一种光电半导体的激光封装结构及方法技术

本发明专利技术公开一种光电半导体的激光封装结构及方法，该方法包括：将所述金属凸台固定于所述氮化铝基板上；利用真空镀膜工艺在所述第三圆环的外侧面镀银；将玻璃盖扣在所述金属凸台上；在所述第一圆环和第三圆环之间填充锡膏；用激光加热所述锡膏使其融化，形成密封。采用本发明专利技术的封装结构和方法能够简化激光封装的工艺，提高产品生产效率。

A laser packaging structure and method of photoelectric semiconductor

The invention discloses a laser packaging structure and method of photoelectric semiconductor, the method includes: fixing the metal boss on the aluminum nitride substrate; using the vacuum coating process to plating silver on the outer side of the third ring; fastening the glass cover on the metal boss; filling solder paste between the first ring and the third ring; heating the solder paste with laser to melt it , forming a seal. The packaging structure and method of the invention can simplify the process of laser packaging and improve the production efficiency of the product.

【技术实现步骤摘要】
一种光电半导体的激光封装结构及方法
本专利技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种光电半导体的激光封装结构及方法。
技术介绍
LED、OLED等光电半导体器件已广泛应用于生活的各个领域，它们具有高效、低能耗，寿命长的特点，具有广阔的商业前景。然而，一些光电半导体器件中的电极和有机层对氧和水分十分敏感。如果水分和氧从外界环境渗透入器件内部，这会严重缩短器件的寿命。因此，为光电半导体器件提供一个有效的密封结构尤为重要。目前，光电半导体最常用的密封结构是用激光加热玻璃浆料将其融化，形成密封。玻璃浆料是一种对特定光波长具有高吸收率的材料，具有低熔点的特性。通过采用高能激光器加热并软化玻璃料，使其上有玻璃料的盖板玻璃和器件的基板玻璃之间形成气密式密封。但是玻璃浆料的制作需要大量的时间，加工效率较低，很难适用于大批量的生产，且存放不易，而且生产过程中将玻璃浆料用丝网印刷的方法涂覆在玻璃表面，激光要透过玻璃对玻璃浆料进行加热融化，然后按照涂覆的路径进行行走，这样的局部升温，会使玻璃破损，严重影响产品的成品率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种光电半导体的激光封装结构及方法，能够提高产品生产效率。为实现上述目的，本专利技术提供了如下技术方案：一种光电半导体的激光封装结构，包括：氮化铝基板、金属凸台和玻璃盖；所述金属凸台为第一圆环和第二圆环组成的一体结构，所述第一圆环的内径等于第二圆环的外径，所述第一圆环的高度大于第二圆环的高度；所述玻璃盖为圆形和第三圆环组成的一体结构，所述第三圆环的外径与所述圆形直径相等，所述第三圆环平置于所述圆形上；所述第三圆环的外径小于所述第二圆环的外径，所述第三圆环的外径大于所述第二圆环的内径；所述金属凸台位于所述氮化铝基板上，与所述氮化铝基板固定连接；所述玻璃盖扣在所述金属凸台上，与所述金属凸台密封连接。可选的，所述第三圆环的外侧面镀银。可选的，所述第一圆环和第三圆环之间填充锡膏。可选的，所述金属凸台的材质为铜。可选的，所述第三圆环的外径比所述第二圆环的外径小0.25mm。可选的，所述第三圆环的内径大于或等于所述第二圆环的内径。一种光电半导体的激光封装方法，应用于所述的光电半导体的激光封装结构，包括：将所述金属凸台固定于所述氮化铝基板上；利用真空镀膜工艺在所述第三圆环的外侧面镀银；将玻璃盖扣在所述金属凸台上；在所述第一圆环和第三圆环之间填充锡膏；用激光加热所述锡膏使其融化，形成密封。可选的，所述激光直径为0.1mm。根据本专利技术提供的具体实施例，本专利技术公开了以下技术效果：本专利技术通过在第三圆环的外侧面镀金属银，并在第一圆环和第三圆环之间填充锡膏，使激光直接照射在锡膏上，将其融化凝固，从而使得金属凸台与玻璃盖密封连接，这样可以避免玻璃盖表面的局部升温，提高产品的成品率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术光电半导体的激光封装结构示意图；图2为本专利技术光电半导体的激光封装结构的金属凸台结构示意图；图3为本专利技术光电半导体的激光封装结构的玻璃盖结构示意图；图4为本专利技术光电半导体的激光封装方法流程图；1-玻璃盖，2-氮化铝基板，3-金属凸台，31-第一圆环，32-第二圆环，11-圆形，12-第三圆环。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的目的是提供一种光电半导体的激光封装结构及方法，能够提高产品生产效率。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。如图1-3所示，一种光电半导体的激光封装结构，包括：氮化铝基板2、金属凸台3和玻璃盖1；所述金属凸台3的材质为铜，金属凸台3为第一圆环31和第二圆环32组成的一体结构，所述第一圆环31的内径等于第二圆环32的外径，所述第一圆环31的高度大于第二圆环32的高度，这样构成阶梯状，可以防止玻璃盖1压在半导体器件上面；所述玻璃盖1为圆形11和第三圆环12组成的一体结构，第三圆环12的外侧面镀银，所述第三圆环12的外径与所述圆形11直径相等，所述第三圆环12平置于所述圆形11上；所述第三圆环12的外径比所述第二圆环32的外径小0.25mm，所述第三圆环12的外径大于所述第二圆环32的内径；所述第三圆环12的内径大于或等于所述第二圆环32的内径；所述金属凸台3位于所述氮化铝基板2上，与所述氮化铝基板2固定连接；所述玻璃盖1扣在所述金属凸台3上，与所述金属凸台3通过锡膏密封连接。图4为本专利技术光电半导体的激光封装方法流程图，如图4所示，一种光电半导体的激光封装方法，包括：步骤401将所述金属凸台固定于所述氮化铝基板上；步骤402利用真空镀膜工艺在所述第三圆环的外侧面镀银；步骤403将玻璃盖扣在所述金属凸台上；步骤404在所述第一圆环和第三圆环之间填充锡膏；步骤405用激光加热所述锡膏使其融化，形成密封。具体的，步骤402中加工镀膜工艺时，用一层掩膜板盖在玻璃表面的圆形上方，避免圆形上镀上金属层，影响出光；步骤405中所述激光直径为0.1mm。本专利技术还公开了如下技术效果：1、本专利技术采用常见的焊料锡膏代替玻璃浆料，使封装工艺简化，成本减低，效率提高。2、本专利技术将焊料锡膏填充在玻璃盖与金属凸台的接触面之间，避免玻璃盖因激光加热时局部升温而被破坏。3、本专利技术在玻璃盖第三圆环的外侧面镀银金属，实现了玻璃与锡膏的结合。本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。本文中应用了具体个例对本专利技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本专利技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本专利技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本专利技术的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电半导体的激光封装结构，其特征在于，包括：氮化铝基板、金属凸台和玻璃盖；/n所述金属凸台为第一圆环和第二圆环组成的一体结构，所述第一圆环的内径等于第二圆环的外径，所述第一圆环的高度大于第二圆环的高度；/n所述玻璃盖为圆形和第三圆环组成的一体结构，所述第三圆环的外径与所述圆形直径相等，所述第三圆环平置于所述圆形上；所述第三圆环的外径小于所述第二圆环的外径，所述第三圆环的外径大于所述第二圆环的内径；/n所述金属凸台位于所述氮化铝基板上，与所述氮化铝基板固定连接；所述玻璃盖扣在所述金属凸台上，与所述金属凸台密封连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种光电半导体的激光封装结构，其特征在于，包括：氮化铝基板、金属凸台和玻璃盖；
所述金属凸台为第一圆环和第二圆环组成的一体结构，所述第一圆环的内径等于第二圆环的外径，所述第一圆环的高度大于第二圆环的高度；
所述玻璃盖为圆形和第三圆环组成的一体结构，所述第三圆环的外径与所述圆形直径相等，所述第三圆环平置于所述圆形上；所述第三圆环的外径小于所述第二圆环的外径，所述第三圆环的外径大于所述第二圆环的内径；
所述金属凸台位于所述氮化铝基板上，与所述氮化铝基板固定连接；所述玻璃盖扣在所述金属凸台上，与所述金属凸台密封连接。


2.根据权利要求1所述的一种光电半导体的激光封装结构，其特征在于，所述第三圆环的外侧面镀银。


3.根据权利要求1所述的一种光电半导体的激光封装结构，其特征在于，所述第一圆环和第三圆环之间填充锡膏。


4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建华，黄品涵，殷录桥，汪飞，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：上海;31