The invention relates to a photo detector based on photo thermoelectric effect. The detector comprises a substrate, a thermoelectric material layer and an electrode. The thermoelectric material layer and the electrode are arranged on the substrate, two ends of the thermoelectric material layer are connected with the electrodes, a phase change material layer is arranged on either end of the thermoelectric material layer, and a microstructure layer is also arranged on the phase change material layer. The microstructure layer is used to absorb light and convert it into heat. The heat is transferred to the thermoelectric material layer through the phase change material layer. Because the thermal conductivity energy or light absorption performance of the phase-change material layer depends heavily on the temperature, the electric potential difference measured at both ends of the thermoelectric material layer depends more heavily on the light absorbed by the microstructure layer. The sensitivity of light detection is improved by this kind of cascade amplification.
【技术实现步骤摘要】
一种基于光热电效应的光探测器
本专利技术涉及光探测领域，具体涉及一种基于光热电效应的光探测器。
技术介绍
热电效应是指当半导体处于不同的温度时，半导体中的载流子随着温度梯度由高温区向低温区移动，从而产生电荷积累和电势差。物质吸收光后，将能量转化为热；可以再通过热电材料将热信号转化为电信号，实现光探测。但是传统检测方法灵敏度低。
技术实现思路
为解决以上问题，本专利技术提供了一种基于光热电效应的光探测器，该探测器包括基底、热电材料层、电极，热电材料层和电极设置在基底上，热电材料层的两端连接电极，在热电材料层的任一端的上面设置有相变材料层，相变材料层上还设置微结构层。更进一步地，热电材料层的材料为Bi2Te3或SbTe3。更进一步地，相变材料层的材料为温度变化导致热传导系数变化的材料。更进一步地，相变材料层的材料为温度变化导致吸收光性能变化的材料。更进一步地，相变材料层的材料为二氧化钒。更进一步地，微结构层由贵金属纳米颗粒构成。更进一步地，微结构层为带有孔洞的贵...
【技术保护点】
1.一种基于光热电效应的光探测器，包括基底、热电材料层、电极，热电材料层和电极设置在基底上，热电材料层的两端连接电极，其特征在于：在热电材料层的任一端的上面设置有相变材料层，相变材料层上还设置微结构层。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于光热电效应的光探测器，包括基底、热电材料层、电极，热电材料层和电极设置在基底上，热电材料层的两端连接电极，其特征在于：在热电材料层的任一端的上面设置有相变材料层，相变材料层上还设置微结构层。
2.如权利要求1所述的基于光热电效应的光探测器，其特征在于：所述热电材料层的材料为Bi2Te3或SbTe3。
3.如权利要求2所述的基于光热电效应的光探测器，其特征在于：所述相变材料层的材料为温度变化导致热传导系数变化的材料。
4.如权利要求2所述的基于光热电效应的光探测器，其特征在于：所述相变材料层的材料为温度变化导致吸收光性能变化的材料。
5.如权利要求2所述的基于光热电效应的...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：金华伏安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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