多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块技术

本发明专利技术涉及多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块。通过西门子法合成硅多晶棒(S101)。在反应器内从硅多晶棒的上部覆盖清洗了内表面的塑料制袋而将硅多晶棒收容后(S103)，将硅多晶棒取出到反应器外(S104)，进行热封而在密闭化的状态下保管(S105)。根据本发明专利技术，不一定需要清洗、蚀刻、水洗这样的以往被认为必需的工序，因此，能够使残留在表面的氟离子、硝酸根离子、亚硝酸根离子均低于0.2ppbw。另外，通过覆盖塑料制袋，金属污染水平显著地降低。而且，如果进行本发明专利技术的操作，则即使长期保管，表面污染也几乎不会加重。

Manufacturing method of polysilicon rod, polysilicon rod and polysilicon block

The invention relates to a manufacturing method of polysilicon rod, polysilicon rod and polysilicon block. Polycrystalline silicon rod (S101) was synthesized by Siemens method. In the reactor, the upper part of the silicon polycrystalline rod is covered with a plastic bag which cleans the inner surface, and after the silicon polycrystalline rod is received (S103), the silicon polycrystalline rod is taken out of the reactor (S104), which is heat sealed and kept in a sealed state (S105). According to the invention, it is not necessary to wash, etch, wash and other previously considered necessary processes, so that the fluorine ion, nitrate ion and nitrite ion remaining on the surface are all lower than 0.2ppbw. In addition, by covering plastic bags, the level of metal pollution is significantly reduced. Moreover, if the operation of the invention is carried out, the surface pollution will hardly increase even if it is kept for a long time.

【技术实现步骤摘要】
多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块本申请是申请号为201580029762.7(国际申请号为PCT/JP2015/002683)、中国国家阶段进入日为2016年12月2日(国际申请日为2015年5月27日)、专利技术名称为“多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块”的中国专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及多晶硅棒的表面洁净化技术。
技术介绍
在半导体器件等的制造中不可欠缺的单晶硅在大多数情况下以通过西门子法制造的多晶硅棒或将其粉碎而得到的多晶硅块作为原料通过FZ法、CZ法来培育。西门子法是指如下的方法：使三氯硅烷、单硅烷等硅烷原料气体与加热后的硅芯线接触，由此，通过CVD(ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积)法使多晶硅在该硅芯线的表面上气相生长(析出)。对于多晶硅块，将利用西门子法合成的多晶硅棒从反应器中取出后破碎，为了除去附着在该破碎物的表面的污染物，进行利用氟硝酸等的药液蚀刻，形成洁净度高的表面状态而产品化。在对多晶硅块等硅材料进行蚀刻时，一般使用氢氟酸(HF)与硝酸(HNO3)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其是将刚利用西门子法合成后的硅多晶棒取出到反应器外的方法，其特征在于，/n具备如下工序：将所述反应器打开后，将所述多晶硅棒在所述反应器内立即收容到厚度为100～500μm的线性聚乙烯即LLDPE制袋中，取出到所述反应器外，然后，将所述LLDPE制袋在反应器外进行密封而将所述硅多晶棒密封，/n所述LLDPE制袋是其内表面利用0.1～10重量％的稀硝酸水溶液或稀盐酸水溶液进行稀酸水溶液清洗后、在等级1000以上的水平的洁净室内干燥的袋。/n

【技术特征摘要】
20140603 JP 2014-1152381.一种方法，其是将刚利用西门子法合成后的硅多晶棒取出到反应器外的方法，其特征在于，
具备如下工序：将所述反应器打开后，将所述多晶硅棒在所述反应器内立即收容到厚度为100～500μm的线性聚乙烯即LLDPE制袋中，取出到所述反应器外，...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫尾秀一，冈田淳一，祢津茂义，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP