膜的制备方法
本专利技术涉及光学薄膜
，具体涉及一种阶跃低折射率Al2O3薄膜的制备方法。
技术介绍
薄膜的折射率是表征光学薄膜光学性质的一个极其重要的指标，光学薄膜的反射带带宽、透射带带宽由组成膜系的薄膜材料的折射率和中心波长共同决定。当中心波长一定的情况下，高低反射率薄膜0.01的折射率差将会引起几纳米甚至几十纳米反射带的红移/蓝移。Al2O3薄膜具有良好的物理稳定性、化学稳定性、高熔点、高结晶温度、与半导体工艺良好的兼容性，因此在光学薄膜、半导体工业等领域具有广泛的应用，例如腔面膜、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、太阳能电池中的钝化或防潮层、金属铁电绝缘体半导体场效应晶体管中的缓冲氧化层、微电子机械系统中的保护层和疏水层等。根据化学气相沉积和物理气相的基本原理，Al2O3薄膜可通过化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和电子束蒸发(EB)等方法制备。其中，原子层沉积和电子束蒸发可以实时监控薄膜生长厚度，实现特定厚度的Al2O3薄膜的制备。用现有方法制...
【技术保护点】
1.一种阶跃低折射率Al
【技术特征摘要】
1.一种阶跃低折射率Al2O3薄膜的制备方法，其特殊之处在于，包括以下步骤：
1)取一硅片，清洁后放入氮气柜中待用；
2)使用电子束蒸发镀膜机，在坩埚中添加纯度为99.9％的Al2O3颗粒，并将硅片放入腔室中；
3)设定Al2O3薄膜生长的初始真空度为4.0×10-4Pa；
4)在薄膜沉积之前，先采用等离字体对硅片进行120s的轰击，以去除硅片表面的杂质；
5)采用晶振测量控制系统，Al2O3薄膜的沉积厚度为300nm；
6)设定Al2O3薄膜的沉积速率分别为0.2nm/s～0.5nm/s，进行Al2O3薄膜的生长沉积。
2.根据权利要求1所述的一种阶跃低折射率Al2O3薄膜的制备方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：兰云萍，邹永刚，马晓辉，范杰，赵鑫，王小龙，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：吉林;22
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