The invention discloses a structure of a semiconductor laser integrated on a homogeneous patch of a transverse and longitudinal mode of a resonant cavity, which comprises a fiber screw tube, a mirror tube, a distribution cable, an integrated electrical plate, a mold base resonant cavity, a single-chip computer electrical box and a serial port slot. The invention realizes the optical guiding operation in the laser by using the integrated electrical plate in combination with the mold base resonant cavity The folded mirror cross of the cross mode mirror frame is combined into a structure interwoven with the horizontal and vertical mold frames, and then the homojunction axial mirror wheel is connected to the concentrating effect, and the resonance forms the intermittent polyhedral crystal block with the crystal spherical shell and the beads rotating and dispersing to reserve the photorefractive effect, so as to ensure the uniform transmission of the homojunction carrier of the tail end light tube, and then the refraction polymerization frame is flipped to form the real-time receiving refraction It can ensure the enhancement of the laser's optical output performance, and the wave peak on the laser reaches the most prominent point, and ensure the stability of the cross electric structure of the vertical interweaved horizontal template and the vertical mold base, and improve the on-chip integrated regulation effect.
【技术实现步骤摘要】
一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构
本专利技术是一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构,属于半导体领域。
技术介绍
激光器是机台设备的高熔点部件,运用光学切割操作效果,该操作便捷高效,对半导体充分利用聚光和散光折射效果,达到激光成型加工过程中的电路板对接点焊等流程步骤加工,目前技术公用的待优化的缺点有:在单纵模激光器中,对半导体的PN结成单一横模或者纵模进行频率谐振,让光强在光截面上增大线宽,但线宽增大后,对激光束线的排线分辨也较为不均,使线宽两侧光线较弱造成薄层映射,而中层强光会过度穿透照射物,导致线宽调节性能的低下,对光轴方向十分单一,且连同异质结的影响,改变激光映射功效,压低电压和电流参数,造成分类结晶繁琐过渡操作,对镜体内棱边的反射效率不一致,导致驻波的偏差。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足,本专利技术目的是提供一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构,以解决在单纵模激光器中,对半导体的PN结成单一横模或者纵模进行频率谐振,让光强在光截面上增大线宽,但线宽增大后,对激光束线的排线分辨也较为不均,使线宽两侧光线较弱造成薄层映射,而中层强光会过度穿透照射物,导致线宽调节性能的低下,对光轴方向十分单一,且连同异质结的影响,改变激光映射功效,压低电压和电流参数,造成分类结晶繁琐过渡操作,对镜体内棱边的反射效率不一致,导致驻波的偏差的问题。为了实现上述目的,本专利技术是通过如下的技术方案来实现:一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构,其 ...
【技术保护点】
1.一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构,其结构包括:光纤螺纹管(1)、镜筒(2)、配电缆线(3)、集成电板块(4)、模架谐振腔室(5)、单片机电箱(6)、串行端口槽(7),其特征在于:/n所述模架谐振腔室(5)安设在集成电板块(4)的前侧,所述模架谐振腔室(5)与配电缆线(3)电连接,所述串行端口槽(7)插嵌在单片机电箱(6)的前侧,所述单片机电箱(6)与集成电板块(4)电连接,所述镜筒(2)插嵌在模架谐振腔室(5)的前侧,所述光纤螺纹管(1)与镜筒(2)扣合在一起;/n所述模架谐振腔室(5)设有射灯管(5A)、瓣膜镜槽(5B)、簧推顶架杆(5C)、十字模镜架(5D)、谐振管腔室(5E)、限位顶杆(5F)、凸镜块(5G)、罩帽块(5H);/n所述射灯管(5A)插嵌在瓣膜镜槽(5B)的底部下,所述瓣膜镜槽(5B)与罩帽块(5H)分别嵌套于谐振管腔室(5E)的左右两侧,所述凸镜块(5G)与罩帽块(5H)扣合在一起,所述限位顶杆(5F)焊接在谐振管腔室(5E)内部的右下角,所述簧推顶架杆(5C)插嵌在谐振管腔室(5E)内部的左上角,所述簧推顶架杆(5C)通过十字模镜架(5D)与 ...
【技术特征摘要】
1.一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构,其结构包括:光纤螺纹管(1)、镜筒(2)、配电缆线(3)、集成电板块(4)、模架谐振腔室(5)、单片机电箱(6)、串行端口槽(7),其特征在于:
所述模架谐振腔室(5)安设在集成电板块(4)的前侧,所述模架谐振腔室(5)与配电缆线(3)电连接,所述串行端口槽(7)插嵌在单片机电箱(6)的前侧,所述单片机电箱(6)与集成电板块(4)电连接,所述镜筒(2)插嵌在模架谐振腔室(5)的前侧,所述光纤螺纹管(1)与镜筒(2)扣合在一起;
所述模架谐振腔室(5)设有射灯管(5A)、瓣膜镜槽(5B)、簧推顶架杆(5C)、十字模镜架(5D)、谐振管腔室(5E)、限位顶杆(5F)、凸镜块(5G)、罩帽块(5H);
所述射灯管(5A)插嵌在瓣膜镜槽(5B)的底部下,所述瓣膜镜槽(5B)与罩帽块(5H)分别嵌套于谐振管腔室(5E)的左右两侧,所述凸镜块(5G)与罩帽块(5H)扣合在一起,所述限位顶杆(5F)焊接在谐振管腔室(5E)内部的右下角,所述簧推顶架杆(5C)插嵌在谐振管腔室(5E)内部的左上角,所述簧推顶架杆(5C)通过十字模镜架(5D)与限位顶杆(5F)机械连接,所述十字模镜架(5D)与谐振管腔室(5E)相配合,所述射灯管(5A)与配电缆线(3)电连接,所述谐振管腔室(5E)安设在集成电板块(4)的前侧。
2.根据权利要求1所述的一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构,其特征在于:所述瓣膜镜槽(5B)由集光套罩(5B1)、瓣膜镜块(5B2)、折光聚合架(5B3)组成,所述瓣膜镜块(5B2)与折光聚合架(5B3)机械连接,所述瓣膜镜块(5B2)安装于集光套罩(5B1)的内部。
3.根据权利要求2所述的一种谐振腔横纵模的同质结片上集成半导体激光器结构,其特征在于:所述折光聚合架(5B3)由球珠弧罩板(5B31)、扭转轮(5B32)、棱镜反射块(5B33)组成,所述球珠弧罩板(5B31)通过扭转轮(5B32)与棱镜反射块(5B33)机械连接,所述球珠弧罩板(5B31)与棱镜反射块(5B33)分别安设在扭转轮(5B32)的上下两侧。
4.根据权利要求1所述的一种谐振腔横...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。