吸附暂时固定片及其制造方法技术

提供了一种吸附暂时固定片，其在与表面相同的方向上具有充分的剪切粘接力且在与表面垂直的方向上具有弱的粘接力。另外，提供了此类吸附暂时固定片的制造方法。本发明专利技术的吸附暂时固定片具有发泡层，所述发泡层包括开放泡孔结构，其中满足V1<H1、V2<H2和V3<H3，其中V1(N/1cm□)为发泡层的表面的在‑40℃下20小时后的硅片垂直粘接力，V2(N/1cm□)为其在23℃下20小时后的硅片垂直粘接力，V3(N/1cm□)为其在125℃下20小时后的硅片垂直粘接力，H1(N/1cm□)为发泡层的表面的在‑40℃下20小时后的硅片剪切粘接力，H2(N/1cm□)为其在23℃下20小时后的硅片剪切粘接力，且H3(N/1cm□)为其在125℃下20小时后的硅片剪切粘接力。

Adsorption temporary fixed sheet and its manufacturing method

An adsorption temporary fixing sheet is provided, which has sufficient shear adhesion in the same direction as the surface and weak adhesion in the direction perpendicular to the surface. In addition, a method for manufacturing such an adsorption temporary fixed sheet is provided. The adsorption temporary fixing sheet of the invention has a foaming layer, the foaming layer includes an open cell structure, which meets the requirements of V1 & lt; H1, V2 & lt; H2 and V3 & lt; H3, wherein V1 (n / 1cm \u25a1) is the vertical adhesion force of the silicon chip after 20 hours at \u2011 40 \u2103, V2 (n / 1cm \u25a1) is the vertical adhesion force of the silicon chip after 20 hours at 23 \u2103, and V3 (n / 1cm \u25a1) is the silicon chip after 20 hours at 125 \u2103 For vertical adhesion, H1 (n / 1cm \u25a1) is the shear adhesion of silicon wafer after 20 hours at \u2011 40 \u2103, H2 (n / 1cm \u25a1) is the shear adhesion of silicon wafer after 20 hours at 23 \u2103, and H3 (n / 1cm \u25a1) is the shear adhesion of silicon wafer after 20 hours at 125 \u2103.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】吸附暂时固定片及其制造方法
本专利技术涉及一种吸附暂时固定片。另外，本专利技术涉及一种吸附暂时固定片的制造方法。
技术介绍
具有吸附性的发泡片材迄今已经用作例如，用于防止家具或家电的翻倒或滑动的片材、地毯的背衬材料、或可贴附和固定于汽车内饰材料且可容易地剥离的片材。例如丙烯酸系树脂或橡胶等材料已经主要用于此类具有吸附性的发泡片材(例如专利文献1)。然而，乳液系材料已经为主流，故而片材的再剥离性优异，但涉及以下问题。片材的耐水性差，故而当片材在其脏污时用水洗涤时，片材吸水而溶胀，由此吸附性降低。另外，在电子工业的例如显示器或有机EL照明的制造中，在向各种膜基板(例如，聚酰亚胺、PET和PEN)、玻璃、Si基板上进行例如各种金属膜或ITO膜的蒸镀、溅射成膜和图案形成加工时，使用用于将基板与固定台彼此暂时固定的材料。可再剥离的压敏粘合带已经用作此类材料，这是因为暂时固定需要在成膜后解除。在该现状下，此类压敏粘合带的实例包括：通过加热进行发泡而剥离的胶带、可在低温下剥离的冷却剥离胶带、和具有弱的压敏粘合性的丙烯酸系或有机硅系的双面胶带。然而，当在制造步骤中需要在高达150℃以上的温度下加热时，由于压敏粘合剂的剥离强度增加导致粘合剂残留或基板的破损成为问题。另外，忧虑的是，压敏粘合带在贴合时包括气泡，故而基板的平滑性受损，并且妨碍高精度的图案形成加工。作为轻量、耐热性和耐候性优异且导热率低的发泡材料，最近已经报道了有机硅发泡体。例如，已报道了包含有机硅树脂固化物和分散于该有机硅树脂固化物中且在内部具有空腔部的多个颗粒，且适宜地用于太阳能电池用途的有机硅树脂发泡体(例如专利文献2)；和其中泡孔致密配置，泡孔尺寸的均匀性高，泡孔形状良好，且封闭泡孔率高的有机硅发泡片材(例如专利文献3)。根据用途在一些情况下，要求吸附暂时固定片在与该吸附暂时固定片的表面平行的方向上具有充分的剪切粘接力，且在与该吸附暂时固定片的表面大致垂直的方向上具有弱的粘接力。此类情况的实例为如下的情况：当将构件安装于沿水平方向配置的吸附暂时固定片的表面上时，要求该片材在横向上牢固地固定构件，同时，当沿向上的方向拾取该构件时，要求该片材能够容易地剥离该构件。然而，现有的有机硅发泡体未能充分地满足如上所述的要求。[现有技术文献][专利文献]专利文献1：日本专利特开平1-259043号公报专利文献2：日本专利第5702899号公报专利文献3：日本专利特开2014-167067号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于提供在与其表面平行的方向上具有充分的剪切粘接力且在与表面垂直的方向上具有弱的粘接力的吸附暂时固定片。本专利技术的另一目的在于提供此类吸附暂时固定片的制造方法。用于解决问题的方案根据本专利技术的一个实施方案，提供一种吸附暂时固定片，其包括发泡层，所述发泡层包括开放泡孔结构(open-cellstructure)，其中，当将所述发泡层的表面的在-40℃下20小时后的硅片垂直粘接力由V1(N/1cm□)表示，将在23℃下20小时后的硅片垂直粘接力由V2(N/1cm□)表示，且将在125℃下20小时后的硅片垂直粘接力由V3(N/1cm□)表示，并且将所述发泡层的表面的在-40℃下20小时后的硅片剪切粘接力由H1(N/1cm□)表示，将在23℃下20小时后的硅片剪切粘接力由H2(N/1cm□)表示，且将在125℃下20小时后的硅片剪切粘接力由H3(N/1cm□)表示时，满足V1<H1、V2<H2和V3<H3的关系。其中硅片垂直粘接力如下定义：将吸附暂时固定片的评价面的相反面利用有机硅压敏粘合带固定于平滑的不锈钢板上；使2kg辊往返一次从而将通过利用研磨机(DISCO公司制造，DFG8560)磨削硅晶圆并利用切割锯(DISCO公司制造，DFD6450)将硅晶圆单片化为1cm□获得的厚度为300μm的硅片的磨削面贴合至吸附暂时固定片，并且将所得物于-40℃、23℃、125℃下各自老化20小时，并于23℃下静置2小时；将硅片的镜面(磨削面的相反面)使用Servopulser(岛津公司制造，控制器4890，载荷元件MMT-250N)于其中双面胶带(日东电工公司制造，No.5000NS)贴附至20mmφ的转接器的前端的状态下以压缩速度0.01N/sec于垂直方向上压缩直至施加0.05N的载荷，接着以10mm/sec剥离硅片；并且将剥离时的最大载荷定义为硅片垂直粘接力，并且硅片剪切粘接力为如下测量的剪切粘接力：将吸附暂时固定片的评价面的相反面利用有机硅压敏粘合带固定于平滑的不锈钢板上；使2kg辊往返一次从而将通过利用研磨机(DISCO公司制造，DFG8560)磨削硅晶圆并利用切割锯(DISCO公司制造，DFD6450)将硅晶圆单片化为1cm□获得的厚度为300μm的硅片的磨削面贴合至吸附暂时固定片，并且将所得物于-40℃、23℃、125℃下各自老化20小时，并于23℃下静置2小时；将硅片的侧面使用测力计(日本电产新宝公司制造，FGPX-10)以1mm/sec的速度推压，接着测量剪切粘接力。在一个实施方案中，上述V1为5N/1cm□以下。在一个实施方案中，上述H1为0.5N/1cm□以上。在一个实施方案中，上述V2为6.5N/1cm□以下。在一个实施方案中，上述H2为0.6N/1cm□以上。在一个实施方案中，上述V3为10N/1cm□以下。在一个实施方案中，上述H3为0.7N/1cm□以上。在一个实施方案中，上述发泡层的表观密度为0.15g/cm3～0.90g/cm3。在一个实施方案中，上述发泡层的表面的算术平均表面粗糙度Ra为1μm～10μm。根据本专利技术的一个实施方案，提供一种吸附暂时固定片的制造方法，所述吸附暂时固定片包括发泡层，所述发泡层包括开放泡孔结构，所述方法包括：将形成所述发泡层的树脂组合物施涂于隔片A上；将隔片B安装于所施涂的树脂组合物的与所述隔片A相反侧的表面上；使所述树脂组合物热固化；和然后剥离选自所述隔片A和所述隔片B中的至少1种，其中所剥离的隔片中的至少1种包括具有算术平均表面粗糙度Ra为0.1μm～5μm的表面的隔片。专利技术的效果根据本专利技术，可提供在与其表面平行的方向上具有充分的剪切粘接力且在与表面垂直的方向上具有弱的粘接力的吸附暂时固定片。还可提供此类吸附暂时固定片的制造方法。具体实施方式《吸附暂时固定片》本专利技术的吸附暂时固定片为包括发泡层的吸附暂时固定片，所述发泡层具有开放泡孔结构。本专利技术的吸附暂时固定片的形式的实例包括：片材在其整个中包括发泡层的此类形式；和片材部分地包括发泡层且该片材的最外层的至少之一为该发泡层的此类形式。在本专利技术的吸附暂时固定片中，隔片可贴合于发泡层的表面，例如直至使用该片材。当此类隔片不起到支承体的功能时，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种吸附暂时固定片，其包括发泡层，所述发泡层包括开放泡孔结构，/n其中，当将所述发泡层的表面的在-40℃下20小时后的硅片垂直粘接力由V1(N/1cm□)表示，将在23℃下20小时后的硅片垂直粘接力由V2(N/1cm□)表示，且将在125℃下20小时后的硅片垂直粘接力由V3(N/1cm□)表示，并且/n将所述发泡层的表面的在-40℃下20小时后的硅片剪切粘接力由H1(N/1cm□)表示，将在23℃下20小时后的硅片剪切粘接力由H2(N/1cm□)表示，且将在125℃下20小时后的硅片剪切粘接力由H3(N/1cm□)表示时，/n满足V1<H1、V2<H2和V3<H3的关系；/n其中硅片垂直粘接力如下定义：将吸附暂时固定片的评价面的相反面利用有机硅压敏粘合带固定于平滑的不锈钢板上；使2kg辊往返一次从而将通过利用研磨机(DISCO公司制造，DFG8560)磨削硅晶圆并利用切割锯(DISCO公司制造，DFD6450)将硅晶圆单片化为1cm□获得的厚度为300μm的硅片的磨削面贴合至吸附暂时固定片，并且将所得物于-40℃、23℃、125℃下各自老化20小时，并于23℃下静置2小时；将硅片的镜面(磨削面的相反面)使用Servopulser(岛津公司制造，控制器4890，载荷元件MMT-250N)于其中双面胶带(日东电工公司制造，No.5000NS)贴附至20mmφ的转接器的前端的状态下以压缩速度0.01N/sec于垂直方向上压缩直至施加0.05N的载荷，接着以10mm/sec剥离硅片；并且将剥离时的最大载荷定义为硅片垂直粘接力；并且/n硅片剪切粘接力为如下测量的剪切粘接力：将吸附暂时固定片的评价面的相反面利用有机硅压敏粘合带固定于平滑的不锈钢板上；使2kg辊往返一次从而将通过利用研磨机(DISCO公司制造，DFG8560)磨削硅晶圆并利用切割锯(DISCO公司制造，DFD6450)将硅晶圆单片化为1cm□获得的厚度为300μm的硅片的磨削面贴合至吸附暂时固定片，并且将所得物于-40℃、23℃、125℃下各自老化20小时，并于23℃下静置2小时；将硅片的侧面使用测力计(日本电产新宝公司制造，FGPX-10)以1mm/sec的速度推压，接着测量剪切粘接力。/n...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170405 JP 2017-0754751.一种吸附暂时固定片，其包括发泡层，所述发泡层包括开放泡孔结构，
其中，当将所述发泡层的表面的在-40℃下20小时后的硅片垂直粘接力由V1(N/1cm□)表示，将在23℃下20小时后的硅片垂直粘接力由V2(N/1cm□)表示，且将在125℃下20小时后的硅片垂直粘接力由V3(N/1cm□)表示，并且
将所述发泡层的表面的在-40℃下20小时后的硅片剪切粘接力由H1(N/1cm□)表示，将在23℃下20小时后的硅片剪切粘接力由H2(N/1cm□)表示，且将在125℃下20小时后的硅片剪切粘接力由H3(N/1cm□)表示时，
满足V1<H1、V2<H2和V3<H3的关系；
其中硅片垂直粘接力如下定义：将吸附暂时固定片的评价面的相反面利用有机硅压敏粘合带固定于平滑的不锈钢板上；使2kg辊往返一次从而将通过利用研磨机(DISCO公司制造，DFG8560)磨削硅晶圆并利用切割锯(DISCO公司制造，DFD6450)将硅晶圆单片化为1cm□获得的厚度为300μm的硅片的磨削面贴合至吸附暂时固定片，并且将所得物于-40℃、23℃、125℃下各自老化20小时，并于23℃下静置2小时；将硅片的镜面(磨削面的相反面)使用Servopulser(岛津公司制造，控制器4890，载荷元件MMT-250N)于其中双面胶带(日东电工公司制造，No.5000NS)贴附至20mmφ的转接器的前端的状态下以压缩速度0.01N/sec于垂直方向上压缩直至施加0.05N的载荷，接着以10mm/sec剥离硅片；并且将剥离时的最大载荷定义为硅片垂直粘接力；并且
硅片剪切粘接力为如下测量的剪切粘接力：将吸附暂时固定片的评价面的相反面利用有机硅压敏粘合带固定于平滑的不锈钢板上；使2kg辊往返一次从而将通过利用研磨机(DISCO公司制造，DFG8560)磨削硅晶圆并利用切...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊关亮，土井浩平，金田充宏，加藤和通，德山英幸，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP