一种超高压直流电路浪涌电流抑制器制造技术

本实用新型专利技术公布了一种高压直流电路浪涌电流抑制器，用于高压直流电路中的浪涌电流抑制它包括一MOS管V1、一电阻R1和一电容C1；MOS管V1的源极与负电压输入端连接，MOS管V1的漏极与负电压输出端连接，MOS管的栅极串联电阻R1后与正电压输入端连接；电容C1一端与所述MOS管V1的栅极连接，另一端与所述MOS管V1的源极连接；通过所述电阻R1和所述电容C1调整所述MOS管V1的UGS电压上升斜率，延长UGS的上升时间，从而延迟所述MOS管V1的开启。通过电阻器R1和电容器C1调整N沟道MOS管V1的UGS电压上升斜率，延长UGS的上升时间，从而延迟MOS管的开启；可通过电阻器R4阻值的调节来调节浪涌电流的抑制幅值，能够实现不影响EMI滤波器电磁兼容性能的同时解决了浪涌电流抑制问题。

A surge current suppressor for UHVDC circuits

The utility model discloses a surge current suppressor for high-voltage direct current circuit, which is used for surge current suppression in high-voltage direct current circuit, including a MOS tube V1, a resistor R1 and a capacitor C1; the source of the MOS tube V1 is connected with the negative voltage input end, the drain of the MOS tube v1 is connected with the negative voltage output end, the gate of the MOS tube R1 is connected with the positive voltage input end in series; one end of the capacitor C1 is connected with the substation The gate of the MOS tube V1 is connected, and the other end is connected with the source of the MOS tube V1; the UGS voltage rise slope of the MOS tube V1 is adjusted by the resistance R1 and the capacitance C1, and the rise time of the UGS is extended, so as to delay the opening of the MOS tube v1. By adjusting resistor R1 and capacitor C1, the rising slope of UGS voltage of n-channel MOS tube V1 is adjusted, and the rising time of UGS is prolonged, so as to delay the opening of MOS tube; the suppression amplitude of surge current can be adjusted by adjusting resistor R4 resistance, which can not affect the EMC performance of EMI filter and solve the problem of surge current suppression at the same time.

【技术实现步骤摘要】
一种超高压直流电路浪涌电流抑制器
本技术涉及高压直流电路
，尤其涉及一种超高压直流电路浪涌电流抑制器。
技术介绍
由于线间电容器的存在，通电瞬间电容器相当于短路，在电路中产品有较高的浪涌电流。机载高压为270V直流，由于高容值滤波电容器的存在，导致高压直流电路在启动时的浪涌电流为常用28V直流电路浪涌电流的将近10倍左右。使用常规加装电阻器限流的方法就需要高阻值、大功率的电阻器，但又造成较大压降及功耗，已不满足实际使用需求。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种超高压直流电路浪涌电流抑制器，解决了现常规加装电阻器限流的方法存在的不足。本技术的目的通过以下技术方案来实现：一种高压直流电路浪涌电流抑制器，用于高压直流电路中的浪涌电流抑制它包括一MOS管V1、一电阻R1和一电容C1；所述MOS管V1的源极与负电压输入端连接，所述MOS管V1的漏极与负电压输出端连接，所述MOS管的栅极串联所述电阻R1后与正电压输入端连接；所述电容C1一端与所述MOS管V1的栅极连接，另一端与所述MOS管V1的源极连接；通过所述电阻R1和所述电容C1调整所述MOS管V1的UGS电压上升斜率，延长UGS的上升时间，从而延迟所述MOS管V1的开启。进一步地，还包括一电阻R4，所述电阻R4的一端与所述MOS管V1的漏极连接，另一端与所述MOS管V1的源极连接；通过调节电阻R4的阻值来调节浪涌电流的抑制幅值。进一步地，还包括一二极管D1，所述二极管D1连接在所述电阻R1和所述正电压输入端之间。进一步地，还包括一电阻R2、一二极管D2和电阻R3；所述电阻R2和所述二极管D2的一端与所述MOS管V1的栅极连接，另一端与所述MOS管V1的源极连接；所述电阻R3的一端与所述MOS管V1的栅极连接，另一端与正电压输出端连接。进一步地，所述MOS管V1为N沟道MOS管；所述电容C1为充电电容。进一步地，所述二极管D1为快恢复二极管，所述二极管D2为稳压二极管，所述电阻R1、所述电阻R3和所述电阻R4为限流电阻，所述电阻R2为分压电阻。本技术具有以下优点：一种超高压直流电路浪涌电流抑制器，通过电阻器R1和电容器C1调整N沟道MOS管V1的UGS电压上升斜率，延长UGS的上升时间，从而延迟MOS管的开启；可通过电阻器R4阻值的调节来调节浪涌电流的抑制幅值，能够实现不影响EMI滤波器电磁兼容性能的同时解决了浪涌电流抑制问题。附图说明图1为本技术的电路原理图。具体实施方式需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。下面结合附图对本技术做进一步的描述，但本技术的保护范围不局限于以下所述。如图1所示，一种高压直流电路浪涌电流抑制器，用于高压直流电路中的浪涌电流抑制它包括一MOS管V1、一电阻R1和一电容C1；所述MOS管V1的源极与负电压输入端连接，所述MOS管V1的漏极与负电压输出端连接，所述MOS管的栅极串联所述电阻R1后与正电压输入端连接；所述电容C1一端与所述MOS管V1的栅极连接，另一端与所述MOS管V1的源极连接；通过所述电阻R1和所述电容C1调整所述MOS管V1的UGS电压上升斜率，延长UGS的上升时间，从而延迟所述MOS管V1的开启。进一步地，还包括一电阻R4，所述电阻R4的一端与所述MOS管V1的漏极连接，另一端与所述MOS管V1的源极连接；通过调节电阻R4的阻值来调节浪涌电流的抑制幅值。进一步地，还包括一二极管D1，所述二极管D1连接在所述电阻R1和所述正电压输入端之间。进一步地，还包括一电阻R2、一二极管D2和电阻R3；所述电阻R2和所述二极管D2的一端与所述MOS管V1的栅极连接，另一端与所述MOS管V1的源极连接；所述电阻R3的一端与所述MOS管V1的栅极连接，另一端与正电压输出端连接。进一步地，所述MOS管V1为N沟道MOS管；所述电容C1为充电电容。进一步地，所述二极管D1为快恢复二极管，所述二极管D2为稳压二极管，所述电阻R1、所述电阻R3和所述电阻R4为限流电阻，所述电阻R2为分压电阻。本技术的工作过程为：V1为N-沟道MOS管，D1为快恢复二极管，D2为稳压二极管，R1、R3、R4为限流电阻器，R2为分压电阻器，C1为充电电容器。整个电路通过电阻器R1和电容器C1调整N沟道MOS管V1的UGS电压上升斜率，延长UGS的上升时间，从而延迟MOS管的开启。UGS达到开启电压之前，MOS管呈高阻状态，整个270V电流回路先通过限流电阻器R4对后级电路中的滤波电容器C1充电，充电时电容器视为短路，线路阻抗约为0，则浪涌电流I＝270V÷50Ω＝5.4A，浪涌电流得到有效抑制，并可通过电阻器R4阻值的调节来调节浪涌电流的抑制幅值。D2用于保护MOS管不被高压击穿，R2用于为C1提供一个快速放电通道，D1和R1用来保证在刚上电时MOS管保持关闭状态，并和R3构成电路防止MOS管的自激振荡。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当理解本技术并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本技术的精神和范围，则都应在本技术所附权利要求的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压直流电路浪涌电流抑制器，用于高压直流电路中的浪涌电流抑制；其特征在于：它包括一MOS管V1、一电阻R1和一电容C1；所述MOS管V1的源极与负电压输入端连接，所述MOS管V1的漏极与负电压输出端连接，所述MOS管的栅极串联所述电阻R1后与正电压输入端连接；所述电容C1一端与所述MOS管V1的栅极连接，另一端与所述MOS管V1的源极连接；通过所述电阻R1和所述电容C1调整所述MOS管V1的UGS电压上升斜率，延长UGS的上升时间，从而延迟所述MOS管V1的开启。/n

【技术特征摘要】
1.一种高压直流电路浪涌电流抑制器，用于高压直流电路中的浪涌电流抑制；其特征在于：它包括一MOS管V1、一电阻R1和一电容C1；所述MOS管V1的源极与负电压输入端连接，所述MOS管V1的漏极与负电压输出端连接，所述MOS管的栅极串联所述电阻R1后与正电压输入端连接；所述电容C1一端与所述MOS管V1的栅极连接，另一端与所述MOS管V1的源极连接；通过所述电阻R1和所述电容C1调整所述MOS管V1的UGS电压上升斜率，延长UGS的上升时间，从而延迟所述MOS管V1的开启。


2.根据权利要求1所述的一种高压直流电路浪涌电流抑制器，其特征在于：还包括一电阻R4，所述电阻R4的一端与所述MOS管V1的漏极连接，另一端与所述MOS管V1的源极连接；通过调节电阻R4的阻值来调节浪涌电流的抑制幅值。


3.根据权利要求1所述的一种高压直流电路浪涌电流抑...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛杰，于技强，阳波，雷雨，
申请(专利权)人：成都必控科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：四川;51