一种光刻工艺单元装置和光刻系统制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例公开了一种光刻工艺单元装置和光刻系统。所述光刻工艺单元装置包括：至少两个联线作业的工艺腔室，至少一个所述工艺腔室包括基板支撑组件、第一喷淋组件和第二喷淋组件；所述第一喷淋组件和所述第二喷淋组件的喷淋方向均朝向所述基板支撑组件；工艺控制模块和宕机控制模块，所述工艺控制模块与所述第一喷淋组件电连接，所述宕机控制模块与所述第二喷淋组件电连接。与现有技术相比，本实用新型专利技术实施例降低了光刻工艺单元装置在宕机时基板的报废率。

A lithography process unit and lithography system

The embodiment of the utility model discloses a lithography process unit device and a lithography system. The photolithography process unit device includes: at least two process chambers for online operation, at least one of the process chambers includes a substrate support assembly, a first spray assembly and a second spray assembly; the spray direction of the first spray assembly and the second spray assembly is toward the substrate support assembly; the process control module and the downtime control module, and the process control module It is electrically connected with the first spray component, and the shutdown control module is electrically connected with the second spray component. Compared with the prior art, the embodiment of the utility model reduces the scrap rate of the substrate when the photolithography process unit device goes down.

【技术实现步骤摘要】
一种光刻工艺单元装置和光刻系统
本技术实施例涉及光刻
，尤其涉及一种光刻工艺单元装置和光刻系统。
技术介绍
为了实现更好的人机交互，手机、平板电脑、智能穿戴设备、公共场所大厅的信息查询机等各种智能终端均配置有显示面板，显示面板得到了广泛的应用。光刻系统(黄光线体)包括涂胶机、曝光设备和显影机等光刻工艺单元装置。在显示面板的制作过程中，涂胶机、曝光设备和显影机等光刻工艺单元装置联线作业，对基板进行清洗、涂胶、曝光和显影等工艺流程，实现对基板的光刻工艺。其中，在对基板进行清洗或显影时，可能用到强碱性的溶液(例如，四甲基氢氧化胺TMAH)。在现有技术中，光刻工艺单元装置的机台上的基板出现倾斜、破片或显影液、水的流量异常时，需要将其强制停机，即宕机。若光刻工艺单元装置宕机，强碱性的溶液在基板上停留，会导致基板膜层被腐蚀报废。因此，现有的光刻工艺单元装置在出现宕机时，基板的报废率较高。
技术实现思路
本技术实施例提供一种光刻工艺单元装置和光刻系统，以降低光刻工艺单元装置在宕机时基板的报废率。为实现上述目的，本技术提供的技术方案如下：一种光刻工艺单元装置，其中，所述光刻工艺单元装置包括：至少两个联线作业的工艺腔室，至少一个所述工艺腔室包括基板支撑组件、第一喷淋组件和第二喷淋组件；所述第一喷淋组件和所述第二喷淋组件的喷淋方向均朝向所述基板支撑组件；工艺控制模块和宕机控制模块，所述工艺控制模块与所述第一喷淋组件电连接，所述宕机控制模块与所述第二喷淋组件电连接。从上述技术方案可以看出，本技术实施例通过设置光刻工艺单元装置包括第二喷淋组件，光刻工艺单元装置还包括宕机控制模块，宕机控制模块与第二喷淋组件电连接，从而可以在光刻工艺单元装置宕机时，控制第二喷淋组件开始喷淋，及时清洗基板上的残留液。因此，本技术实施例避免了残留液在基板上长时间停留，从而避免了残留液腐蚀基板膜层，可以有效保护基板膜层，减少了光刻工艺单元装置在宕机时基板的报废数量，降低了报废率。可选地，所述第二喷淋组件包括：第一喷头；与所述第一喷头连接的第一管路连接件和第一清洗管路；所述第一管路连接件与所述宕机控制模块电连接。第二喷淋组件这样设置结构简单，有利于降低成本。可选地，所述第一清洗管路为纯水管路，可以使得第二喷淋组件喷淋纯水。由于纯水不会腐蚀基板，因此，在光刻工艺单元装置宕机时，对基板喷淋纯水有利于提升清洗效果。可选地，所述第一管路连接件为电磁阀或电动阀。其中，电磁阀或电动阀不仅可以控制管路的打开和关闭，还可以控制管路内液体的流量和速度。宕机控制模块可以根据基板上残留液的厚度，控制第二喷淋组件喷淋液体的流量和强度。因此，本技术实施例设置第一管路连接件为电磁阀或电动阀，有利于进一步提升对基板的清洗效果。可选地，所述第一喷淋组件包括：第二喷头；与所述第二喷头连接的第二管路连接件和储液装置；所述第二管路连接件与所述工艺控制模块电连接。第一喷淋组件这样设置结构简单，有利于降低成本。以及，本技术实施例适用于将第二喷淋组件设置于喷淋强碱性溶液的工艺腔室内，可以在光刻工艺单元装置宕机时，及时清洗基板上的残留液。可选地，所述储液装置包括：箱体；与所述箱体连接的第三管路连接件和强碱性溶液输送管路；与所述箱体连接的第四管路连接件和排液管路；其中，所述第三管路连接件和所述第四管路连接件均与所述宕机控制模块电连接。本技术实施例通过在储液装置中设置第三管路连接件和第四管路连接件，第三管路连接件和第四管路连接件均与宕机控制模块电连接，实现了强碱性溶液的自动换液，进一步减少了宕机时间，延长了光刻工艺单元装置的运行时长。可选地，所述第一喷淋组件包括：第三喷头；与所述第三喷头连接的第五管路连接件和第二清洗管路；所述第五管路连接件与所述工艺控制模块电连接。第一喷淋组件这样设置结构简单，有利于降低成本。以及，本技术实施例适用于将第二喷淋组件设置于喷淋中性清洗液的工艺腔室内，可以在光刻工艺单元装置宕机时，将未清洗完成的基板继续进行清洗。可选地，所述第二清洗管路复用为所述第一清洗管路；所述第一喷头通过所述第一管路连接件与所述第二清洗管路连接。可选地，所述光刻工艺单元装置为显影单元或清洗单元。由于在显影单元和清洗单元中需要采用强碱性溶液对基板进行喷淋，在宕机时，基板的报废率较高，因此，设置光刻工艺单元装置为显影单元或清洗单元，可以降低宕机时基板的报废率。相应的，本技术实施例还提供了一种光刻系统，该光刻系统包括：如本技术任意实施例所述的光刻工艺单元装置；所述光刻工艺单元装置的数量为至少两个，且至少两个所述光刻工艺单元装置联线作业。本技术实施例避免了残留液在基板上长时间停留，从而避免了残留液腐蚀基板膜层，可以有效保护基板膜层，减少了光刻系统在宕机时基板的报废率。附图说明图1为本技术实施例提供的一种光刻工艺单元装置的结构示意图；图2为本技术实施例提供的一种光刻工艺单元装置的控制方法的流程图；图3为本技术实施例提供的另一种光刻工艺单元装置的结构示意图；图4为本技术实施例提供的又一种光刻工艺单元装置的结构示意图；图5为本技术实施例提供的另一种光刻工艺单元装置的控制方法的流程图；图6为本技术实施例提供的又一种光刻工艺单元装置的结构示意图；图7为本技术实施例提供的又一种光刻工艺单元装置的结构示意图；图8为本技术实施例提供的又一种光刻工艺单元装置的结构示意图；图9为本技术实施例提供的一种光刻系统的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。本技术实施例提供了一种光刻工艺单元装置。图1为本技术实施例提供的一种光刻工艺单元装置的结构示意图。该光刻工艺单元装置可适用于有机发光二极管显示面板(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)、液晶显示面板(LiquidCrystalDisplay，LCD)、微发光二极管显示面板(MicroLightEmittingDiode，MicroLED)或电泳显示面板(ElectrophoresisDisplay，EPD)等显示面板的基板的制作。参见图1，该光刻工艺单元装置包括至少两个联线作业的工艺腔室100(图1中示例性地示出了两个工艺腔室100)、工艺控制模块210和宕机控制模块220，至少一个工艺腔室100(例如，图1中右侧的工艺腔室100)包括基板支撑组件110、第一喷淋组件120和第二喷淋组件130。第一喷淋组件120和第二喷淋组件130的喷淋方向均朝向基板支撑组件110。工艺控制模块210与第一喷淋组件120电连接，宕机控制模块220与第二喷淋组件13本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻工艺单元装置，其特征在于，包括：/n至少两个联线作业的工艺腔室，至少一个所述工艺腔室包括基板支撑组件、第一喷淋组件和第二喷淋组件；所述第一喷淋组件和所述第二喷淋组件的喷淋方向均朝向所述基板支撑组件；/n工艺控制模块和宕机控制模块，所述工艺控制模块与所述第一喷淋组件电连接，所述宕机控制模块与所述第二喷淋组件电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种光刻工艺单元装置，其特征在于，包括：
至少两个联线作业的工艺腔室，至少一个所述工艺腔室包括基板支撑组件、第一喷淋组件和第二喷淋组件；所述第一喷淋组件和所述第二喷淋组件的喷淋方向均朝向所述基板支撑组件；
工艺控制模块和宕机控制模块，所述工艺控制模块与所述第一喷淋组件电连接，所述宕机控制模块与所述第二喷淋组件电连接。


2.根据权利要求1所述的光刻工艺单元装置，其特征在于，所述第二喷淋组件包括：
第一喷头；
与所述第一喷头连接的第一管路连接件和第一清洗管路；所述第一管路连接件与所述宕机控制模块电连接。


3.根据权利要求2所述的光刻工艺单元装置，其特征在于，所述第一清洗管路为纯水管路。


4.根据权利要求2所述的光刻工艺单元装置，其特征在于，所述第一管路连接件为电磁阀或电动阀。


5.根据权利要求2所述的光刻工艺单元装置，其特征在于，所述第一喷淋组件包括：
第二喷头；
与所述第二喷头连接的第二管路连接件和储液装置；所述第二管路连接件与所述工艺控制模块电连接。
<...

【专利技术属性】
技术研发人员：张卢建，魏少琦，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32