In the TFT substrate with the lower part and the upper part including the semiconductor film, the stable connection between the conductor at the lower part and the conductor at the upper part is realized. The substrate includes a first semiconductor film (6) as a TFT channel, a first conductor (M1) on the upper layer compared with the first semiconductor film, an interlayer insulating film (18) on the upper layer compared with the first conductor, a second semiconductor film (26) on the upper layer compared with the interlayer insulating film, a second conductor (J2) on the upper layer compared with the second semiconductor film, and an organic insulation on the upper layer compared with the second conductor The film (32), the third conducting body (M3) relying on the upper layer, the through hole (H32) passing through the organic insulating film and the through hole (h18) of the interlayer insulating film are compared with the organic insulating film, and the bottom surface reaches the contact hole (CH) of the first conducting body, the open surface of the through hole of the organic insulating film is larger than the open surface of the through hole of the interlayer insulating film, the second conducting body (J2) and the third conducting body (M3) are compared with the open surface of the contact hole The third conductor (M3) contacts the first conductor (M1) and the second conductor (J2).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】TFT基板、TFT基板的制造方法、显示装置
本专利技术关于一种含有TFT(薄膜晶体管)的基板。
技术介绍
专利文献1公开了一种TFT基板，该TFT基板在下层部和上层部分别包括TFT。现有技术文献专利文献专利文献1：日本国公开专利公报“2016-218452号公报(2016年12月22日公开)”
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题例如，在下层部和上层部分别包括TFT的TFT基板中，需要增加下层部和上层部之间的绝缘膜来抑制寄生电容，但是，这样，存在下层部的导电体和上层部的导电体难以稳定地连接的问题。用于解决技术问题的技术方案本专利技术一形态涉及的TFT基板构成为，在基板上包括作为TFT沟道的第一半导体膜、与所述第一半导体膜相比靠上层的第一导电体、与所述第一导电体相比靠上层的层间绝缘膜、与所述层间绝缘膜相比靠上层的第二半导体膜、与所述第二半导体膜相比靠上层的第二导电体、与所述第二导电体相比靠上层的有机绝缘膜、与所述有机绝缘膜相比靠上层的第三导电体、穿过所述有机绝缘膜的通孔以及所述层间绝缘膜的通孔，且底面到达所述第一导电体的接触孔，所述有机绝缘膜的通孔的开口表面大于所述层间绝缘膜的通孔的开口表面，所述第二导电体以及所述第三导电体以与所述接触孔的开口表面重叠的方式形成，所述第三导电体与所述第一导电体以及所述第二导电体接触。有益效果根据本专利技术的一形态，在下层部包括第一半导体膜，且上层部包括第二半导体膜的TFT基板中，即使在下层...
【技术保护点】
1.一种TFT基板，其特征在于，在基板上包括作为TFT沟道的第一半导体膜、与所述第一半导体膜相比靠上层的第一导电体、与所述第一导电体相比靠上层的层间绝缘膜、与所述层间绝缘膜相比靠上层的第二半导体膜、与所述第二半导体膜相比靠上层的第二导电体、与所述第二导电体相比靠上层的有机绝缘膜、与所述有机绝缘膜相比靠上层的第三导电体、穿过所述有机绝缘膜的通孔以及所述层间绝缘膜的通孔，且底面到达所述第一导电体的接触孔，/n所述有机绝缘膜的通孔的开口表面大于所述层间绝缘膜的通孔的开口表面，/n所述第二导电体以及所述第三导电体以与所述接触孔的开口表面重叠的方式形成，所述第三导电体与所述第一导电体以及所述第二导电体接触。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】20170329 JP 2017-0653551.一种TFT基板，其特征在于，在基板上包括作为TFT沟道的第一半导体膜、与所述第一半导体膜相比靠上层的第一导电体、与所述第一导电体相比靠上层的层间绝缘膜、与所述层间绝缘膜相比靠上层的第二半导体膜、与所述第二半导体膜相比靠上层的第二导电体、与所述第二导电体相比靠上层的有机绝缘膜、与所述有机绝缘膜相比靠上层的第三导电体、穿过所述有机绝缘膜的通孔以及所述层间绝缘膜的通孔，且底面到达所述第一导电体的接触孔，
所述有机绝缘膜的通孔的开口表面大于所述层间绝缘膜的通孔的开口表面，
所述第二导电体以及所述第三导电体以与所述接触孔的开口表面重叠的方式形成，所述第三导电体与所述第一导电体以及所述第二导电体接触。
2.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，
所述接触孔穿过所述第二半导体膜的通孔。
3.根据权利要求2所述的TFT基板，其特征在于，
所述第二半导体膜的通孔位于所述层间绝缘膜的通孔内。
4.根据权利要求3所述的TFT基板，其特征在于，
所述第二半导体膜的通孔的开口表面与所述接触孔的底面匹配。
5.根据权利要求2～4中任一项所述的TFT基板，其特征在于，
所述第二半导体膜为岛状，
在俯视图中，所述层间绝缘膜的通孔的开口表面位于所述第二半导体膜的外缘的内侧，并且所述第二半导体膜的通孔的开口表面位于所述层间绝缘膜的通孔的开口表面的内侧。
6.根据权利要求2～5中任一项所述的TFT基板，其特征在于，
所述第二半导体膜具有与所述接触孔的开口表面重叠的重叠部，所述重叠部与所述第三导电体接触。
7.根据权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，
所述重叠部为台阶形状。
8.根据权利要求6或7所述的TFT基板，其特征在于，
所述重叠部与所述第二导电体接触。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的TFT基板，其特征在于，
构成所述第二半导体膜的物质与构成所述第一半导体膜的物质不同。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的TFT基板，其特征在于，
所述第一导电体与所述TFT的导通电极形成在同层。
技术研发人员：冈部达，锦博彦，家根田刚士，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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