一种介质波导滤波器制造技术

本发明专利技术涉及一种介质波导滤波器，包括两个相邻的介质谐振器，所述两个介质谐振器之间形成耦合窗口，所述耦合窗口的上表面设有第一下沉区域，所述第一下沉区域的两端分别延伸至所述两个介质谐振器；所述第一下沉区域的内表面设有导电屏蔽层，第一下沉区域底面的导电屏蔽层上形成有第一耦合极性反转结构，所述第一耦合极性反转结构形成非导电屏蔽区域。本发明专利技术可实现两个相邻的介质谐振器之间的容性耦合，并能减少对Q值的损耗，改变第一耦合极性反转结构的横向尺寸与耦合窗口的宽度的比值，还可实现两个介质谐振器之间的感性耦合或电磁混合耦合。

A dielectric waveguide filter

The invention relates to a dielectric waveguide filter, which comprises two adjacent dielectric resonators, the two dielectric resonators form a coupling window, the upper surface of the coupling window is provided with a first sinking area, the two ends of the first sinking area are respectively extended to the two dielectric resonators; the inner surface of the first sinking area is provided with a conductive shielding layer, and the first sinking area A first coupling polarity reversal structure is formed on the conductive shielding layer at the bottom of the domain, and the first coupling polarity reversal structure forms a non-conductive shielding region. The invention can realize the capacitive coupling between two adjacent dielectric resonators, reduce the loss of Q value, change the ratio of the transverse size of the first coupling polarity reversal structure to the width of the coupling window, and also realize the inductive coupling or electromagnetic hybrid coupling between two dielectric resonators.

【技术实现步骤摘要】
一种介质波导滤波器
本专利技术涉及微波通信领域，尤其是涉及一种介质波导滤波器。
技术介绍
滤波器是一种选频器件，常常用在射频系统前端。5G时代来临，系统越来越小，越来越轻。而小型化、高性能、低功耗滤波器又是5G设备小型化的关键。介质波导滤波器相较于传统的波导滤波器具有较大的优势，故在5G通信设备中具有广泛的应用前景。为了提高介质波导滤波器的频率选择特性，通常采用交叉耦合，使其相位相差180°，从而形成频率响应通带外的极点。在介质波导滤波器中，实现容性耦合的方式一般常用的是一定深度的盲孔来实现。这种方式简单，但会牺牲滤波器一定的Q值，与此同时，对高次谐波有一定的恶化。这种方法无形中增加了器件的设计难度。所以在介质波导中如何实现容性耦合是目前行业内亟需解决的难题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述技术的不足，提供一种介质波导滤波器，可实现容性耦合，减少了对Q值的损耗，易于加工，降低了加工难度。本专利技术提供的一种介质波导滤波器，包括两个相邻的介质谐振器，所述两个介质谐振器之间形成耦合窗口，所述耦合窗口的上表面设有第一下沉区域，所述第一下沉区域的两端分别延伸至所述两个介质谐振器；所述第一下沉区域的内表面设有导电屏蔽层，第一下沉区域底面的导电屏蔽层上形成有第一耦合极性反转结构，所述第一耦合极性反转结构形成非导电屏蔽区域。进一步地，所述第一下沉区域底面的导电屏蔽层通过刻蚀工艺形成所述第一耦合极性反转结构。进一步地，所述耦合窗口的下表面设有第二下沉区域，所述第二下沉区域的两端分别延伸至所述两个介质谐振器，所述第二下沉区域的内表面设有导电屏蔽层，第二下沉区域底面的导电屏蔽层上形成有第二耦合极性反转结构，所述第二耦合极性反转结构形成非导电屏蔽区域。进一步地，所述第二下沉区域底面的导电屏蔽层通过刻蚀工艺形成所述第二耦合极性反转结构。进一步地，所述第一耦合极性反转结构的截面形状为S形、L形、Z形、E形、U形或交齿形。进一步地，所述两个介质谐振器的上表面分别设有调谐盲孔，所述第一下沉区域位于两个介质谐振器的调谐盲孔之间。进一步地，每个介质谐振器包括介质体以及包覆到介质体外表面的导电屏蔽层，所述第一下沉区域的内表面设置的导电屏蔽层的厚度与包覆到介质体外表面的导电屏蔽层的厚度相等。进一步地，所述耦合窗口的两侧壁与所述两个介质谐振器之间分别形成第一空位和第二空位。进一步地，所述两个介质谐振器分别为第一介质谐振器和第三介质谐振器，所述介质波导滤波器还包括位于所述第一介质谐振器和第三介质谐振器的连线之外的第二介质谐振器。进一步地，所述第二介质谐振器和第一介质谐振器、第三介质谐振器之间分别形成有第三空位、第四空位，所述第二空位、第三空位和第四空位之间相互连通。本专利技术通过在耦合窗口上设置第一下沉区域，可减少屏蔽物对耦合窗口性能的影响，通过在第一下沉区域底面的导电屏蔽层上形成第一耦合极性反转结构，可实现两个相邻的介质谐振器之间的容性耦合，改善了滤波器的低端抑制，减少了对Q值的损耗，同时易于加工成型，加工难度低，并且改变第一耦合极性反转结构的横向尺寸与耦合窗口的宽度的比值，还可实现两个介质谐振器之间的感性耦合或电磁混合耦合。【附图说明】图1为本专利技术第一实施例提供的一种介质波导滤波器的俯视示意图；图2是图1所示介质波导滤波器的立体示意图；图3为本专利技术第二实施例提供的一种介质波导滤波器的立体示意图；图4为本专利技术第三实施例提供的一种介质波导滤波器的立体示意图；图5为本专利技术第四实施例提供的一种介质波导滤波器的立体示意图；图6为本专利技术第五实施例提供的一种介质波导滤波器的立体示意图；图7为本专利技术第六实施例提供的一种介质波导滤波器的立体示意图；图8为本专利技术第七实施例提供的一种介质波导滤波器的立体示意图；图9为本专利技术第八实施例提供的一种介质波导滤波器的立体示意图；图10为本专利技术第九实施例提供的一种介质波导滤波器的立体示意图；图11为本专利技术第十实施例提供的一种介质波导滤波器的立体示意图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的描述。参考图1和图2，本专利技术第一实施例提供的一种介质波导滤波器，包括三个介质谐振器。三个介质谐振器分别为第一介质谐振器11、第二介质谐振器12和第三介质谐振器13。第一介质谐振器11和第三介质谐振器13呈并排设置，第二介质谐振器12位于第一介质谐振器11和第三介质谐振器13的连线之外。每个介质谐振器包括介质体如陶瓷体等以及包覆到介质体外表面的导电屏蔽层。导电屏蔽层为金层、银层或铜层等金属层。每个介质谐振器的上表面设有调谐盲孔，调谐盲孔的内表面设有导电屏蔽层。调谐盲孔用于调节对应的介质谐振器的谐振频率，如调谐盲孔111用于调节第一介质谐振器11的谐振频率，调谐盲孔121用于调节第二介质谐振器12的谐振频率，调谐盲孔131用于调节第三介质谐振器13的谐振频率，通过调整调谐盲孔的深度可实现对应的介质谐振器的谐振频率的调节。第一介质谐振器11和第三介质谐振器13之间形成耦合窗口30(见图1)。耦合窗口30的两侧壁与第一介质谐振器11和第三介质谐振器13之间分别形成第一空位21和第二空位22。可以理解地，也可以是耦合窗口30的其中一个侧壁与第一介质谐振器11和第三介质谐振器13之间形成空位。第二介质谐振器12和第一介质谐振器11、第三介质谐振器13之间分别形成有第三空位23、第四空位24，第二空位22、第三空位23和第四空位24之间相互连通。第一介质谐振器11、第二介质谐振器12和第三介质谐振器13之间通过第二空位22、第三空位23和第四空位24实现能量的主耦合。耦合窗口30的上表面设有第一下沉区域40，第一下沉区域40的两端分别延伸至第一介质谐振器11和第三介质谐振器13。第一下沉区域40位于第一介质谐振器11和第三介质谐振器13的调谐盲孔111、131之间。第一下沉区域40的内表面设有导电屏蔽层，第一下沉区域40底面的导电屏蔽层上形成有用于实现第一介质谐振器11和第三介质谐振器13之间容性耦合的第一耦合极性反转结构41，第一耦合极性反转结构41形成非导电屏蔽区域。在实际应用时，通常会在介质波导滤波器的表面粘贴或添加一屏蔽物，该屏蔽物会影响耦合窗口30的耦合性能，第一下沉区域40的设置可减少屏蔽物对耦合窗口30性能的影响，在第一下沉区域40底面的导电屏蔽层上形成第一耦合极性反转结构41，不仅可实现第一介质谐振器11和第三介质谐振器13之间的容性耦合，改善了滤波器的低端抑制，还能减少对Q值的损耗，同时第一耦合极性反转结构41易于加工成型，降低了加工难度。优选地，第一下沉区域40的内表面设置的导电屏蔽层的厚度与包覆到介质体外表面的导电屏蔽层的厚度相等。本实施例中，第一下沉区域40的截面形状为方形，可以理解地，第一下沉区域40的截面形状还可以是其他，第一下沉区域40的截面形状、面积、深度不构成对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种介质波导滤波器，包括两个相邻的介质谐振器，其特征在于：所述两个介质谐振器之间形成耦合窗口，所述耦合窗口的上表面设有第一下沉区域，所述第一下沉区域的两端分别延伸至所述两个介质谐振器；所述第一下沉区域的内表面设有导电屏蔽层，第一下沉区域底面的导电屏蔽层上形成有第一耦合极性反转结构，所述第一耦合极性反转结构形成非导电屏蔽区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种介质波导滤波器，包括两个相邻的介质谐振器，其特征在于：所述两个介质谐振器之间形成耦合窗口，所述耦合窗口的上表面设有第一下沉区域，所述第一下沉区域的两端分别延伸至所述两个介质谐振器；所述第一下沉区域的内表面设有导电屏蔽层，第一下沉区域底面的导电屏蔽层上形成有第一耦合极性反转结构，所述第一耦合极性反转结构形成非导电屏蔽区域。


2.根据权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于：所述第一下沉区域底面的导电屏蔽层通过刻蚀工艺形成所述第一耦合极性反转结构。


3.根据权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于：所述耦合窗口的下表面设有第二下沉区域，所述第二下沉区域的两端分别延伸至所述两个介质谐振器，所述第二下沉区域的内表面设有导电屏蔽层，第二下沉区域底面的导电屏蔽层上形成有第二耦合极性反转结构，所述第二耦合极性反转结构形成非导电屏蔽区域。


4.根据权利要求3所述的介质波导滤波器，其特征在于：所述第二下沉区域底面的导电屏蔽层通过刻蚀工艺形成所述第二耦合极性反转结构。


5.根据权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于：所述第一耦合极性反转...

【专利技术属性】
技术研发人员：章博，段宗金，
申请(专利权)人：深圳市国人射频通信有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44