光电转换元件的制造方法技术

本发明专利技术提供以简便的方法制造具有较高的光电转换效率的光电转换元件的方法。光电转换元件1的制造方法包含如下工序：形成工序，使空穴传输材料附着于光吸收层6及导电层8中的一者上，形成含有空穴传输材料的空穴传输层7；熔融工序，将空穴传输层7加热至空穴传输材料的熔点以上且为120℃以上、170℃以下的温度，使空穴传输层7熔融；以及粘接工序，一面使光吸收层6及导电层8中的另一者压接于熔融的空穴传输层7上，一面进行冷却，由此经由空穴传输层7而将光吸收层6与导电层8粘接。光吸收层6含有通式(1)所表示的化合物。于通式(1)中，A为有机分子，B为金属原子，X为卤素原子。[化1]ABX

Manufacturing method of photoelectric conversion element

The invention provides a method for manufacturing a photoelectric conversion element with high photoelectric conversion efficiency by a simple method. The manufacturing method of the photoelectric conversion element 1 includes the following processes: forming process, making the hole transmission material adhere to one of the light absorption layer 6 and the conductive layer 8, forming the hole transmission layer 7 containing the hole transmission material; melting process, heating the hole transmission layer 7 to a temperature above the melting point of the hole transmission material and above 120 \u2103 and below 170 \u2103, making the hole transmission layer 7 melt; and In the bonding process, on the one hand, the other of the light absorption layer 6 and the conductive layer 8 is pressed on the molten hole transport layer 7, and on the other hand, the cooling is carried out, so that the light absorption layer 6 and the conductive layer 8 are bonded via the hole transport layer 7. The light absorbing layer 6 contains a compound represented by the general formula (1). In general formula (1), a is an organic molecule, B is a metal atom and X is a halogen atom. [chemical 1]ABX

【技术实现步骤摘要】
光电转换元件的制造方法
本专利技术涉及光电转换元件的制造方法。
技术介绍
光电转换元件例如于光传感器、复印机、及太阳能电池中使用。尤其是正在研究作为可再生能源而利用于太阳能电池中。作为太阳能电池，例如硅系太阳能电池、CIGS系太阳能电池、及CdTe系太阳能电池这样的无机系太阳能电池正得到普及。而且，还在研究使用有机-无机混合材料作为光电转换材料的太阳能电池。作为用以在此种太阳能电池中利用的光电转换元件的制造方法，已知有蒸镀处理及密封处理。在专利文献1中揭示了通过蒸镀处理来制造光电转换元件的方法。详细而言，在专利文献1的实施例中揭示了通过蒸镀法将金蒸镀于空穴传输层上而制造第二电极的方法。在专利文献2中揭示了通过密封处理来制造光电转换元件的方法。详细而言，在专利文献2的实施例中揭示了：将光电转换层与正极配置为对置，以包围光电转换层的方式形成密封部；及将熔融状态的空穴传输层材料经由注入口而注入到密封部的内侧。现有技术文献专利文献[专利文献1]日本专利特开2016-27587号公报r>[专利文献2]日本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电转换元件的制造方法，其特征在于，包含如下工序：/n形成工序，使空穴传输材料附着于光吸收层及导电层中的一者上，形成含有所述空穴传输材料的空穴传输层；/n熔融工序，将所述空穴传输层加热至所述空穴传输材料的熔点以上且为120℃以上、170℃以下的温度，使所述空穴传输层熔融；以及/n粘接工序，一面使所述光吸收层及所述导电层中的另一者压接于熔融的所述空穴传输层上，一面进行冷却，由此经由所述空穴传输层而将所述光吸收层与所述导电层粘接；且/n所述光吸收层含有通式(1)所表示的化合物，/nABX

【技术特征摘要】
20180509 JP 2018-0906711.一种光电转换元件的制造方法，其特征在于，包含如下工序：
形成工序，使空穴传输材料附着于光吸收层及导电层中的一者上，形成含有所述空穴传输材料的空穴传输层；
熔融工序，将所述空穴传输层加热至所述空穴传输材料的熔点以上且为120℃以上、170℃以下的温度，使所述空穴传输层熔融；以及
粘接工序，一面使所述光吸收层及所述导电层中的另一者压接于熔融的所述空穴传输层上，一面进行冷却，由此经由所述空穴传输层而将所述光吸收层与所述导电层粘接；且
所述光吸收层含有通式(1)所表示的化合物，
ABX3(1)
于所述通式(1)中，A为有机分子，B为金属原子，X为卤素原子。


2.根据权利要求1所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于，
在压接所述光吸收层及所述导电层中的另一者之前，将所述光吸收层及所述导电层中的另一者加热至所述空穴传输材料的熔点以上且为120℃以上、170℃以下的温度。


3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于，
于所述通式(1)中，A为烷基胺或烷基铵，B为铅原子，X为氟原子、氯原子、溴原子、或碘原子。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于，
所述通式(1)所表示的化合物具有钙钛矿晶体结构。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于，
所述空穴传输材料含有具有单丁二烯结构的化合物、或具有双丁二烯结构的化合物。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的光电转...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉村博，宫西晋太郎，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP