一种直流供电接口的交流电接入防护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种直流供电接口的交流电接入防护电路，该直流供电接口的交流电接入防护电路用于控制主供电回路的通断，直流供电接口的交流电接入防护电路包括：与供电系统正线接入端子连接的交流半波整流单元、与交流半波整流单元连接的电压选择开关单元、以及与电压选择开关单元连接的继电器控制单元，继电器控制单元连接有第一继电器和第二继电器，继电器控制单元接收电压选择开关单元的信号，并通过第一继电器和第二继电器控制主供电回路的通断。本发明专利技术电路结构简单、元器件数量少、成本低、损耗小，可实现直流用电设备接入交流电后对设备进行无损保护，实现交流电与设备内部的物理隔离。

A protection circuit for AC connection of DC power supply interface

The invention discloses an AC access protection circuit of a DC power supply interface, the AC access protection circuit of the DC power supply interface is used to control the on-off of the main power supply circuit, the AC access protection circuit of the DC power supply interface includes an AC half wave rectifier unit connected with the main line access terminal of the power supply system, a voltage selection switch single connected with the AC half wave rectifier unit The relay control unit is connected with the first relay and the second relay. The relay control unit receives the signal of the voltage selection switch unit and controls the on-off of the main power supply circuit through the first relay and the second relay. The circuit structure of the invention is simple, the number of components is small, the cost is low, and the loss is small, which can realize the non-destructive protection of the equipment after the DC electric equipment is connected to the AC, and realize the physical isolation between the AC and the internal of the equipment.

【技术实现步骤摘要】
一种直流供电接口的交流电接入防护电路
本申请属于电源供电端口保护领域，具体涉及一种直流供电接口的交流电接入防护电路。
技术介绍
当直流用电设备的供电使用同时具有直流电和交流电输出功能的可调电源时，可能会发生误接交流电的状况。若直流用电设备的电源输入端口不加防护，那么直流用电设备会因交流电的输入而造成彻底地损坏。而目前没有相应的解决方案来实现直流用电设备误接交流电后对直流用电设备的保护。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种直流供电接口的交流电接入防护电路，该电路结构简单、元器件数量少、成本低、损耗小，可实现直流用电设备接入交流电后对设备进行无损保护，实现交流电与设备内部的物理隔离。为实现上述目的，本申请所采取的技术方案为：一种直流供电接口的交流电接入防护电路，所述直流供电接口的交流电接入防护电路用于控制主供电回路的通断，所述主供电回路包括供电系统正线接入端子(T1)、供电系统回线接入端子(T2)、用电设备电源正极接入端子(TS1)、用电设备电源负极接入端子(TS2)，所述直流供电接口的交流电接入防护电路，包括：与所述供电系统正线接入端子(T1)连接的交流半波整流单元(1)、与所述交流半波整流单元(1)连接的电压选择开关单元(2)、以及与所述电压选择开关单元(2)连接的继电器控制单元(3)，所述继电器控制单元(3)连接有第一继电器(J1)和第二继电器(J2)；所述第一继电器(J1)的线圈(KA1)和第二继电器(J2)的线圈(KA2)分别接入所述继电器控制单元(3)，所述第一继电器(J1)的常开触点(KA11)的一端与所述供电系统正线接入端子(T1)连接，所述第一继电器(J1)的常开触点(KA11)的另一端与所述用电设备电源正极接入端子(TS1)连接，所述第二继电器(J2)的常开触点(KA21)的一端与所述供电系统回线接入端子(T2)连接，所述第二继电器(J2)的常开触点(KA21)的另一端与所述用电设备电源负极接入端子(TS2)连接，所述继电器控制单元(3)接收所述电压选择开关单元(2)的信号，并通过第一继电器(J1)和第二继电器(J2)控制所述主供电回路的通断。作为优选，所述交流半波整流单元(1)包括半波整流二极管(D1)、电压保持电容(C1)和放电电阻(R1)，所述半波整流二极管(D1)的阳极与所述供电系统正线接入端子(T1)连接，所述半波整流二极管(D1)的阴极与所述电压保持电容(C1)的正极连接，所述电压保持电容(C1)的正极与所述电压选择开关单元(2)连接，所述电压保持电容(C1)的负极与所述供电系统回线接入端子(T2)连接，所述放电电阻(R1)与电压保持电容(C1)并联连接。可选的，所述电压选择开关单元(2)包括一级MOSFET晶体管电路、二级MOSFET晶体管电路和三级MOSFET晶体管电路；所述一级MOSFET晶体管电路包括瞬态抑制二极管(TVS1)、分压电阻(R2)、分压电阻(R3)、稳压二极管(Z1)和NMOSFET晶体管(V1)，所述瞬态抑制二极管(TVS1)的阴极与所述电压保持电容(C1)的正极连接，所述瞬态抑制二极管(TVS1)的阳极与所述分压电阻(R2)的一端连接，所述分压电阻(R2)的另一端经分压电阻(R3)与所述供电系统回线接入端子(T2)连接，所述稳压二极管(Z1)与所述分压电阻(R3)并联连接，且所述稳压二极管(Z1)的阳极与所述供电系统回线接入端子(T2)连接，所述NMOSFET晶体管(V1)的栅极与所述稳压二极管(Z1)的阴极连接，所述NMOSFET晶体管(V1)的源极与所述供电系统回线接入端子(T2)连接，所述NMOSFET晶体管(V1)的漏极与所述二级MOSFET晶体管电路连接；所述二级MOSFET晶体管电路包括限流电阻(R4)、稳压二极管(Z2)、电容(C2)、电阻(R5)和NMOSFET晶体管(V2)，所述限流电阻(R4)的一端与所述电压保持电容(C1)的正极连接，所述限流电阻(R4)的另一端与NMOSFET晶体管(V1)的漏极连接，所述稳压二极管(Z2)的阴极与NMOSFET晶体管(V1)的漏极连接，所述稳压二极管(Z2)的阳极与所述供电系统回线接入端子(T2)连接，所述电容(C2)与所述稳压二极管(Z2)并联连接，所述NMOSFET晶体管(V2)的栅极经电阻(R5)与所述NMOSFET晶体管(V1)的漏极连接，所述NMOSFET晶体管(V2)的源极与所述供电系统回线接入端子(T2)连接，所述NMOSFET晶体管(V2)的漏极与所述三级MOSFET晶体管电路连接；所述三级MOSFET晶体管电路包括电阻(R7)、PMOSFET晶体管(V3)、电阻(R6)、稳压二极管(Z3)和电压保持电容(C3)，所述电阻(R7)的一端与所述NMOSFET晶体管(V2)的漏极连接，所述电阻(R7)的另一端分别与PMOSFET晶体管(V3)的栅极和稳压二极管(Z3)的阳极连接，所述稳压二极管(Z3)的阴极与所述电压保持电容(C1)的正极连接，所述电阻(R6)与稳压二极管(Z3)并联连接，所述PMOSFET晶体管(V3)的漏极与所述电压保持电容(C1)的正极连接，所述PMOSFET晶体管(V3)的源极分别与电压保持电容(C3)的正极和继电器控制单元(3)连接，所述电压保持电容(C3)的负极与所述供电系统回线接入端子(T2)连接。可选的，所述电压选择开关单元(2)包括一级NPN晶体管电路、二级MOSFET晶体管电路和三级MOSFET晶体管电路；所述一级NPN晶体管电路包括瞬态抑制二极管(TVS1)、限流电阻(R2)、和NPN晶体管(V1)，所述瞬态抑制二极管(TVS1)的阴极与所述电压保持电容(C1)的正极连接，所述瞬态抑制二极管(TVS1)的阳极与所述限流电阻(R2)的一端连接，所述限流电阻(R2)的另一端与NPN晶体管(V1)的基极，所述NPN晶体管(V1)的发射极与所述供电系统回线接入端子(T2)连接，所述NPN晶体管(V1)的集电极与所述二级MOSFET晶体管电路连接；所述二级MOSFET晶体管电路包括限流电阻(R4)、稳压二极管(Z2)、电容(C2)、电阻(R5)和NMOSFET晶体管(V2)，所述限流电阻(R4)的一端与所述电压保持电容(C1)的正极连接，所述限流电阻(R4)的另一端与所述NPN晶体管(V1)的集电极连接，所述稳压二极管(Z2)的阴极与所述NPN晶体管(V1)的集电极连接，所述稳压二极管(Z2)的阳极与所述供电系统回线接入端子(T2)连接，所述电容(C2)与所述稳压二极管(Z2)并联连接，所述NMOSFET晶体管(V2)的栅极经电阻(R5)与所述NPN晶体管(V1)的集电极连接，所述NMOSFET晶体管(V2)的源极与所述供电系统回线接入端子(T2)连接，所述NMOSFET晶体管(V2)的漏极与所述三级MOSFET晶体管电路连接；所述三级MOSFET晶体管电路包括电阻(R7)、PMOSFET晶体管(V3)、电阻(R6)、稳压二极管(Z3)和电压保持电容(C3)，所述电阻(R7本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种直流供电接口的交流电接入防护电路，所述直流供电接口的交流电接入防护电路用于控制主供电回路的通断，其特征在于，所述主供电回路包括供电系统正线接入端子(T1)、供电系统回线接入端子(T2)、用电设备电源正极接入端子(TS1)、用电设备电源负极接入端子(TS2)，所述直流供电接口的交流电接入防护电路，包括：/n与所述供电系统正线接入端子(T1)连接的交流半波整流单元(1)、与所述交流半波整流单元(1)连接的电压选择开关单元(2)、以及与所述电压选择开关单元(2)连接的继电器控制单元(3)，所述继电器控制单元(3)连接有第一继电器(J1)和第二继电器(J2)；/n所述第一继电器(J1)的线圈(KA1)和第二继电器(J2)的线圈(KA2)分别接入所述继电器控制单元(3)，所述第一继电器(J1)的常开触点(KA11)的一端与所述供电系统正线接入端子(T1)连接，所述第一继电器(J1)的常开触点(KA11)的另一端与所述用电设备电源正极接入端子(TS1)连接，所述第二继电器(J2)的常开触点(KA21)的一端与所述供电系统回线接入端子(T2)连接，所述第二继电器(J2)的常开触点(KA21)的另一端与所述用电设备电源负极接入端子(TS2)连接，所述继电器控制单元(3)接收所述电压选择开关单元(2)的信号，并通过第一继电器(J1)和第二继电器(J2)控制所述主供电回路的通断。/n...

【技术特征摘要】
1.一种直流供电接口的交流电接入防护电路，所述直流供电接口的交流电接入防护电路用于控制主供电回路的通断，其特征在于，所述主供电回路包括供电系统正线接入端子(T1)、供电系统回线接入端子(T2)、用电设备电源正极接入端子(TS1)、用电设备电源负极接入端子(TS2)，所述直流供电接口的交流电接入防护电路，包括：
与所述供电系统正线接入端子(T1)连接的交流半波整流单元(1)、与所述交流半波整流单元(1)连接的电压选择开关单元(2)、以及与所述电压选择开关单元(2)连接的继电器控制单元(3)，所述继电器控制单元(3)连接有第一继电器(J1)和第二继电器(J2)；
所述第一继电器(J1)的线圈(KA1)和第二继电器(J2)的线圈(KA2)分别接入所述继电器控制单元(3)，所述第一继电器(J1)的常开触点(KA11)的一端与所述供电系统正线接入端子(T1)连接，所述第一继电器(J1)的常开触点(KA11)的另一端与所述用电设备电源正极接入端子(TS1)连接，所述第二继电器(J2)的常开触点(KA21)的一端与所述供电系统回线接入端子(T2)连接，所述第二继电器(J2)的常开触点(KA21)的另一端与所述用电设备电源负极接入端子(TS2)连接，所述继电器控制单元(3)接收所述电压选择开关单元(2)的信号，并通过第一继电器(J1)和第二继电器(J2)控制所述主供电回路的通断。


2.如权利要求1所述的直流供电接口的交流电接入防护电路，其特征在于，所述交流半波整流单元(1)包括半波整流二极管(D1)、电压保持电容(C1)和放电电阻(R1)，所述半波整流二极管(D1)的阳极与所述供电系统正线接入端子(T1)连接，所述半波整流二极管(D1)的阴极与所述电压保持电容(C1)的正极连接，所述电压保持电容(C1)的正极与所述电压选择开关单元(2)连接，所述电压保持电容(C1)的负极与所述供电系统回线接入端子(T2)连接，所述放电电阻(R1)与电压保持电容(C1)并联连接。


3.如权利要求2所述的直流供电接口的交流电接入防护电路，其特征在于，所述电压选择开关单元(2)包括一级MOSFET晶体管电路、二级MOSFET晶体管电路和三级MOSFET晶体管电路；
所述一级MOSFET晶体管电路包括瞬态抑制二极管(TVS1)、分压电阻(R2)、分压电阻(R3)、稳压二极管(Z1)和NMOSFET晶体管(V1)，所述瞬态抑制二极管(TVS1)的阴极与所述电压保持电容(C1)的正极连接，所述瞬态抑制二极管(TVS1)的阳极与所述分压电阻(R2)的一端连接，所述分压电阻(R2)的另一端经分压电阻(R3)与所述供电系统回线接入端子(T2)连接，所述稳压二极管(Z1)与所述分压电阻(R3)并联连接，且所述稳压二极管(Z1)的阳极与所述供电系统回线接入端子(T2)连接，所述NMOSFET晶体管(V1)的栅极与所述稳压二极管(Z1)的阴极连接，所述NMOSFET晶体管(V1)的源极与所述供电系统回线接入端子(T2)连接，所述NMOSFET晶体管(V1)的漏极与所述二级MOSFET晶体管电路连接；
所述二级MOSFET晶体管电路包括限流电阻(R4)、稳压二极管(Z2)、电容(C2)、电阻(R5)和NMOSFET晶体管(V2)，所述限流电阻(R4)的一端与所述电压保持电容(C1)的正极连接，所述限流电阻(R4)的另一端与NMOSFET晶体管(V1)的漏极连接，所述稳压二极管(Z2)的阴极与NMOSFET晶体管(V1)的漏极连接，所述稳压二极管(Z2)的阳极与所述供电系统回线接入端子(T2)连接，所述电容(C2)与所述稳压二极管(Z2)并联连接，所述NMOSFET晶体管(V2)的栅极经电阻(R5)与所述NMOSFET晶体管(V1)的漏极连接，所述NMOSFET晶体管(V2)的源极与所述供电系统回线接入端子(T2)连接，所述NMOSFET晶体管(V2)的漏极与所述三级MOSFET晶体管电路连接；
所述三级MOSFET晶体管电路包括电阻(R7)、PMOSFET晶体管(V3)、电阻(R6)、稳压二极管(Z3)和电压保持电容(C3)，所述电阻(R7)的一端与所述NMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹学武，江保力，谢龙兵，葛江锋，陈明中，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十二研究所，
类型：发明
国别省市：浙江;33