晶体振动片及晶体振动器件制造技术

本发明专利技术涉及晶体振动片及晶体振动器件。晶体振动片(2)中，保持部(24)只从位于振动部(22)的+X方向及‑Z′方向的一个角部朝着‑Z′方向延伸到外框部(23)。另外，振动部(22)和保持部(24)的至少一部分为比外框部(23)厚度薄的蚀刻区域(Eg)，在蚀刻区域(Eg)的边界上形成有台阶，第一引出布线(223)被构成为，与该台阶重叠地从保持部(24)延伸到外框部(23)。与第一引出布线(223)重叠的部分的台阶的至少一部分被形成为俯视时不与X轴平行。

Crystal vibrators and crystal vibrators

The invention relates to a crystal vibrating sheet and a crystal vibrating device. In the crystal vibrating plate (2), the retaining part (24) extends to the outer frame part (23) only from a corner in the + X direction and the \u2011 Z \u2032 direction of the vibrating part (22). In addition, at least one part of the vibration part (22) and the retaining part (24) is an etching area (eg) thinner than the outer frame part (23), and a step is formed on the boundary of the etching area (eg), and the first lead out wiring (223) is configured to extend from the retaining part (24) to the outer frame part (23) overlapped with the step. At least a part of the step of the part overlapped with the first outgoing wiring (223) is not parallel to the x-axis when formed as a top view.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶体振动片及晶体振动器件
本专利技术涉及一种用AT切型的石英晶体片一体地构成有形成有激励电极的振动部、配置在振动部周围的外框部、及将振动部与外框部连接并保持的保持部的晶体振动片、及具备该晶体振动片的晶体振动器件。
技术介绍
近年，各种电子设备朝着工作频率高频化、封装体小型化(特别是低矮化)方向发展。因此，随着高频化、封装体小型化，要求晶体振动器件(例如晶体谐振器、晶体振荡器等)也能应对高频化及封装体小型化。作为适合于小型化及低矮化的晶体振动器件，已知有被称为三明治结构的晶体振动器件。三明治结构的晶体振动器件的壳体由近似长方体的封装体构成。该封装体包括例如由玻璃或石英晶体构成的第一密封构件及第二密封构件、和在两个主面上形成有激励电极的晶体振动片，第一密封构件与第二密封构件隔着晶体振动片层叠接合。并且，配置在封装体内部(内部空间)的晶体振动片的振动部被第一密封构件和第二密封构件气密密封。三明治结构的晶体振动器件中使用的晶体振动片是在石英晶体片中一体地构成有形成有激励电极的振动部、配置在振动部周围的外框部、及将振动部与外框部连接并保持的保持部的晶体振动片。该晶体振动片中，使用最为广泛的是加工容易且频率温度特性优异的AT切型石英晶体片。振动部、外框部及保持部形成为一体的晶体振动片中，会出现振动部产生的压电振动容易经由保持部而泄漏到外框部这样的振动泄漏问题。对此，专利文献1中公开了一种能抑制这样的振动泄漏的晶体振动片。具体而言，专利文献1中公开了一种将保持部形成为从振动部向AT切的Z′轴方向突出的结构。在此，将人工石英晶体的晶轴作为X轴、Y轴、Z轴，将绕X轴旋转35°15′后的AT切型石英晶体的Y轴及Z轴分别作为Y′轴及Z′轴。AT切型晶体振动片中，已知在振动部中，沿着X轴方向的压电振动的位移大于沿着Z′轴方向的压电振动的位移。专利文献1的结构中，保持部沿着压电振动的位移较小的Z′轴方向保持振动部。因此，使晶体振动片进行压电振动的情况下，该压电振动不容易经由保持部而泄漏，从而能使振动部高效地进行压电振动。然而，上述专利文献1中公开的晶体振动片虽然具有适于抑制振动部的振动泄漏的结构，但存在激励电极的引出电极容易发生断线等故障的问题。以下，对该问题进行说明。上述晶体振动片是通过用蚀刻工序形成石英晶体片的外形轮廓之后，在石英晶体片的两个主面上形成电极及布线而制成的。上述蚀刻工序中，对矩形的石英晶体片至少进行外形形成蚀刻及频率调整蚀刻这两次蚀刻处理。另外，在振动部的中间形成台面结构的情况下，还可增加台面形成蚀刻。外形形成蚀刻中，在矩形的石英晶体片上形成切取部，从而形成振动部、保持部及外框部的外形轮廓。频率调整蚀刻中，为了使晶体振动器件的振荡频率成为规定值，需要调整振动部及保持部的厚度。频率调整蚀刻中，基本上是振动部及保持部的区域被蚀刻。对振动部及保持部的区域实施频率调整蚀刻的情况下，保持部与外框部间的边界上形成有因石英晶体片的厚度差而造成的台阶。若形成从振动部向AT切的Z′轴方向突出的保持部，则保持部与外框部间的边界成为与X轴平行的边界。因而，上述台阶也会是沿着与X轴平行的线形成的。上述台阶的截面形状受石英晶体片的结晶各向异性影响，若是与X轴平行的边界，则至少在一个主面上会成为具有与主面垂直的侧面的台阶。另外，若上述台阶被形成为偏向保持部侧，则台阶的一部分可能出现内曲形状的截面。此处，内曲形状是指，台阶的侧面相对于主面(保持部的主面或外框部的主面)非垂直而是倾斜，即，台阶的侧面与主面间的夹角为锐角的形状。晶体振动片中，由于与形成在振动部的激励电极连接的引出布线被形成为经由保持部而延伸到外框部，所以该引出布线需要越过保持部与外框部间的边界上的台阶部分。另外，引出布线是通过溅射而进行金属膜的成膜之后，对该金属膜进行图案化而形成的。在保持部与外框部间的边界上形成有垂直台阶的情况下，如上所述那样形成的引出布线难以确保溅射而得的金属膜厚，存在引出布线中容易发生断线这样的问题。或者，就算没有到断线的地步，也有可能因布线的薄膜化而造成引出布线的高电阻化。激励电极中的引出布线的高电阻化会给晶体振动器件的振动特性带来不良影响。而且，在上述台阶出现内曲形状的截面的情况下，上述问题尤为显著。【专利文献1】国际公开第2016/121182号公报
技术实现思路
鉴于上述技术问题，本专利技术的目的在于，提供一种既能减少振动部的振动泄漏，又能防止引出布线中的断线等的晶体振动片及晶体振动器件。为了解决上述技术问题，作为本专利技术的第一种形态的晶体振动片是具有包括在一个主面上形成的第一激励电极和在另一个主面上形成的第二激励电极的近似矩形的振动部；从所述振动部的角部向AT切的Z′轴方向突出并保持着该振动部的保持部；及包围着所述振动部的外周的同时保持着所述保持部的外框部的AT切型晶体振动片，其特征在于：所述保持部与所述外框部间的边界位于所述外框部的内周边中与X轴平行的边上的情况下，所述振动部和所述保持部的至少一部分被形成为比所述外框部厚度薄的蚀刻区域，由于该蚀刻区域，所述保持部与所述外框部间的边界附近形成台阶，所述第一激励电极及所述第二激励电极的引出布线被形成为，与所述台阶重叠地从所述保持部延伸到所述外框部，所述一个主面和所述另一个主面的至少一方中，与所述引出布线重叠的部分的所述台阶的至少一部分被形成为俯视时不与X轴平行。用于使保持部的厚度比外框部薄的蚀刻区域中，在该蚀刻区域的边界上形成有因石英晶体片的厚度差而造成的台阶。该台阶中，在蚀刻区域的边界与X轴平行的部分，一个主面和另一个主面的至少一方中形成垂直截面(因情况而异可能为内曲形状的截面)。对此，基于上述结构，台阶的与引出布线重叠的部分中的至少一部分被形成为俯视时不与X轴平行的部分，该部分成为平缓的台阶，从而能防止台阶上的引出布线发生断线等。另外，上述晶体振动片中，较佳为，与所述引出布线重叠的部分的所述台阶的至少一部分被形成为俯视时不与X轴平行的直线部分。基于上述结构，通过使与引出布线重叠的台阶的至少一部分成为直线部分，能将平缓的台阶部分形成得较长，从而能更有效地防止台阶上的引出布线发生断线等。另外，上述晶体振动片中，较佳为，所述直线部分俯视时与X轴垂直。基于上述结构，由于台阶为俯视时越接近与X轴垂直的角度越平缓，从而台阶在俯视时与X轴垂直的部位最平缓，因而能更有效地防止台阶上的引出布线发生断线等。另外，上述晶体振动片中，可以为，所述直线部分的长度大于等于所述引出布线的线宽度的一半。或者，上述晶体振动片中，也可以为，所述直线部分的长度大于等于所述引出布线的线宽度。基于上述结构，相对于引出布线的线宽度，使直线部分尽量长，从而能更有效地防止引出布线的断线等。另外，上述晶体振动片中，较佳为，所述台阶形成在比所述保持部与所述外框部间的边界更位于外框部侧之处。基于上述结构，既能使保持部的强度提高，又能防止台阶中出现内曲形状的截面。另外，上述晶体振动片中，较佳为，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体振动片，是具有包括在一个主面上形成的第一激励电极和在另一个主面上形成的第二激励电极的近似矩形的振动部；从所述振动部的角部向AT切的Z′轴方向突出并保持着该振动部的保持部；及包围着所述振动部的外周的同时保持着所述保持部的外框部的AT切型晶体振动片，其特征在于：/n所述保持部与所述外框部间的边界位于所述外框部的内周边中与X轴平行的边上的情况下，/n所述振动部和所述保持部的至少一部分被形成为比所述外框部厚度薄的蚀刻区域，由于该蚀刻区域，所述保持部与所述外框部间的边界附近形成台阶，/n所述第一激励电极及所述第二激励电极的引出布线被形成为，与所述台阶重叠地从所述保持部延伸到所述外框部，/n所述一个主面和所述另一个主面的至少一方中，与所述引出布线重叠的部分的所述台阶的至少一部分被形成为俯视时不与X轴平行。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170622 JP 2017-122550;20170628 JP 2017-1261471.一种晶体振动片，是具有包括在一个主面上形成的第一激励电极和在另一个主面上形成的第二激励电极的近似矩形的振动部；从所述振动部的角部向AT切的Z′轴方向突出并保持着该振动部的保持部；及包围着所述振动部的外周的同时保持着所述保持部的外框部的AT切型晶体振动片，其特征在于：
所述保持部与所述外框部间的边界位于所述外框部的内周边中与X轴平行的边上的情况下，
所述振动部和所述保持部的至少一部分被形成为比所述外框部厚度薄的蚀刻区域，由于该蚀刻区域，所述保持部与所述外框部间的边界附近形成台阶，
所述第一激励电极及所述第二激励电极的引出布线被形成为，与所述台阶重叠地从所述保持部延伸到所述外框部，
所述一个主面和所述另一个主面的至少一方中，与所述引出布线重叠的部分的所述台阶的至少一部分被形成为俯视时不与X轴平行。


2.如权利要求1所述的晶体振动片，其特征在于：
与所述引出布线重叠的部分的所述台阶的至少一部分被形成为俯视时不与X轴平行的直线部分。


3.如权利要求2所述的晶体振动片，其特征在于：
所述直线部分俯视时与X轴垂直。


4.如权利要求2或3所述的晶体振动片，其特征在于：
所述直线部分的长度大于等于所述引出布线的线宽度的一半。


5.如权利要求4所述的晶体振动片，其特征在于：
所述直线部分的长度大于等于所述引出布线的线宽度。


6.如权利要求1至5中任一项所述的晶体振动片，其特征在于：
所述台阶形成在比所述保持部与所述外框部间的边界更位于外框部侧之处。


7.如权利要求1至6中任一项所述的晶体振动片，其特征在于：
所述一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉冈宏树，
申请(专利权)人：株式会社大真空，
类型：发明
国别省市：日本;JP