一种PMOS管驱动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种PMOS管驱动电路，包括PMOS管Q2，第一开关，稳压电路，二极管D1和电阻R4；PMOS管Q2的源极连接电源，PMOS管Q2的栅极连接第一开关，第一开关连接第二开关，稳压电路的第一端连接第一开关和第二开关，稳压电路的第二端连接电源；二极管D1的正极连接PMOS管Q2的栅极，二极管D1的负极连接第一开关、并经电阻R4连接电源。实施本实用新型专利技术能够实现PMOS管的快速开关，成本低。

A driving circuit of PMOS

The utility model relates to a PMOS tube driving circuit, which comprises a PMOS tube Q2, a first switch, a voltage stabilizing circuit, a diode D1 and a resistor R4; the source of the PMOS tube Q2 is connected with a power supply, the gate of the PMOS tube Q2 is connected with a first switch, the first switch is connected with a second switch, the first end of the voltage stabilizing circuit is connected with a first switch and a second switch, the second end of the voltage stabilizing circuit is connected with a power supply; the positive pole of the diode D1 is connected with a power supply Connect the gate of PMOS tube Q2, the negative pole of diode D1 is connected with the first switch, and the power supply is connected through resistance R4. The utility model can realize the fast switch of PMOS tube with low cost.

【技术实现步骤摘要】
一种PMOS管驱动电路
本技术涉及开关电源
，更具体地说，涉及一种PMOS管驱动电路。
技术介绍
随着电子市场的迅速发展，对开关电源的需求越来越大，同时对开关电源性能的要求也越来越高。在高频化进程中由于功率MOS晶体管具有短沟道、高阻漂移区和垂直导电等特点，大幅度提高了其耐压和载流能力，因此，在开关变换领域得到广泛应用。通常，驱动电路是主电路与控制电路之间的接口，驱动电路主要用以改善器件的静态特性和动态特性，驱动电路应保证功率器件完全导通与可靠关断以减小器件的开通与关断损耗，作为功率开关希望缩短开关时间，减小功率损耗。由于功率MOS开关管是一种多数载流子导电的单极型电压控制器件，具有开关速度快、高频性能好、输入阻抗高、驱动功率小和无二次击穿问题等显著优点，因此，功率MOS晶体管作为开关器件更具有优势。而如何实现PMOS管快速开关已经成为了冲动开关电源电路的迫切需求，在现有的各种软件或硬件的技术方法实现对PMOS管的快速开关中，其成本控制成为另外一个重要考量
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述现有技术缺陷，提供一种PMOS管驱动电路。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种PMOS管驱动电路，包括：PMOS管Q2，第一开关，稳压电路，二极管D1和电阻R4；所述PMOS管Q2的源极连接电源，所述PMOS管Q2的栅极连接所述第一开关，所述第一开关连接用于提供开关信号的第二开关，所述稳压电路的第一端连接所述第一开关和所述第二开关，所述稳压电路的第二端连接所述电源；所述二极管D1的正极连接所述PMOS管Q2的栅极，所述二极管D1的负极连接所述第一开关、并经所述电阻R4连接所述电源。优选地，所述第一开关包括三极管Q3，所述稳压电路连接所述三极管Q3的集电极与所述三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极连接所述电源，所述三极管Q3的集电极同时经所述电阻R4连接所述三极管Q3的基极，所述三极管Q3的基极连接所述第二开关。优选地，所述第二开关包括NMOS管Q1、电阻R1、电阻R2和电阻R3；所述NMOS管Q1的栅极经所述电阻R1连接驱动信号输入、并经所述电阻R2接地，所述NMOS管Q1的源极接地，所述NMOS管Q2的漏极经所述电阻R3连接所述三极管Q3的基极。优选地，所述稳压电路包括稳压二极管Z1，所述稳压二极管Z1的阳极连接所述三极管Q3的基极，所述稳压二极管Z1的阴极连接所述三极管Q3的集电极。优选地，所述稳压二极管Z1为15V稳压二极管。优选地，所述三极管Q3为NPN型三极管。优选地，所述三极管Q3的型号为2N5551。优选地，所述二极管D1的型号为1N4148。优选地，所述NMOS管Q1的型号为2N7002。实施本技术的一种PMOS管驱动电路，具有以下有益效果：能够实现PMOS管的快速开关，成本低。附图说明下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，附图中：图1是本技术一种PMOS管驱动电路第一实施例的电路原理图。具体实施方式为了对本技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本技术的具体实施方式。如图1所示，在本技术的一种PMOS管驱动电路的第一实施例中，包括：PMOS管Q2，第一开关130，稳压电路，二极管D1和电阻R4；PMOS管Q2的源极连接电源，PMOS管Q2的栅极连接第一开关130，第一开关130连接第二开关120，稳压电路的第一端连接第一开关130和用于提供开关信号的第二开关120，稳压电路的第二端连接电源；二极管D1的正极连接PMOS管Q2的栅极，二极管D1的负极连接第一开关130、并经电阻R4连接电源。具体的，第一开关130电路没有开关信号输入时，当接入电源Vbus时，电源电流通过电阻R4后驱动第一开关130，使第一开关130导通，电流通过第一开关130后，对PMOS管Q2栅极和源极之间的结电容Cgs充电，待PMOS管Q2的结电容Cgs充满后，PMOS管Q2的栅极和源极之间的电压Vgs为零，PMOS管Q2保持在关闭状态。当第二开关120有开关信号输出时，即第一开关130接收到开关信号时，电源经电阻R4与第二开关120形成回路，稳压电路110使电阻R4获得分压，其分压值与PMOS管栅极与源极之间的驱动电压Vgs对应，分压值的设置是为了获得一个比较稳定合适的Vgs电压，根据第一开关130两端的工作电压设置分压值，导通回路形成后，PMOS管Q2的栅极和源极之间的结电容Cgs通过二极管D1和第二开关120的接地迅速放电，此时由于第一开关130的电路压降，使得PMOS管Q2的栅极和源极之间的电压Vgs存在一个值，此时PMOS管Q2可以正常导通。当第二开关120关断，输出的开关信号关闭时，电阻R4和第二开关120形成的电路回路被截止，电源电流通过电阻R4后驱动第一开关130，电流通过第一开关130后，使PMOS管Q2的栅极和源极之间的结电容Cgs充电，待Cgs电容充满后，PMOS管Q2栅极和源极之间的电压Vgs为零，PMOS管Q2保持在关闭状态。可选的，第一开关130包括三极管Q3，稳压电路连接三极管Q3的集电极与三极管Q3的基极，三极管Q3的集电极连接电源，三极管Q3的集电极同时经电阻R4连接三极管Q3的基极，三极管Q3的基极连接第二开关120。具体的，在第一开关130为三极管Q3时，在没有第二开关120输出开关信号的情况下，当接入电源Vbus时，电源电流通过电阻R4后驱动三极管Q3，使三极管Q3导通，电流通过三极管Q3后，对PMOS管Q2栅极和源极之间的结电容Cgs充电，待PMOS管Q2的结电容Cgs充满后，PMOS管Q2的栅极和源极之间的电压Vgs为零，PMOS管Q2保持在关闭状态。在第二开关120输出开关信号时，电源经电阻R4和第二开关120形成电路回路，稳压电路110使电阻R4获得分压，其分压值与PMOS管栅极与源极之间的驱动电压Vgs对应用，分压值的设置是为了获得一个比较稳定合适的Vgs电压，Vgs＝R4分压值+Q3的基极与发射极之间的电压Vbe，一般PMOS管Vgs电压是在10～20V之间，此分压值可以设置不超过15V，以15V为例，导通回路形成后，PMOS管Q2的栅极和源极之间的结电容Cgs通过二极管D1和电阻R3迅速放电，由于三极管Q3的基极和发射极之间的压降Vbe约为0.6V，使得三极管Q3的集电极和发射极之间的电压Vce约为15.6V，其PMOS管Q2的栅极和源极之间的电压Vgs大约为15.6V，此时PMOS管Q2可以正常导通。当关闭外部开关信号时，电阻R4和第二开关120形成的电路回路被截止，电源电流通过电阻R4后驱动三极管Q3，使三极管Q3导通，电流通过三极管Q3的集电极和发射极后，使PMOS管Q2的栅极和源极之间的结电容Cgs充电，待Cgs电容充满后，PMOS管Q2栅极和源极之间的电压Vgs为零，PMOS管Q2保持在关闭状态。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PMOS管驱动电路，其特征在于，包括：PMOS管Q2，第一开关，稳压电路，二极管D1和电阻R4；/n所述PMOS管Q2的源极连接电源，所述PMOS管Q2的栅极连接所述第一开关，所述第一开关连接用于提供开关信号的第二开关，所述稳压电路的第一端连接所述第一开关和所述第二开关，所述稳压电路的第二端连接所述电源；/n所述二极管D1的正极连接所述PMOS管Q2的栅极，所述二极管D1的负极连接所述第一开关、并经所述电阻R4连接所述电源。/n

【技术特征摘要】
1.一种PMOS管驱动电路，其特征在于，包括：PMOS管Q2，第一开关，稳压电路，二极管D1和电阻R4；
所述PMOS管Q2的源极连接电源，所述PMOS管Q2的栅极连接所述第一开关，所述第一开关连接用于提供开关信号的第二开关，所述稳压电路的第一端连接所述第一开关和所述第二开关，所述稳压电路的第二端连接所述电源；
所述二极管D1的正极连接所述PMOS管Q2的栅极，所述二极管D1的负极连接所述第一开关、并经所述电阻R4连接所述电源。


2.根据权利要求1所述的PMOS管驱动电路，其特征在于，所述第一开关包括三极管Q3，所述稳压电路连接所述三极管Q3的集电极与所述三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极连接所述电源，所述三极管Q3的集电极同时经所述电阻R4连接所述三极管Q3的基极，所述三极管Q3的基极连接所述第二开关。


3.根据权利要求2所述的PMOS管驱动电路，其特征在于，所述第二开关包括NMOS管Q1、电阻R1、电阻R2和电阻R3；所述NMOS管Q1的栅极经所述电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：惠州拓邦电气技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44