The invention discloses a flexible magnetoelectric coupling sensor and a preparation method thereof. The sensor comprises a substrate, which is formed by magnetostrictive materials; an insulating layer and a piezoelectric film layer are arranged on one end face of the substrate in sequence; a first surface electrode is arranged on the end face where the piezoelectric film layer is far away from the substrate; a second surface electrode is fixed on the end face where the piezoelectric film layer is close to the substrate; the scheme The substrate formed by magnetostrictive materials and the piezoelectric polyvinylidene fluoride or polyvinylidene fluoride copolymer are formed into piezoelectric film layer, so that the sensor material formed with the first surface electrode and the second surface electrode can produce electric polarization or magnetization under the effect of electric field under the effect of external magnetic field; and the electrode strip is set in the form of interdigital finger, with its cut-off However, it is different from the traditional ceramic longitudinal polarization with single interdigital electrode. In addition, the setting of substrate, insulation layer and piezoelectric film layer can greatly improve the magnetoelectric coupling coefficient.
【技术实现步骤摘要】
一种柔性磁电耦合传感器及其制备方法
本专利技术涉及磁电耦合器件领域,尤其是一种柔性磁电耦合传感器及其制备方法。
技术介绍
磁电效应是指材料在外加磁场的作用下能产生电极化或者是在电场的作用产生磁化的现象。由于在多功能电子器件领域有着潜在的应用,磁电材料一致是智能材料的研究热点。从1957年Landau和Lifshhitz理论计算某些特殊的材料具有磁电效应开始。研究者们陆续发现十几种不同体系的材料具有磁电效应。由于单相材料很难兼具高的介电常数和磁导率。这限定了单相磁电材料的发展。因此人们的目光就转向了复合材料上。磁电复合材料的结构可以分为0-3,1-3,和2-2型等,磁电复合材料研究热潮是从2001年韩国学者Ryu制备了Tb1-xDyxFe2(Terfenol-D)作为磁性相材料的2-2型磁致伸缩/压电层状磁电复合材料开始,人们认为Terfenol-D引入对磁电复合材料性能的影响是巨大的。后续研究者也在实验上观测到Terfenol-D/PZT和Terfenol-D/P(VDF-TrFE)]中的巨磁电效应。然而由于Terfenol-D合金的起始磁导率相对较低,而饱和场较高,导致它的压磁性能不是很理想,Zhai和Dong最先将高磁导率铁基非晶合金Metglas引入到了层状磁电复合材料中,并在Metglas/PZT陶瓷纤维复合材料。相比于传统的PZT陶瓷,PVDF是常见的有机铁电材料,其具有较高的化学稳定性、高热稳定性、高抗紫外线辐射能力、高耐冲击、耐疲劳能力,其化学稳定性比陶瓷高10倍,在80℃以下可长期使用,而且P ...
【技术保护点】
1.一种柔性磁电耦合传感器,其特征在于:其包括:/n基底,由磁致伸缩材料成型;/n绝缘层和压电薄膜层,依序贴合设于基底的一端面上;/n第一表面电极,固定设于压电薄膜层远离基底的端面上;/n第二表面电极,固定设于压电薄膜层接近基底的端面上。/n
【技术特征摘要】
1.一种柔性磁电耦合传感器,其特征在于:其包括:
基底,由磁致伸缩材料成型;
绝缘层和压电薄膜层,依序贴合设于基底的一端面上;
第一表面电极,固定设于压电薄膜层远离基底的端面上;
第二表面电极,固定设于压电薄膜层接近基底的端面上。
2.根据权利要求1所述的一种柔性磁电耦合传感器,其特征在于:所述的基底为金属玻璃。
3.根据权利要求2所述的一种柔性磁电耦合传感器,其特征在于:所述的金属玻璃的化学组成为:Fe78Mo2B20,其饱和磁感应强度为1.34T,矫顽力为5.57A/m。
4.根据权利要求1所述的一种柔性磁电耦合传感器,其特征在于:所述的绝缘层为二氧化硅层。
5.根据权利要求4所述的一种柔性磁电耦合传感器,其特征在于:所述的二氧化硅层为磁控溅射成型于基底上。
6.根据权利要求1所述的一种柔性磁电耦合传感器,其特征在于:所述的第一表面电极和第二表面电极均包括沿基底长度方向间隔设至的若干条电极条,第一表面电极的电极条沿基底一侧延伸并连接形成第一表面电极干路,第二表面电极的电极条沿基底另一侧延伸并连接形成第二表面电极干路。
7.根据权利要求1所述的一种柔性磁电耦合传感器,其特征在于:所述的压电薄膜层为聚偏氟乙烯或聚...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。