镀敷件及其制造方法技术

存在起因于镀层与基材的界面而镀层与基材的密合性较低这样的课题。镀敷件(5)包括基材(51)和形成于基材(51)的正上方的镀层(52)，该基材(51)含有1种以上的基材金属元素。镀层(52)至少含有第1镀层金属元素和与第1镀层金属元素不同的第2镀层金属元素。第2镀层金属元素是与1种以上的基材金属元素中的至少一者相同的金属元素。在镀层(52)的厚度方向上随着远离基材(51)而镀层(52)中的第2镀层金属元素的比例连续地减少。至少含有第1镀层金属元素和第2镀层金属元素的合金的晶粒以在基材(51)与镀层(52)之间不产生明确的界面的方式分布于镀层(52)。

Plating parts and manufacturing methods

Because of the interface between the coating and the substrate and the low tightness between the coating and the substrate. The coating (5) includes a base material (51) and a coating (52) formed directly above the base material (51), which comprises more than one base metal element. The plating (52) contains at least the first plating metal element and the second plating metal element different from the first plating metal element. The second plating metal element is the same as at least one of more than one base metal element. In the thickness direction of the coating (52), the proportion of the second coating metal element in the coating (52) decreases continuously with the distance from the substrate (51). The grains of the alloy containing at least the first plating metal element and the second plating metal element are distributed in the plating (52) in a manner that does not produce a clear interface between the substrate (51) and the plating (52).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】镀敷件及其制造方法
本公开涉及镀敷件及其制造方法。
技术介绍
如专利文献1所公开那样，公知有滚筒镀敷作为一次对大量的基材进行电镀的方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平1-139799号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在滚筒镀敷中，存在如下问题：起因于镀层与基材的界面而镀层与基材的密合性较低。用于解决问题的方案本公开的一形态的镀敷件具备：基材，其含有1种以上的基材金属元素；以及镀层，其形成于所述基材的正上方，所述镀层至少含有第1镀层金属元素和与所述第1镀层金属元素不同的第2镀层金属元素，所述第2镀层金属元素是与所述1种以上的基材金属元素中的至少一者相同的金属元素，在所述镀层的厚度方向上随着远离所述基材而所述镀层中的所述第2镀层金属元素的比例连续地减少，至少含有所述第1镀层金属元素和所述第2镀层金属元素的合金的晶粒以在所述基材与所述镀层之间不产生明确的界面的方式分布于所述镀层。在几个实施方式中，在所述镀层的TEM(透射电子显微镜，TransmissionElectronMicroscope)图像中，在所述基材与所述镀层之间无法观察明确的界面。在几个实施方式中，在所述镀层中包含具有100nm以下、或50nm以下的宽度的多个晶粒密集的区域。在几个实施方式中，在所述镀层中含有具有25nm以下的宽度的晶粒。在几个实施方式中，所述具有25nm以下的宽度的晶粒在拍摄金属原子的排列状态的TEM图像中被观察。在几个实施方式中，所述具有25nm以下的宽度的晶粒在所述镀层的初始成长区域形成。在几个实施方式中，所述初始成长区域在所述TEM图像中是距表示所述基材的金属原子的排列状态的区域的距离是50nm的范围内的区域。在几个实施方式中，对在所述镀层的TEM图像中被观察的所述晶粒适用矩形框，在将该矩形框的面积的一半的值决定为所述晶粒的面积时，所述镀层的TEM图像中的所述晶粒的平均面积是1000nm2以下。在几个实施方式中，所述镀层的TEM图像中的所述晶粒的平均面积是500nm2以下。在几个实施方式中，对在所述镀层的TEM图像中被观察的所述晶粒适用矩形框，在将该矩形框的面积的一半的值决定为所述晶粒的面积时，所述镀层的TEM图像中的所述晶粒的最大面积是1000nm2或700nm2以下。在几个实施方式中，在所述镀层中不含有在利用滚筒镀敷形成镀层的情况下镀层所含有的粗大粒。在几个实施方式中，所述粗大粒具有超过150nm或100nm的宽度。在几个实施方式中，对所述镀层进行了的X射线衍射的结果表示自与所述镀层所含有的合金相同的组成的合金的基于ICDD卡确定的衍射峰值角偏移了的衍射峰值。在几个实施方式中，在所述镀层的厚度方向上随着远离所述基材而所述第2镀层金属元素的比例连续地减少的部分的厚度是10nm以上、或20nm以上、或60nm以上。在几个实施方式中，在所述镀层的厚度方向上随着远离所述基材而所述第2镀层金属元素的比例连续地减少的部分的厚度是80nm以下、或60nm以下、或30nm以下、或20nm以下。在几个实施方式中，在所述镀层的表面，所述第1镀层金属元素的比例小于100％、或小于90％。在几个实施方式中，所述镀层的厚度是150nm以下、或100nm以下。在几个实施方式中，所述镀层具有与所述基材相反的一侧的相对面，所述镀层中的所述第2镀层金属元素的比例的减少在所述镀层的厚度方向上继续到所述相对面或所述相对面的附近。在几个实施方式中，所述基材含有多种所述基材金属元素，所述镀层含有多种所述第2镀层金属元素，在所述镀层的厚度方向上随着远离所述基材而所述镀层中的各第2镀层金属元素的比例减少。在几个实施方式中，在所述镀层的厚度方向上随着接近所述基材而所述镀层中的所述第1镀层金属元素的比例减少。在几个实施方式中，所述基材是至少含有铜作为所述基材金属元素的金属或合金。在几个实施方式中，所述镀层是至少含有锡作为所述第1镀层金属元素的金属或合金。在几个实施方式中，所述镀层具有与所述基材相反的一侧的相对面，在所述相对面呈二维状密集地形成有粒子状部分和/或小块状部分。在几个实施方式中，所述镀敷件是服饰零部件的至少一部分。本公开的一形态的镀敷件的制造方法包括：将含有1种以上的基材金属元素的基材投入到电镀槽的工序；以及设为在所述电镀槽中一边使所述基材沿着周向流动一边进行电镀的工序，利用所述电镀在所述基材的正上方形成至少含有第1镀层金属元素和与所述第1镀层金属元素不同的第2镀层金属元素的镀层的工序，所述第2镀层金属元素是与所述1种以上的基材金属元素中的至少一者相同的金属元素，在所述镀层的厚度方向上随着远离所述基材而所述镀层中的所述第2镀层金属元素的比例连续地减少，至少含有所述第1镀层金属元素和所述第2镀层金属元素的合金的晶粒以在所述基材与所述镀层之间不产生明确的界面的方式分布于所述镀层。本公开的一形态的镀敷件具备：基材，其含有1种以上的第1金属元素；以及镀层，其形成于所述基材的正上方，所述镀层至少含有第2金属元素和与所述第2金属元素不同的第3金属元素，所述第3金属元素是与所述1种以上的第1金属元素中的至少一者相同的金属元素，在所述镀层的厚度方向上随着远离所述基材而所述镀层中的所述第3金属元素的比例连续地减少，至少含有所述第1镀层金属元素和所述第2镀层金属元素的合金的晶粒以在所述基材与所述镀层之间不产生明确的界面的方式分布于所述镀层。专利技术的效果根据本公开的一形态，能够提供一种提高了基材与镀层的密合性的镀敷件。附图说明图1是本公开的一形态的镀敷件的帽的概略的立体图。图2是在芯材安装固定有本公开的一形态的镀敷件的帽的服饰零部件的概略的立体图。图3是概略地表示本公开的一形态的镀敷件的层构造的示意图，表示基材和在基材的正上方形成的镀层。图4是表示本公开的一形态的镀层的厚度方向上的镀敷件的各金属元素的比例的变化的概略的图表。在镀层的厚度方向上随着远离基材而镀层中的第2镀层金属元素(Cu、Zn)的比例连续地减少。在镀层的厚度方向上随着接近基材而第1镀层金属元素(Sn)的比例减少。图5是表示本公开的一形态的镀敷件的截面中的元素分布的图，表示第1镀层金属元素(Sn)存在于镀层、基材金属元素(Cu)存在于基材和镀层、基材金属元素(Zn)存在于基材和镀层。表示Cu与Zn相比存在到更靠近镀层表面之处的情况。图6是表示本公开的一形态的镀敷件的截面的TEM(TransmissionElectronMicroscope透射电子显微镜)图像(观察倍率是20万倍，观察视场是0.64μm×0.44μm)，表示在基材与镀层之间不存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镀敷件，其具备：/n基材(51)，其含有1种以上的基材金属元素；以及/n镀层(52)，其形成于所述基材(51)的正上方，/n所述镀层(52)至少含有第1镀层金属元素和与所述第1镀层金属元素不同的第2镀层金属元素，/n所述第2镀层金属元素是与所述1种以上的基材金属元素中的至少一者相同的金属元素，/n在所述镀层(52)的厚度方向上随着远离所述基材(51)而所述镀层(52)中的所述第2镀层金属元素的比例连续地减少，/n至少含有所述第1镀层金属元素和所述第2镀层金属元素的合金的晶粒以在所述基材(51)与所述镀层(52)之间不产生明确的界面的方式分布于所述镀层(52)。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170414 JP PCT/JP2017/015365;20170511 JP PCT/JP201.一种镀敷件，其具备：
基材(51)，其含有1种以上的基材金属元素；以及
镀层(52)，其形成于所述基材(51)的正上方，
所述镀层(52)至少含有第1镀层金属元素和与所述第1镀层金属元素不同的第2镀层金属元素，
所述第2镀层金属元素是与所述1种以上的基材金属元素中的至少一者相同的金属元素，
在所述镀层(52)的厚度方向上随着远离所述基材(51)而所述镀层(52)中的所述第2镀层金属元素的比例连续地减少，
至少含有所述第1镀层金属元素和所述第2镀层金属元素的合金的晶粒以在所述基材(51)与所述镀层(52)之间不产生明确的界面的方式分布于所述镀层(52)。


2.根据权利要求1所述的镀敷件，其中，
在所述镀层(52)的TEM图像、即透射电子显微镜图像中在所述基材(51)与所述镀层(52)之间无法观察明确的界面。


3.根据权利要求1或2所述的镀敷件，其中，
在所述镀层(52)中包含具有100nm以下、或50nm以下的宽度的多个晶粒密集的区域。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的镀敷件，其中，
在所述镀层(52)中含有具有25nm以下的宽度的晶粒。


5.根据权利要求4所述的镀敷件，其中，
所述具有25nm以下的宽度的晶粒在拍摄金属原子的排列状态的TEM图像中被观察。


6.根据权利要求4或5所述的镀敷件，其中，
所述具有25nm以下的宽度的晶粒在所述镀层(52)的初始成长区域形成。


7.根据权利要求6所述的镀敷件，其中，
所述初始成长区域在所述TEM图像中是距表示所述基材(51)的金属原子的排列状态的区域的距离是50nm的范围内的区域。


8.根据权利要求1～7中任一项所述的镀敷件，其中，
对在所述镀层(52)的TEM图像中被观察的所述晶粒适用矩形框，在将该矩形框的面积的一半的值决定为所述晶粒的面积时，
所述镀层(52)的TEM图像中的所述晶粒的平均面积是1000nm2以下。


9.根据权利要求8所述的镀敷件，其中，
所述镀层(52)的TEM图像中的所述晶粒的平均面积是500nm2以下。


10.根据权利要求1～9中任一项所述的镀敷件，其中，
对在所述镀层(52)的TEM图像中被观察的所述晶粒适用矩形框，在将该矩形框的面积的一半的值决定为所述晶粒的面积时，
所述镀层(52)的TEM图像中的所述晶粒的最大面积是1000nm2或700nm2以下。


11.根据权利要求1～10中任一项所述的镀敷件，其中，
在所述镀层(52)中不含有在利用滚筒镀敷形成镀层的情况下镀层所含有的粗大粒。


12.根据权利要求11所述的镀敷件，其中，
所述粗大粒具有超过150nm或100nm的宽度。


13.根据权利要求1～12中任一项所述的镀敷件，其中，
对所述镀层(52)进行了X射线衍射的结果表示自与所述镀层(52)所含有的合金相同的组成的合金的基于ICDD卡确定的衍射峰值角偏移了的衍射峰值。


14.根据权利要求1～13中任一项所述的镀敷件，其中，
在所述镀层(52)的厚度方向上随着远离所述基材(51)而所述第2镀层金属元素的比例连续地减少的部分的厚度是10nm以上、或20nm以上、或60nm以上。


15.根据权利要求1～14中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：饭森雅之，竹田谅佑，
申请(专利权)人：YKK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP