一种激光二极管电源结构制造技术

本发明专利技术公开了一种激光二极管电源结构，结构简单易实现，所述电流模式控制器用于产生高电流图腾柱输出，电流模式控制器的图腾柱输出驱动半桥驱动器来驱动高低侧MOS管达到调节激光二极管电流的目的，而电流模式控制器、半桥驱动器、MOS管易于采购，成本低；高侧MOS管与低侧MOS管交替导通，使储能电感侧形成幅值为Ui/2的交流电压，改变开关的占空比，就可以改变输出电压u的平均值，也就改变了输出电压Uo，其调节方便。

A laser diode power supply structure

The invention discloses a laser diode power supply structure, which is simple and easy to realize. The current mode controller is used to generate high current totem pole output, the totem pole output of the current mode controller drives the half bridge driver to drive the high and low side MOS tubes to adjust the laser diode current, while the current mode controller, the half bridge driver and the MOS tube are easy to purchase with low cost The high side MOS transistor and the low side MOS transistor are alternately connected, so that the energy storage inductor side forms the AC voltage with the amplitude of UI / 2. Changing the duty cycle of the switch can change the average value of the output voltage u, and also change the output voltage uo, which is convenient to adjust.

【技术实现步骤摘要】
一种激光二极管电源结构
本专利技术涉及一种激光二极管电源结构。
技术介绍
目前，大部分激光二极管都使用集成IC驱动，其成本较高、效率相对偏低，大电流输出的驱动IC价格异常昂贵，单IC价格就要过百，因此，如何克服上述存在的缺陷，已成为本领域技术人员亟待解决的重要课题。
技术实现思路
本专利技术克服了上述技术的不足，提供了一种激光二极管电源结构。为实现上述目的，本专利技术采用了下列技术方案：一种激光二极管电源结构，包括有电流模式控制器1、受所述电流模式控制器1控制的半桥驱动器2、以及依次连接在直流供电模块3的正极电压输出连接端与负极电压输出连接端之间并受所述半桥驱动器2驱动的受控高侧MOS管开关模块41和受控低侧MOS管开关模块42，所述受控低侧MOS管开关模块42的正极电压连接端与负极电压连接端之间依次连接有储能电感5和极性电容6，所述极性电容6上并联有用于向激光二极管供电的稳压输出模块7。如上所述的一种激光二极管电源结构，所述电流模式控制器1上分别连接有用于检测所述直流供电模块3是否欠压以便于电流模式控制器1进行欠压保护控制的供电电压检测模块81和用于检测所述稳压输出模块7是否过压以便于电流模式控制器1进行过压保护控制的输出电压检测模块82。如上所述的一种激光二极管电源结构，所述直流供电模块3的输出线路上或所述稳压输出模块7的输出线路上套设有检测输出电流大小的电流互感器模块9，所述电流互感器模块9通过第一PI调节器10与所述电流模式控制器1连接。如上所述的一种激光二极管电源结构，所述电流模式控制器1上还连接有第二PI调节器11，所述第二PI调节器11用于将外部输入的PWM控制信号转换成PI调节信号后输入到所述电流模式控制器1中。如上所述的一种激光二极管电源结构，所述受控高侧MOS管开关模块41包括有N-MOS管Q1，所述受控低侧MOS管开关模块42包括有N-MOS管Q2，所述N-MOS管Q1的G极与所述半桥驱动器2的HO驱动端连接，所述N-MOS管Q2的G极与所述半桥驱动器2的LO驱动端连接，所述直流供电模块3的正极电压输出连接端依次通过N-MOS管Q1、N-MOS管Q2连接至直流供电模块3的负极电压输出连接端。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本案结构简单易实现，所述电流模式控制器用于产生高电流图腾柱输出，电流模式控制器的图腾柱输出驱动半桥驱动器来驱动高低侧MOS管达到调节激光二极管电流的目的，而电流模式控制器、半桥驱动器、MOS管易于采购，成本低；高侧MOS管与低侧MOS管交替导通，使储能电感侧形成幅值为Ui/2的交流电压，改变开关的占空比，就可以改变输出电压u的平均值，也就改变了输出电压Uo，其调节方便。【附图说明】图1是本案的结构示图之一。图2是本案的结构示图之二。【具体实施方式】以下通过实施例对本专利技术特征及其它相关特征作进一步详细说明，以便于同行业技术人员的理解：如图1和图2所示，一种激光二极管电源结构，包括有电流模式控制器1、受所述电流模式控制器1控制的半桥驱动器2、以及依次连接在直流供电模块3的正极电压输出连接端与负极电压输出连接端之间并受所述半桥驱动器2驱动的受控高侧MOS管开关模块41和受控低侧MOS管开关模块42，所述受控低侧MOS管开关模块42的正极电压连接端与负极电压连接端之间依次连接有储能电感5和极性电容6，所述极性电容6上并联有用于向激光二极管供电的稳压输出模块7。如上所述，本案结构简单易实现，所述电流模式控制器1用于产生高电流图腾柱输出，电流模式控制器1的图腾柱输出驱动半桥驱动器2来驱动高低侧MOS管达到调节激光二极管电流的目的，而电流模式控制器、半桥驱动器、MOS管易于采购，成本低；高侧MOS管与低侧MOS管交替导通，使储能电感5侧形成幅值为Ui/2的交流电压，改变开关的占空比，就可以改变输出电压u的平均值，也就改变了输出电压Uo，其调节方便。如上所述，具体实施时，所述电流模式控制器1上分别连接有用于检测所述直流供电模块3是否欠压以便于电流模式控制器1进行欠压保护控制的供电电压检测模块81和用于检测所述稳压输出模块7是否过压以便于电流模式控制器1进行过压保护控制的输出电压检测模块82。如上所述，具体实施时，所述直流供电模块3的输出线路上或所述稳压输出模块7的输出线路上套设有检测输出电流大小的电流互感器模块9，所述电流互感器模块9通过第一PI调节器10与所述电流模式控制器1连接。如上所述，具体实施时，所述电流模式控制器1上还连接有第二PI调节器11，所述第二PI调节器11用于将外部输入的PWM控制信号转换成PI调节信号后输入到所述电流模式控制器1中。如上所述，具体实施时，所述受控高侧MOS管开关模块41包括有N-MOS管Q1，所述受控低侧MOS管开关模块42包括有N-MOS管Q2，所述N-MOS管Q1的G极与所述半桥驱动器2的HO驱动端连接，所述N-MOS管Q2的G极与所述半桥驱动器2的LO驱动端连接，所述直流供电模块3的正极电压输出连接端依次通过N-MOS管Q1、N-MOS管Q2连接至直流供电模块3的负极电压输出连接端。如上所述，本案保护的是一种激光二极管电源结构，一切与本案相同或相近的技术方案都应示为落入本案的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光二极管电源结构，其特征在于包括有电流模式控制器(1)、受所述电流模式控制器(1)控制的半桥驱动器(2)、以及依次连接在直流供电模块(3)的正极电压输出连接端与负极电压输出连接端之间并受所述半桥驱动器(2)驱动的受控高侧MOS管开关模块(41)和受控低侧MOS管开关模块(42)，所述受控低侧MOS管开关模块(42)的正极电压连接端与负极电压连接端之间依次连接有储能电感(5)和极性电容(6)，所述极性电容(6)上并联有用于向激光二极管供电的稳压输出模块(7)。/n

【技术特征摘要】
1.一种激光二极管电源结构，其特征在于包括有电流模式控制器(1)、受所述电流模式控制器(1)控制的半桥驱动器(2)、以及依次连接在直流供电模块(3)的正极电压输出连接端与负极电压输出连接端之间并受所述半桥驱动器(2)驱动的受控高侧MOS管开关模块(41)和受控低侧MOS管开关模块(42)，所述受控低侧MOS管开关模块(42)的正极电压连接端与负极电压连接端之间依次连接有储能电感(5)和极性电容(6)，所述极性电容(6)上并联有用于向激光二极管供电的稳压输出模块(7)。


2.根据权利要求1所述的一种激光二极管电源结构，其特征在于所述电流模式控制器(1)上分别连接有用于检测所述直流供电模块(3)是否欠压以便于电流模式控制器(1)进行欠压保护控制的供电电压检测模块(81)和用于检测所述稳压输出模块(7)是否过压以便于电流模式控制器(1)进行过压保护控制的输出电压检测模块(82)。


3.根据权利要求1所述的一种激光二极管电源结构，其特征在于所述直流供电模块(...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑旭东，邱盛平，邹艳华，王强，苏能斌，孔祥锐，肖阳阳，
申请(专利权)人：中山联合光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44