半导体封装及其制造方法技术

一种半导体封装包含半导体裸片、多个导电凸块、屏蔽层、封装体及重布层。所述半导体裸片具有有源表面、背侧表面及侧表面。所述导电凸块安置在所述半导体裸片的所述有源表面上。所述屏蔽层安置在所述半导体裸片的所述侧表面上。所述封装体覆盖所述屏蔽层，且具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述重布层安置在所述封装体的所述第一表面上且通过所述导电凸块电连接到所述半导体裸片。所述屏蔽层电连接到所述重布层。

Semiconductor package and its manufacturing method

A semiconductor package includes a semiconductor bare chip, a plurality of conductive bumps, a shielding layer, a package body and a rewiring layer. The semiconductor bare sheet has an active surface, a back side surface and a side surface. The conductive bump is arranged on the active surface of the semiconductor bare sheet. The shielding layer is arranged on the side surface of the semiconductor bare sheet. The package covers the shielding layer and has a first surface and a second surface opposite to the first surface. The heavy cloth layer is arranged on the first surface of the package body and electrically connected to the semiconductor bare sheet through the conductive bump. The shielding layer is electrically connected to the redistribution layer.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装及其制造方法
本公开涉及一种半导体封装(semiconductorpackage)及制造方法，且涉及一种半导体封装，其包含安置在半导体裸片(semiconductordie)的侧表面上的屏蔽层(shieldinglayer)，以及用于制造所述半导体封装的方法。
技术介绍
半导体封装的封装级屏蔽工艺(packagelevelshieldingprocess)包含：将半导体裸片安置在衬底(substrate)上；在衬底上形成封装体(encapsulant)以覆盖半导体裸片；形成沟槽(trench)穿过封装体以暴露衬底的重布层(redistributionlayer,RDL)的一部分；以及接着形成屏蔽层覆盖封装体且连接重布层的一部分以用于接地(grounding)目的。在前述工艺中，必须精确控制沟槽的深度以暴露衬底的重布层。此外，由于屏蔽层覆盖整个封装体，因此此工艺的生产效率(productionrate)较低。
技术实现思路
在一些实施例中，一种半导体封装包含半导体裸片、多个导电凸块(conductivebump)、屏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装，其包括：/n半导体裸片，具有有源表面、背侧表面及侧表面；/n多个导电凸块，安置在所述半导体裸片的所述有源表面上；/n屏蔽层，安置在所述半导体裸片的所述侧表面上；/n封装体，覆盖所述屏蔽层，且具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及/n重布层，安置在所述封装体的所述第一表面上，且通过所述导电凸块电连接到所述半导体裸片，其中所述屏蔽层电连接到所述重布层。/n

【技术特征摘要】
20180511 US 15/978,0701.一种半导体封装，其包括：
半导体裸片，具有有源表面、背侧表面及侧表面；
多个导电凸块，安置在所述半导体裸片的所述有源表面上；
屏蔽层，安置在所述半导体裸片的所述侧表面上；
封装体，覆盖所述屏蔽层，且具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及
重布层，安置在所述封装体的所述第一表面上，且通过所述导电凸块电连接到所述半导体裸片，其中所述屏蔽层电连接到所述重布层。


2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述屏蔽层的端部与所述导电凸块中的每一个的端部共面。


3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述屏蔽层的端部与所述重布层接触。


4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述封装体覆盖所述导电凸块。


5.根据权利要求1所述的半导体封装，其进一步包括保护层，所述保护层覆盖所述导电凸块。


6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中所述屏蔽层的端部与所述保护层的表面共面。


7.根据权利要求5所述的半导体封装，其中所述屏蔽层覆盖所述保护层的侧表面。


8.根据权利要求1所述的半导体封装，其进一步包括金属层，所述金属层安置在所述封装体的所述第二表面上。


9.根据权利要求8所述的半导体封装，其进一步包括支撑层，所述支撑层安置在所述金属层上。


10.根据权利要求9所述的半导体封装，其进一步包括第一粘着层，所述第一粘着层安置在所述半导体裸片的所述背侧表面上。


11.根据权利要求10所述的半导体封装，其中所述屏蔽层覆盖所述第一粘着层的侧表面。


12.根据权利要求1所述的半导体封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：方绪南，庄淳钧，叶勇谊，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;TW