鎓盐、化学增幅正型抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法技术

具有含桥接环的基团的芳烃磺酸的鎓盐产生了具有适当强度和受控的扩散的大体积酸。当包含该鎓盐和基础聚合物的正型抗蚀剂组合物通过光刻法加工时，形成了具有高分辨率和降低的LER的矩形轮廓的图案。

Onium salt, chemical amplification positive type resist composition and resist pattern forming method

The onium salt of aromatic sulfonic acid with a group containing a bridging ring produces a bulk acid with appropriate strength and controlled diffusion. When the positive resist composition containing the onium salt and the base polymer is processed by photolithography, a pattern with a rectangular profile of a high-resolution and reduced ler is formed.

【技术实现步骤摘要】
鎓盐、化学增幅正型抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法相关申请的交叉引用本非临时申请根据35U.S.C§119(a)要求于2018年5月25日在日本提交的专利申请No.2018-100517的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及鎓盐、化学增幅正型抗蚀剂组合物及抗蚀剂图案形成方法。
技术介绍
为了满足近来对集成电路中较高集成度的需求，要求将图案形成为具有较精细的特征尺寸。酸催化化学增幅型抗蚀剂组合物最常用于形成具有0.2μm或更小的特征尺寸的抗蚀剂图案。将高能辐照例如UV、深UV或电子束(EB)用作这些抗蚀剂组合物的曝光的能量源。特别地，将EB光刻法用作超精细微制造技术时，其在加工光掩模坯以形成用于半导体设备制造的光掩模也是必不可少的。用于光刻法的抗蚀剂组合物包括其中图案在曝光区域溶解后形成的正型组合物，和其中曝光区域保留以形成图案的负型组合物。可根据期望的抗蚀剂图案结构进行选择。通常，EB光刻法不使用掩模而用EB写入图像，。在正型抗蚀剂的情况下，用具有微小面积的EB相继照射抗蚀剂膜的除将被保留的区域以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.具有式(1)的鎓盐：/n

【技术特征摘要】
20180525 JP 2018-1005171.具有式(1)的鎓盐：



其中X1和X2各自独立地为亚甲基，丙烷-2,2-二基或醚键，
L为单键、酯键、磺酸酯键，碳酸酯键或氨基甲酸酯键，
R1和R2各自独立地为可含有杂原子的C1-C20一价烃基团，
m1和m2各自独立地为0至2的整数，m3为0或1，n1为满足1≤n1≤5+2m1的整数，n2为满足0≤n2≤4+2m2的整数，n3为满足0≤n3≤8+4m3的整数，
A+为具有式(2)的锍阳离子，具有式(3)的碘鎓阳离子，或具有式(4)的铵阳离子：



其中R3A，R3B，R3C，R4A，R4B，R5A，R5B和R5C各自独立地为可含有杂原子的C1-C20一价烃基团，R5D为氢或可含有杂原子的C1-C20一价烃基团，R3A，R3B和R3C中的任意两个或R5A，R5B，R5C和R5D中的任意两个可键合在一起以与它们连接的硫或氮原子形成环。


2.化学增幅正型抗蚀剂组合物，其包含(A)含有权利要求1所述的鎓盐的产酸剂和(B)含有适于在酸的作用下分解以提高其在碱性显影剂中的溶解度的聚合物的基础聚合物。


3.权利要求2所述的抗蚀剂组合物，其中该聚合物包含具有式(B1)的重复单元：



其中RA为氢、氟、甲基或三氟甲基，
R11各自独立地为卤素，任选卤化的C2-C8酰氧基基团，任选卤化的C1-C6烷基基团，或任选卤化的C1-C6烷氧基基团，
A1为单键或C1-C10烷烃二基基团，其中可在碳-碳键中插入醚键，
t1为0或1，x1为0至2的整数，a1为满足0≤a1≤5+2x1-a2的整数，以及a2为1至3的整数。


4.权利要求2所述的抗蚀剂组合物，其中该聚合物包含具有式(B2)的重复单元：



其中RA为氢、氟、甲基或三氟甲基，
R12各自独立地为卤素，任选卤化的C2-C8酰氧基基团，任选卤化的C1-C6烷基基团，或任选卤化的C1-C6烷氧基基团，
A2为单键或C1-C10烷烃二基基团，其中可在碳-碳键中插入醚键，
t2为0或1，x2为0至2的整数，b1为满足0≤b1≤5+2x2-b3的整数，b2为0或1，b3为1至3的整数，在b3＝1的情况下X为酸不稳定基团，以及在b3＝2或3的情况下X各自独立地为氢或酸不稳定基团，至少一个X为酸不稳定基团。


5.权利要求2所述的抗蚀剂组合物，其中该聚合物包含选自具有式(B3)、(B4)和(B5)的单元中的至少一种类型的重复单元：



其中RA为氢、氟、甲基或三氟甲基，
R13和R14各自独立地为羟基基团，卤素原子，乙酰氧基基团，任选卤化的C1-C6烷基基团，任选卤化的C1-C6伯烷氧基基团，任选卤化的C2-C6仲烷氧基基团，任选卤化的C2-C8酰氧基基团，或任选卤化的C2-C8烷基羰氧基基团，
R15为乙酰基基团，乙酰氧基基团，C1-C20烷基基团，C1-C20伯烷氧基基团，C2-C20仲烷氧基基团，C2-C20酰氧基基团，C2-C20烷氧基烷基基团，C2-C20烷硫基烷基基团，卤素原子，硝基基团，或氰基基...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上直也，渡边聪，土门大将，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP