A wiring structure includes an insulating layer and a conductive structure. The insulating layer has an upper surface and a lower surface opposite the upper surface, and defines an opening through the insulating layer. The conductive structure is located in the opening of the insulating layer and comprises a first barrier layer and a wetting layer. The first barrier layer is located on the side wall of the opening of the insulating layer and defines a perforation through the first barrier layer. The wetting layer is located on the first barrier layer. A portion of the wetting layer is exposed from the perforation of the first barrier layer and the lower surface of the insulating layer to form a ball pad.
【技术实现步骤摘要】
布线结构、电子装置和其制造方法
本专利技术涉及布线结构(wiringstructure)、电子装置和制造方法,且涉及使润湿层(wettinglayer)的一部分从屏障层(barrierlayer)暴露以形成球垫(ballpad)的布线结构、包含所述布线结构的电子装置,以及用于制造所述电子装置的方法。
技术介绍
在射频(radiofrequency,RF)裸片的封装中,重布层(redistributionlayer,RDL)结构可用以与RF裸片耦合。归因于阻抗匹配(impedancematching)问题,此类重布层结构通常设计为具有五个钝化层和五个金属层(fivepassivationlayersandfivemetallayers,5P5M)的结构。一个钝化层和一个金属层(1P1M)的结构的制造过程通常耗时约10天,因此5P5M结构的制造过程通常需要约60天的总制造时间。因此,制造成本较高。此外,此类5P5M结构的厚度较大,容易导致翘曲和/或脱层问题。
技术实现思路
在一些实施例中,一种布线结构包含绝缘层(insulatinglayer)和导电结构(conductivestructure)。所述绝缘层具有上表面和与所述上表面相对的下表面,且界定贯穿所述绝缘层的开口。所述导电结构位于所述绝缘层的所述开口中,并包含第一屏障层和润湿层。所述第一屏障层位于所述绝缘层的所述开口的侧壁上,且界定贯穿所述第一屏障层的穿孔。所述润湿层位于所述第一屏障层上。所述润湿层的一部分从所述第一屏障层的所述和所述绝缘层的所 ...
【技术保护点】
1.一种布线结构,其包括:/n绝缘层,其具有上表面和与所述上表面相对的下表面,且界定贯穿所述绝缘层的开口;和/n导电结构,其位于所述绝缘层的所述开口中并包含第一屏障层和润湿层,其中所述第一屏障层位于所述绝缘层的所述开口的侧壁上,且界定贯穿所述第一屏障层的穿孔,所述润湿层位于所述第一屏障层上,且所述润湿层的一部分从所述第一屏障层的所述穿孔和所述绝缘层的所述下表面暴露以形成球垫。/n
【技术特征摘要】
20180508 US 15/974,4191.一种布线结构,其包括:
绝缘层,其具有上表面和与所述上表面相对的下表面,且界定贯穿所述绝缘层的开口;和
导电结构,其位于所述绝缘层的所述开口中并包含第一屏障层和润湿层,其中所述第一屏障层位于所述绝缘层的所述开口的侧壁上,且界定贯穿所述第一屏障层的穿孔,所述润湿层位于所述第一屏障层上,且所述润湿层的一部分从所述第一屏障层的所述穿孔和所述绝缘层的所述下表面暴露以形成球垫。
2.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述第一屏障层的材料包含镍,且所述润湿层的材料包含金。
3.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述导电结构另外包含第二屏障层和重布层,所述第二屏障层位于所述润湿层上,且所述重布层位于所述第二屏障层上。
4.根据权利要求3所述的布线结构,其中所述第二屏障层的材料包含镍,且所述重布层的材料包含铜。
5.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述导电结构另外包含位于所述绝缘层与所述导电结构之间的晶种层。
6.根据权利要求5所述的布线结构,其中所述晶种层包含钛层和位于所述钛层上的铜层。
7.一种电子装置,其包括:
第一绝缘层,其具有上表面和与所述上表面相对的下表面,且界定贯穿所述第一绝缘层的第一开口;
下部导电结构,其包含位于所述第一绝缘层的所述第一开口中的下部电路结构,其中所述下部电路结构包含多个金属层,所述下部电路结构包含接合区和延伸区,且所述接合区的金属层的层数不同于所述延伸区的金属层的层数;和
至少一个电连接元件,其附接到所述下部导电结构的所述接合区。
8.根据权利要求7所述的电子装置,其中所述延伸区由三个金属层组成,且所述接合区由两个金属层组成。
9.根据权利要求8所述的电子装置,其中所述延伸区由第一屏障层、润湿层和第二屏障层组成。
10.根据权利要求7所述的电子装置,其中所述接合区从所述第一绝缘层的所述下表面凹入。
11.根据权利要求7所述的电子装置,其中所述下部导电结构另外包含位于所述下部电路结构上的下部重布层。
12.根据权利要求11所述的电子装置,其中所述下部重布层的外围壁与所述下部电路结构的外围壁对准。
13.根据权利要求11所述的电子装置,其中所述下部重布层的材料包含铜。
14.根据权利要求7所述的电子装置,其中所述下部导电结构另外包含位于所述第一绝缘层与所...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄文宏,黄茜楣,钟燕雯,
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;TW
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