压延铜箔的表面处理液及表面处理方法以及压延铜箔的制造方法技术

本发明专利技术涉及压延铜箔的制造方法、压延铜箔的表面处理方法以及压延铜箔用表面处理液。本发明专利技术中，使含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)、并且过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内、硫酸(B)处于0.5～15.0质量％的范围内、醇(C)处于0.1～5.0质量％的范围内的表面处理液与压延铜箔表面接触而将压延铜箔表面溶解，由此处理压延铜箔表面。根据本发明专利技术的优选方式，可以将压延铜箔表面平滑化而不会产生环形山状的蚀刻、坑。

Surface treatment solution and method of calendering copper foil and manufacturing method of calendering copper foil

The invention relates to a manufacturing method of calendered copper foil, a surface treatment method of calendered copper foil and a surface treatment liquid for calendered copper foil. In the invention, the surface treatment solution containing hydrogen peroxide (a), sulfuric acid (b), alcohol (c) and phenylurea (d), and the molar ratio of hydrogen peroxide (a) / sulfuric acid (b) is in the range of 0.3-3.0, sulfuric acid (b) is in the range of 0.5-15.0 mass%, alcohol (c) is in the range of 0.1-5.0 mass% and contacts with the surface of the rolled copper foil to dissolve the surface of the rolled copper foil, thereby processing the surface of the rolled copper foil Noodles. According to the preferred method of the invention, the surface of the calendered copper foil can be smoothed without crater like etching or pit.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】压延铜箔的表面处理液及表面处理方法以及压延铜箔的制造方法
本专利技术涉及压延铜箔的表面处理液和使用了其的压延铜箔的表面处理方法、进而压延铜箔的制造方法。
技术介绍
压延铜箔面向柔性印刷布线板(FPC)使用，近年，为了对应于高频区域中的传输损失的降低、高密度化、薄型化、进而微细化·细距化，优选平滑地处理压延铜箔。为了进行铜板、铜箔的表面的平滑化处理，已知使用唑类、卤素离子和银离子的方法(专利文献1)。但是，若将该方法用于压延铜箔则蚀刻沿着晶界进行，产生环形山(crater)状的蚀刻、产生坑(pit)等，难以平滑化。压延铜箔已知弯曲性优异，为了改善弯曲性，控制晶体取向以使再结晶退火后的立方体集合组织发达。但是，在这种均匀的晶体组织之中局部地存在具有不同的晶粒取向的晶粒，该部分的蚀刻速度与周围的蚀刻速度不同，由此认为蚀刻后、在压延铜箔的表面形成环形山状的蚀刻、坑(例如参照专利文献2、3)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-270365号公报专利文献2：国际公开第2012/128098号专利文献3：国际公开第2012/132857号非专利文献非专利文献1：印刷电路学会志(プリント回路学会誌)“Circuittechnology(サーキットテクノロジ)”9[2]119～124(1994)
技术实现思路
专利技术要解决的问题这种状況下，要求提供可以将压延铜箔平滑化而不会产生环形山状的蚀刻、坑的表面处理液及表面处理方法、进而平滑性优异的压延铜箔的制造方法。然而已知，铜箔有压延铜箔和电解铜箔，电解铜箔是通过使晶粒的尺寸减小、大致均匀地一致而无规取向来抑制蚀刻偏差(非专利文献1)。如此已知对于压延铜箔和电解铜箔而言，由于铜的晶体组织不同，因此蚀刻特性也不同。本专利技术涉及适于这些铜箔中的压延铜箔的表面处理的表面处理液及表面处理方法、进而压延铜箔的制造方法。用于解决问题的方案本专利技术人等进行深入研究，结果发现，通过以特定的摩尔比配混过氧化氢和硫酸、加入有醇系添加剂的特定组成的表面处理液，可以解决上述问题。即，本专利技术如以下所述。[1]一种压延铜箔用表面处理液，其含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)，过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内，硫酸(B)处于0.5～15.0质量％的范围内，醇(C)处于0.1～5.0质量％的范围内。[2]根据[1]所述的压延铜箔用表面处理液，其中，前述过氧化氢(A)和苯基脲(D)的含量分别处于下述范围内：过氧化氢(A)：0.5～3.0质量％苯基脲(D)：0.005～0.3质量％。[3]一种压延铜箔的表面处理方法，其使用[1]或[2]所述的压延铜箔用表面处理液、以蚀刻速率0.4～4.0μm/分钟的速度溶解压延铜箔表面。另外，本专利技术如下所述。[1a]一种压延铜箔的制造方法，其包括：使含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)、并且过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内、硫酸(B)的含量处于0.5～15.0质量％的范围内、醇(C)的含量处于0.1～5.0质量％的范围内的表面处理液与压延铜箔表面接触而将压延铜箔表面溶解，由此处理压延铜箔表面。[2a]根据[1a]所述的压延铜箔的制造方法，其中，35℃的处理条件下测得的下式所示的压延铜箔的蚀刻速率(E/R)处于0.4～4.0μm/分钟的范围内：蚀刻速率[μm/分钟]＝(处理前的质量[g]-1分钟处理后的质量[g])/(处理面积[m2]×＜铜的比重＞8.92[g/cm3])。[3a]根据[1a]或[2a]所述的压延铜箔的制造方法，其中，对于使用扫描电子显微镜(SEM)、在加速电压5kV及倍率1000倍的条件下得到的SEM图像进行图像处理，对于压延铜箔表面的凹凸部的对比度，将单一阈值设定于47，使用柱状图将级数设为20，使用标准偏差求出的前述表面处理前后的压延铜箔的亮度满足下式的关系：{(处理后的铜箔的亮度)-(未处理铜箔的亮度)}/(未处理铜箔的亮度)×100％＜0％。[4a]根据[1a]或[2a]所述的压延铜箔的制造方法，其中，对于使用扫描电子显微镜(SEM)、在加速电压5kV及倍率1000倍的条件下得到的SEM图像进行图像处理，对于压延铜箔表面的凹凸部的对比度，将单一阈值设定于47，使用柱状图将级数设为20，使用标准偏差求出的前述表面处理前后的压延铜箔的亮度满足下式的关系：{(处理后的铜箔的亮度)-(未处理铜箔的亮度)}/(未处理铜箔的亮度)×100％≤-5％。[5a]根据[1a]～[4a]中任一项所述的压延铜箔的制造方法，其中，前述过氧化氢(A)和苯基脲(D)的含量分别处于下述范围内：过氧化氢(A)：0.5～3.0质量％苯基脲(D)：0.005～0.3质量％。[6a]根据[1a]～[5a]中任一项所述的压延铜箔的制造方法，其中，过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.5～0.9的范围内。[7a]一种压延铜箔的表面处理方法，其包括：使用含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)、并且过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内、硫酸(B)的含量处于0.5～15.0质量％的范围内、醇(C)的含量处于0.1～5.0质量％的范围内的压延铜箔用表面处理液，将压延铜箔表面溶解。[8a]根据[7a]所述的压延铜箔的表面处理方法，其包括：以35℃的处理条件下测得的下式所示的压延铜箔的蚀刻速率0.4～4.0μm/分钟的速度溶解压延铜箔表面：蚀刻速率[μm/分钟]＝(处理前的质量[g]-1分钟处理后的质量[g])/(处理面积[m2]×＜铜的比重＞8.92[g/cm3])。[9a]根据[7a]或[8a]所述的压延铜箔的表面处理方法，其中，对于使用扫描电子显微镜(SEM)、在加速电压5kV及倍率1000倍的条件下得到的SEM图像进行图像处理，对于压延铜箔表面的凹凸部的对比度，将单一阈值设定于47，使用柱状图将级数设为20，使用标准偏差求出的前述表面处理前后的压延铜箔的亮度满足下式的关系：{(处理后的铜箔的亮度)-(未处理铜箔的亮度)}/(未处理铜箔的亮度)×100％＜0％。[10a]根据[7a]或[8a]所述的压延铜箔的表面处理方法，其中，对于使用扫描电子显微镜(SEM)、在加速电压5kV及倍率1000倍的条件下得到的SEM图像进行图像处理，对于压延铜箔表面的凹凸部的对比度，将单一阈值设定于47，使用柱状图将级数设为20，使用标准偏差求出的前述表面处理前后的压延铜箔的亮度满足下式的关系：{(处理后的铜箔的亮度)-(未处理铜箔的亮度)}/(未处理铜箔的亮度)×100％≤-5％。[11a]根据[7a]～[10a]中任一项所述的压延铜箔的表面处理方法，其中，前述过氧化氢(A)和苯基脲(D)的含本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种压延铜箔的制造方法，其包括：使含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)、并且过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内、硫酸(B)的含量处于0.5～15.0质量％的范围内、醇(C)的含量处于0.1～5.0质量％的范围内的表面处理液与压延铜箔表面接触而将压延铜箔表面溶解，由此处理压延铜箔表面。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170331 JP 2017-0699101.一种压延铜箔的制造方法，其包括：使含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)、并且过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内、硫酸(B)的含量处于0.5～15.0质量％的范围内、醇(C)的含量处于0.1～5.0质量％的范围内的表面处理液与压延铜箔表面接触而将压延铜箔表面溶解，由此处理压延铜箔表面。


2.根据权利要求1所述的压延铜箔的制造方法，其中，35℃的处理条件下测得的下式所示的压延铜箔的蚀刻速率(E/R)处于0.4～4.0μm/分钟的范围内：
蚀刻速率[μm/分钟]＝(处理前的质量[g]-1分钟处理后的质量[g])/(处理面积[m2]×＜铜的比重＞8.92[g/cm3])。


3.根据权利要求1或2所述的压延铜箔的制造方法，其中，对于使用扫描电子显微镜(SEM)、在加速电压5kV及倍率1000倍的条件下得到的SEM图像进行图像处理，对于压延铜箔表面的凹凸部的对比度，将单一阈值设定于47，使用柱状图将级数设为20，使用标准偏差求出的所述表面处理前后的压延铜箔的亮度满足下式的关系：
{(处理后的铜箔的亮度)-(未处理铜箔的亮度)}/(未处理铜箔的亮度)×100％＜0％。


4.根据权利要求1或2所述的压延铜箔的制造方法，其中，对于使用扫描电子显微镜(SEM)、在加速电压5kV及倍率1000倍的条件下得到的SEM图像进行图像处理，对于压延铜箔表面的凹凸部的对比度，将单一阈值设定于47，使用柱状图将级数设为20，使用标准偏差求出的所述表面处理前后的压延铜箔的亮度满足下式的关系：
{(处理后的铜箔的亮度)-(未处理铜箔的亮度)}/(未处理铜箔的亮度)×100％≤-5％。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的压延铜箔的制造方法，其中，所述过氧化氢(A)和苯基脲(D)的含量分别处于下述范围内：
过氧化氢(A)：0.5～3.0质量％
苯基脲(D)：0.005～0.3质量％。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的压延铜箔的制造方法，其中，过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.5～0.9的范围内。


7.一种压延铜箔的表面处理方法，其包括：使用含有过氧化氢(A)、硫酸(B)、醇(C)和苯基脲(D)、并且过氧化氢(A)/硫酸(B)的摩尔比处于0.3～3.0的范围内、硫酸(B)的含量处于0.5～15.0质量％的范围内、醇(C)的含量处于0.1～5.0质量％的范围内的压延铜箔...

【专利技术属性】
技术研发人员：曽根昌弥，松永裕嗣，玉井聪，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP