一种平面型柔性阻变存储器及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种平面型柔性阻变存储器及制备方法，其制备采用聚酰亚胺表面生长金属银以及喷墨打印的工艺在器件衬底上生长出活性金属银，并采用激光刻蚀技术对金属银表面进行激光雕刻，得到一条沟槽，变成银‑空气‑银平面结构，利用银离子在电压下的迁移产生忆阻效应的特点，制得具有明显的忆阻功能的平面型柔性阻变存储器。本发明专利技术与现有技术相比具有更大的开关比、重复性更好、制备工艺简单、柔性和平面型技术使应用场景更宽阔。并且由于原材料易得、生产成本较低，可广泛用于可穿戴电子器件领域。

A planar flexible resistive memory and its preparation

The invention discloses a plane type flexible resistance variable memory and a preparation method. The preparation adopts the polyimide surface growth metal silver and the ink-jet printing process to grow the active metal silver on the device substrate. The laser etching technology is used to carve the metal silver surface, and a groove is obtained, which turns into the silver \u2011 air \u2011 silver plane structure, and uses the silver ion under the voltage Due to the memory resistance effect of migration, a planar flexible memory with memory resistance function is made. Compared with the prior art, the invention has larger switch ratio, better repeatability, simple preparation process, flexible and flat technology, which makes the application scene wider. Because the raw materials are easy to obtain and the production cost is low, it can be widely used in the field of wearable electronic devices.

【技术实现步骤摘要】
一种平面型柔性阻变存储器及制备方法
本专利技术涉及可穿戴以及人工智能领域，尤其是一种银-空气-银结构的平面型柔性阻变存储器及制备方法。
技术介绍
随着可穿戴智能设备的快速发展和柔性电子器件的广泛应用，且信息时代对数据处理、数据存储、射频通讯等需求越来越高，新型存储器件逐渐向微小型化、延展柔性化、便携可穿戴趋势发展。随着柔性基质材料的发展，柔性存储器在柔性集成电路、柔性显示、生物医学设备等领域展现出广阔的应用前景。传统的硅基MOS工艺不能满足柔性的需求，同时，传统的基于电荷俘获的浮栅型闪存存储器受限于电荷隧穿等原因，尺寸已经逼近物理极限，在操作电压、功耗、集成工艺、可靠性、电路设计等方面面临着物理和技术上的瓶颈，难以满足大数据存储的需求，这极大限制了存储器件的发展和应用。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的不足而提供的一种平面型柔性阻变存储器及制备方法，其制备方法可在室温下制备、工艺简单、制备效率高和成品质量高，在弯曲的情况下仍能保持良好的读写性能。实现本专利技术目的的具体技术方案是：<br>一种平面型柔性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平面型柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：/n步骤1：剪取所需尺寸、表面光滑的聚酰亚胺薄膜并用无水乙醇对其表面进行清洗；/n步骤2：将清洗后的聚酰亚胺薄膜平整摊开，室温环境下浸泡于浓度为4mol/L的氢氧化钾溶液中3h，聚酰亚胺薄膜表面发生水解开环；然后用镊子取出并用去离子水冲洗，烘干待用；/n步骤3：进行聚酰亚胺薄膜表面的离子交换/n采用以下任意一种方式对聚酰亚胺表面进行离子交换；/n第一种：将氨水逐滴加入0.02mol/L的硝酸银溶液中并搅拌，直至观察到溶液由红色浑浊变澄清，得到银氨溶液；将烘干待用的聚酰亚胺薄膜浸泡在配置好的银氨溶液中20min，使聚酰亚...

【技术特征摘要】
1.一种平面型柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于，该方法包括以下具体步骤：
步骤1：剪取所需尺寸、表面光滑的聚酰亚胺薄膜并用无水乙醇对其表面进行清洗；
步骤2：将清洗后的聚酰亚胺薄膜平整摊开，室温环境下浸泡于浓度为4mol/L的氢氧化钾溶液中3h，聚酰亚胺薄膜表面发生水解开环；然后用镊子取出并用去离子水冲洗，烘干待用；
步骤3：进行聚酰亚胺薄膜表面的离子交换
采用以下任意一种方式对聚酰亚胺表面进行离子交换；
第一种：将氨水逐滴加入0.02mol/L的硝酸银溶液中并搅拌，直至观察到溶液由红色浑浊变澄清，得到银氨溶液；将烘干待用的聚酰亚胺薄膜浸泡在配置好的银氨溶液中20min，使聚酰亚胺薄膜表面悬挂键上的钾离子和溶液中的银离子发生离子交换；用镊子取出并用去离子水冲洗，烘干待用；
第二种：将烘干待用的聚酰亚胺薄膜浸泡在0.02mol/L的硝酸银溶液中20min，使聚酰亚胺薄膜表面悬挂键上的钾离子和溶液中的银离子发生离子交换；用镊子取出并用去离子水冲洗，烘干待用；
步骤4：聚酰亚胺薄膜表面的图形化
在图形化过程中，先使用喷墨打印法在进行离子交换后的聚酰亚...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴幸，骆泽玮，王茜，顾俊杰，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：上海;31