一种阵列基板及OLED显示装置制造方法及图纸

技术编号:22567059 阅读:67 留言:0更新日期:2019-11-16 12:54
本发明专利技术揭露一种阵列基板及OLED显示装置,阵列基板的金属走线采用三层金属结构设计,通过在两层金属层之间设置一层无机绝缘层和一层有机绝缘层,可以减少两层走线之间的耦合效应;通过将形成存储电容的第二极板的区域处的有机绝缘层全部或部分曝光,可以形成较大存储电容;通过第三金属层自身形成网状结构的构造,可以在不增加光罩的情况下降低IR压降,提高画面显示均匀度。

An array substrate and OLED display device

The invention discloses an array substrate and an OLED display device. The metal wiring of the array substrate adopts a three-layer metal structure design. By setting an inorganic insulating layer and an organic insulating layer between the two metal layers, the coupling effect between the two layers of wiring can be reduced; by exposing all or part of the organic insulating layer at the area where the second electrode plate forming the storage capacitance is exposed, the It can reduce the IR voltage drop and improve the uniformity of image display without increasing the mask.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及OLED显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板及OLED显示装置。
技术介绍
近年来OLED(OrganicLightEmittingDiode,有机发光二极管)显示技术的快速发展,推动曲面和柔性显示产品迅速进入市场,相关领域技术更新也是日新月异。OLED是指利用有机半导体材料和发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光的二极管。OLED显示装置由于重量轻、自发光、广视角、驱动电压低、发光效率高、功耗低、响应速度快等优点,应用范围越来越广泛。OLED是电流驱动器件,当有电流流经时OLED发光,且发光亮度由流经OLED自身的电流决定。大部分已有的IC(IntegratedCircuit,集成电路)都只传输电压信号,故OLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。现有技术中的OLED像素驱动电路通常为7T1C(7transistor1capacitance,即七个薄膜晶体管加一个存储电容的结构)电路,以将电压变换为电流,并通过7T1C电路进行像素电流(Pixelcircuit)的控制。参考图1,现有的阵列基板的层状结构示意图。所述阵列基板包括基板衬底111,阻挡层(M/B)112,缓冲层(Buffer)113,有源层(Act)114,第一栅绝缘层(GI1)115,第一栅极层(GE1)116,第二栅绝缘层(GI2)117,第二栅极层(GE2)118,介电绝缘层(ILD)119,第一源/漏极层(SD1)120,钝化层(PV)121,第一平坦层(PLN1)122,第二源/漏极层(SD2)123,第二平坦层(PLN2)124。采用所述阵列基板的显示面板还包括依次设于所述第二平坦层124上的阳极(ANO)125,像素定义层(PixelDefinedLayer,简称PDL)126以及光阻层(PhotoSpacer,简称PS)127。由图1可以看出,在现有的阵列基板设计中,采用所述有源层114、所述第一栅极层116以及所述第一源/漏电极120构成所述阵列基板的7T1C电路的薄膜晶体管(TFT)。采用所述第一栅极层116作为存储电容的下极板、所述第二栅极层118作为存储电容的上极板,直接采用所述第一栅极层116与所述第二栅极层118重叠区域的所述第二栅绝缘层117作为存储电容的介电绝缘层,从而形成7T1C电路的存储电容,以进行7T1C电路的驱动薄膜晶体管(DriverTFT)的驱动。在所述第二栅极层118上方沉积的一层无机绝缘层作为所述介电绝缘层119,然后沉积一层所述第一源/漏极层120并图案化形成所述薄膜晶体管的源/漏极以及数据信号线(Dataline);在所述第一源/漏极层120上方涂布(coater)一层所述第一平坦层122,然后沉积一层所述第二源/漏极层123并图案化形成电源信号线(PowerLine);在所述第二源/漏极层123上方涂布一层所述第二平坦层124,然后沉积一层阳极金属(PE)并进行图案化形成所述阳极125。现有的阵列基板在显示区(AA)显示时存在IR压降(IR-Drop)导致的画面显示不均问题,并存在制程风险。另外,现有的阵列基板,数据信号线与电源信号线之间会存在耦合(couple)电容,同时两栅极层重叠区域的绝缘层厚度受限,无法形成较大存储电容。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,针对现有技术存在的问题,提供一种阵列基板及OLED显示装置,可以降低IR压降,提高画面显示均匀度,还可以减小走线之间的耦合存储电容,并可以形成较大存储电容。为实现上述目的,本专利技术提供了一种阵列基板,包括多个子像素,每一所述子像素包括一驱动薄膜晶体管以及一存储电容;所述阵列基板还包括:第一金属层,所述第一金属层构成所述驱动薄膜晶体管的栅电极和扫描驱动线;第二金属层,所述第二金属层构成所述驱动薄膜晶体管的源/漏电极、数据信号线、复位信号线以及所述存储电容的第一极板;第三金属层,所述第三金属层构成电源信号线以及所述存储电容的第二极板。为实现上述目的,本专利技术还提供了一种OLED显示装置,所述OLED显示装置包括OLED显示面板,所述OLED显示面板包括本专利技术所述的阵列基板。本专利技术的优点在于:本专利技术阵列基板的金属走线采用三层金属结构设计,可便于更大PPI电路设计;通过在两层金属层之间设置一层无机绝缘层和一层有机绝缘层,可以减少两层走线之间的耦合效应;通过将形成存储电容的第二极板的区域处的有机绝缘层全部或部分曝光,可以形成较大存储电容;通过第三金属层自身形成网状结构的构造,可以在不增加光罩的情况下降低IR压降,提高画面显示均匀度。同时,本专利技术采用镜像对称结构设置,通过共用复位信号线及第一过孔及电源信号线及第二过孔,以及复位信号线和电源信号线沿相同方向延伸,可以省去一半左右的电源信号线、复位信号线走线以及过孔,从而为PPI的提高提供了空间,利于实现高PPI面板设计。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为现有的阵列基板的层状结构示意图;图2为本专利技术阵列基板一实施例的层状结构示意图;图3为本专利技术阵列基板一实施例的像素结构示意图。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施方式,所述实施方式的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的组件或具有相同或类似功能的组件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本专利技术,而不能理解为对本专利技术的限制。此外,本专利技术在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。本专利技术阵列基板,包括多个子像素,每一所述子像素包括一驱动薄膜晶体管(DriverTFT)以及一存储电容;所述阵列基板还包括:第一金属层(GE1),所述第一金属层构成所述驱动薄膜晶体管的栅电极(Gate)和扫描驱动线(Scanline);第二金属层(SD1),所述第二金属层构成所述驱动薄膜晶体管的源/漏电极(S/D)、数据信号线(Dataline)、复位信号线(VIline,用于复位存储电容和阳极)以及所述存储电容的第一极板;第三金属层(SD2),所述第三金属层构成电源信号线(Power(Vdd)Line或Power(VSS)Line)以及所述存储电容的第二极板。采用第二金属层与第三金属层制作存储电容的两极板,第一金属层上只制作驱动薄膜晶体管的栅电极以及扫描驱动线,可便于更大像素密度(PixelsPerInch,简称PPI)电路设计。优选的,所述第一金属层与所述第二金属层之间包括一层无机绝缘层和一层有机绝缘层,以减少两层走线之间的耦合效应。优选的,所述第二金属层与所述第三金属层之间包括一层无机绝缘层和一层有机绝缘层;更优选的,所述存储电容的第一极板与第二极板之间仅设有一本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种阵列基板,包括多个子像素,每一所述子像素包括一驱动薄膜晶体管以及一存储电容;其特征在于,所述阵列基板还包括:/n第一金属层,所述第一金属层构成所述驱动薄膜晶体管的栅电极和扫描驱动线;/n第二金属层,所述第二金属层构成所述驱动薄膜晶体管的源/漏电极、数据信号线、复位信号线以及所述存储电容的第一极板;/n第三金属层,所述第三金属层构成电源信号线以及所述存储电容的第二极板。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,包括多个子像素,每一所述子像素包括一驱动薄膜晶体管以及一存储电容;其特征在于,所述阵列基板还包括:
第一金属层,所述第一金属层构成所述驱动薄膜晶体管的栅电极和扫描驱动线;
第二金属层,所述第二金属层构成所述驱动薄膜晶体管的源/漏电极、数据信号线、复位信号线以及所述存储电容的第一极板;
第三金属层,所述第三金属层构成电源信号线以及所述存储电容的第二极板。


2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层与所述第二金属层之间包括一层无机绝缘层和一层有机绝缘层。


3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二金属层与所述第三金属层之间包括一层无机绝缘层和一层有机绝缘层。


4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述存储电容的第一极板与第二极板之间仅设有一层所述无机绝缘层。


5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第三金属层形成网状结构。


6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
基板衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐品全王威
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北;42

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