一种使用BCL制造技术

本发明专利技术公开了一种使用BCL

A way to use BCL

The invention discloses a method for using BCL

【技术实现步骤摘要】
一种使用BCL3的硼扩工艺
本专利技术属于太阳能光伏电池制造
，具体涉及一种使用BCL3的硼扩工艺。
技术介绍
在目前太阳能电池制造行业中，扩散被称为电池片的心脏,目前最常用的就是使用管式扩散炉对硅片进行掺杂。对于硼扩散有BBr3和BCL3两种，BCL3价格相对BBr3便宜很多，是光伏电池降本的重要途经，但BCL3在使用时发现在PECVD后外观存在发灰现象，严重影响电池片外观及转换效率。因此PECVD后外观发灰，是个亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供了一种使用BCL3的硼扩工艺，解决了PECVD后外观存在发灰的技术问题。为了解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：一种使用BCL3的硼扩工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、将制绒清洗后的晶体硅放入扩散炉内，使炉内压力达到预定压力值后恒定不变；S2、升温至第一温度，进行沉积，往所述扩散炉内通源，即通入氮气、干氧和BCL3，BCL3的体积流量为70sccm；S3、升温至第二温度，停止所述扩散炉内干氧和BCL3的通入，进行吹扫，吹扫过程中保持通入一定体积流量的氮气；第二温度高于所述第一温度；S4、循环步骤S2、S3若干次后，再进行一次步骤S2；S5、停止所述扩散炉内干氧和BCL3的通入，将炉内温度升高，并保持恒温一段时间，升温过程中保持通入一定体积流量的氮气；S6、升高炉内压力，通入氮气和干氧，氧化一段时间；S7、降温回压，并将所述晶体硅从所述扩散炉内取出。r>进一步地，所述第一温度为830℃～900℃；所述第二温度与所述第一温度的温度差为20℃。进一步地，所述步骤S2中，氮气的体积流量为1500～3000sccm，干氧的体积流量为200～500sccm。具体体积流量根据炉管压力和方阻在上述范围中调整。进一步地，所述步骤S2中，通源的时间为120～240s。具体时间根据炉管压力、循环次数和方阻在该范围中进行调整，时间达到300s后，PECVD会开始出现轻微发灰，缩短通源时间进一步防止PECVD出现轻微发灰的现象。进一步地，所述步骤S1中，预定压力值为50～200mbar。具体压力根据泵的能力、方阻在该范围中进行调整。进一步地，所述步骤S3中，吹扫时间为180s～300s；氮气的体积流量为1000～2000sccm。具体根据炉内压力在上述范围中调整。进一步地，所述步骤S5中，炉内温度为995℃～1003℃；恒温时间为30～60s；氮气的体积流量为3000～5000sccm。根据温度稳定情况在上述范围中的设定具体恒温时间，氮气流量根据炉内压力在上述范围中进行调整。进一步地，所述步骤S6中，炉内压力为200～400mbar；氮气的体积流量为0～2000sccm，干氧的体积流量为4000～8000sccm；氧化时间为1200s～1500s。进一步地，所述降温回压包括：降温时间为900s，炉内温度为780℃，炉内压力为400mbar，BCL3和干氧流量为0sccm，氮气流量为5000sccm；回压时间为470s，炉内温度为750～780℃，炉内压力为1010mbar，BCL3和干氧的体积流量均为0sccm，氮气体积流量为8000sccm。进一步地，所述步骤S4中，循环次数为3～5次。具体循环次数根据方阻来调整。本专利技术所达到的有益效果：本专利技术中，采用BCL3为掺杂源，使用BCL3扩散过程中会有CL2产生，CL2对硅片具有腐蚀性，与传统工艺相比，本专利技术的通源的时间短、通入BCL3的流量小，并且每两次通源之间插入一步吹扫步骤。缩短通源时间和降低BCL3流量可以显著改善PECVD后外观发灰问题，本专利技术采用少量多次的原则，且在每次通源后加入一步吹扫过程，既解决了PECVD后外观发灰问题，也保证了扩散源量充足。有效避免了因通源时间缩短和BCL3流量的降低导致扩散源量不足、扩散不充分、造成方阻偏大的缺陷，达到改善外观及提升电池效率的目的。具体实施方式下面对本专利技术作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。实施例一、一种使用BCL3的硼扩工艺，包括以下步骤：步骤(1)、将制绒清洗后的晶体硅放入扩散炉内，使炉内压力达到预定压力值150mbar后恒定不变。步骤(2)、升温至第一温度830℃，往扩散炉内通源，通源时间为120s，即通入氮气、干氧和BCL3；BCL3的体积流量为70sccm，氮气的体积流量为2400sccm，干氧的体积流量为350sccm。步骤(3)、升温至第二温度850℃，进行吹扫，吹扫时间为180s，炉内干氧和BCL3的流量为0sccm，氮气的体积流量为1500sccm。步骤(4)、通源时间为180s，炉内温度为850℃，炉内压力为150mbar，BCL3的体积流量为70sccm，氮气的体积流量为2400sccm，干氧的体积流量为350sccm。步骤(5)、吹扫时间为240s，炉内温度为870℃，炉内压力为150mbar，炉内干氧和BCL3的流量为0sccm，氮气的体积流量为1500sccm。步骤(6)、通源时间为180s，炉内温度为870℃，炉内压力为150mbar，BCL3的体积流量为70sccm，氮气的体积流量为2400sccm，干氧的体积流量为350sccm。步骤(7)、升温时间为780s，将炉内温度升高至1000℃，保持1000℃恒温60s，炉内压力为150mbar，炉内氮气的体积流量为3800sccm。步骤(8)、将炉内压力升至200mbar，炉内干氧的体积流量为4000sccm，氮气的体积流量为1000sccm；一段氧化的氧化时间为1500s，炉内温度为1000℃；二段氧化的氧化时间为900s，炉内温度为780℃。步骤(9)降温时间为900s，炉内温度为780℃，炉内压力为400mbar，BCL3和干氧流量为0sccm，氮气流量为5000sccm；回压时间为470s，炉内温度为750℃，炉内压力为1010mbar，BCL3和干氧流量为0sccm，氮气流量为8000sccm。步骤(10)硼扩结束，将晶体硅从扩散炉内取出。实施例二、一种使用BCL3的硼扩工艺，包括以下步骤：步骤(1)、将制绒清洗后的晶体硅放入扩散炉内，使炉内压力达到预定压力值100mbar后恒定不变。步骤(2)、升温至第一温度860℃，往扩散炉内通源，通源时间为200s，即通入氮气、干氧和BCL3；BCL3的体积流量为70sccm，氮气的体积流量为2000sccm，干氧的体积流量为300sccm。步骤(3)、升温至第二温度880℃，进行吹扫，吹扫时间为200s，炉内干氧和BCL3的流量为0sccm，氮气的体积流量为1800sccm。步骤(4)、通源时间为200s，炉内温度为880℃，炉内压力为100mbar，BCL3的体积流量为70sc本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用BCL

【技术特征摘要】
1.一种使用BCL3的硼扩工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将制绒清洗后的晶体硅放入扩散炉内，使炉内压力达到预定压力值后恒定不变；
S2、升温至第一温度，进行沉积，往所述扩散炉内通源，即通入氮气、干氧和BCL3，BCL3的体积流量为70sccm；
S3、升温至第二温度，停止所述扩散炉内干氧和BCL3的通入，进行吹扫，吹扫过程中保持通入一定体积流量的氮气；第二温度高于所述第一温度；
S4、循环步骤S2、S3若干次后，再进行一次步骤S2；
S5、停止所述扩散炉内干氧和BCL3的通入，将炉内温度升高，并保持恒温一段时间，升温过程中保持通入一定体积流量的氮气；
S6、升高炉内压力，通入氮气和干氧，氧化一段时间；
S7、降温回压，并将所述晶体硅从所述扩散炉内取出。


2.根据权利要求1所述的一种使用BCL3的硼扩工艺，其特征在于，所述第一温度为830℃~900℃；所述第二温度与所述第一温度的温度差为20℃。


3.根据权利要求1所述的一种使用BCL3的硼扩工艺，其特征在于，所述步骤S2中，氮气的体积流量为1500~3000sccm，干氧的体积流量为200~500sccm。


4.根据权利要求1所述的一种使用BCL3的硼扩工艺，其特征在于，所述步骤S2中，通源的时间为120~240s。


5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾成阳，李影，宛正，
申请(专利权)人：阜宁苏民绿色能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32