The invention discloses a degradable resistance variable memory and a preparation method thereof, including: a substrate; a bottom electrode arranged on the substrate; a resistance variable active layer arranged on the bottom electrode; a top electrode arranged on the resistance variable active layer; wherein, the resistance variable active layer is composed of a polymer and nano particles. By using biodegradable polymer composite material as resistant active layer and biodegradable magnesium or zinc as electrode, the invention can prepare flexible all biodegradable resistant memory, which has the effect of low production cost and easy to mass production, and provides guidance for the development of the next generation of green and high-performance memory.
【技术实现步骤摘要】
一种可降解阻变存储器及其制备方法
本专利技术涉及电子元器件
，尤其涉及的是一种可降解阻变存储器及其制备方法。
技术介绍
存储器是一类具有记忆功能的电子元器件，在半导体领域受到广泛的应用。随着大数据和物联网的飞速发展，人们对信息存储器件的要求将越来越高，包括小型化、高存储容量、快读写速度、低功耗和高可靠性等。伴随巨大的存储器的生产和消耗，是大量生物不相容的、难于降解的电子垃圾。因此，为保护人类赖以生存和发展的自然环境和资源，促进存储器产业的可持续发展，开发具有生物降解性能的阻变存储器具有显著的实际意义。目前，可降解阻变活性层的研究是当前的一大热点。阻变层的选材主要基于各类生物基材料展开，包括蛋白、多糖、DNA、RNA乃至病毒等，相对于生物基材料成本高、不易于连续化生产等限制。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种可降解阻变存储器及其制备方法，以达到降低生产成本、大规模生产的目的。本专利技术的技术方案如下：一...
【技术保护点】
1.一种可降解阻变存储器，其特征在于，包括：/n基底；/n底电极，设置在所述基底上；/n阻变活性层，设置在所述底电极上；/n顶电极，设置在所述阻变活性层上；/n其中，所述阻变活性层由聚合物和纳米颗粒构成。/n
【技术特征摘要】
1.一种可降解阻变存储器，其特征在于，包括：
基底；
底电极，设置在所述基底上；
阻变活性层，设置在所述底电极上；
顶电极，设置在所述阻变活性层上；
其中，所述阻变活性层由聚合物和纳米颗粒构成。
2.根据权利要求1所述的可降解阻变存储器，其特征在于，所述聚合物为聚乳酸，所述纳米颗粒为氧化镁纳米颗粒。
3.根据权利要求1所述的可降解阻变存储器，其特征在于，所述基底由聚乳酸构成。
4.根据权利要求1所述的可降解阻变存储器，其特征在于，所述底电极和所述顶电极由镁或锌构成。
5.根据权利要求1或4所述的可降解阻变存储器，其特征在于，所述底电极和所述顶电极的厚度分别为20-300nm。
6.一种制备权利要求1至5任一项所述的可降解阻变存储器的方法，其特征在于，包括步骤：
S10、制备基底；
S20、将底电极通过掩模版蒸镀于基底上；
S30、在底电极上制备阻变活性层，所述阻变活性层由聚合物和纳米颗粒构成；
S40、将顶电极通过掩膜版蒸镀于阻变活性层上。
7.根据权利要求6所述的可降解阻变存储器的方法，其特征在于，所述步骤S30中，所述聚合物为聚乳酸，所述纳米颗粒为氧化镁纳米颗粒，所述步骤S30的制备方法具体包括：<...
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