电子装置及其制造方法制造方法及图纸

一种电子装置包含第一电介质层、第二电介质层和至少一个第一立柱凸块。所述第二电介质层安置在所述第一电介质层上。所述第一立柱凸块安置于所述第一电介质层和所述第二电介质层中。所述第一立柱凸块包含凸块部分和立柱部分，且所述立柱部分安置于所述凸块部分上。

Electronic device and its manufacturing method

An electronic device includes a first dielectric layer, a second dielectric layer and at least one first pillar bump. The second dielectric layer is arranged on the first dielectric layer. The first column boss is arranged in the first dielectric layer and the second dielectric layer. The first column convex block comprises a convex block part and a column part, and the column part is arranged on the convex block part.

【技术实现步骤摘要】
电子装置及其制造方法
本公开涉及一种电子装置和一种制造方法，且涉及一种包含至少一个立柱凸块的电子装置和一种用于制造所述电子装置的方法。
技术介绍
随着电子工业的快速发展和半导体处理技术的进展，半导体芯片与增大数目个电子组件集成以实现更好的电气性能和更多功能。因此，半导体芯片具备更多的输入/输出(I/O)连接。为制造包含具有增大数目个I/O连接的半导体芯片的半导体封装，可对应地增大半导体芯片和半导体封装的尺寸。因此，制造成本可能相应地增加。或者，为使包含具有增加数目个I/O连接的半导体芯片的半导体封装的尺寸最小化，应相应地重新设计用于承载半导体芯片的半导体衬底。对于例如半导体衬底等电子装置，可通过改变其材料或通过改变其结构设计来实现功能性改进和尺寸减小。当改变电子装置的材料时，可相应地修改生产设备和制造方法的设定或参数，与调整其结构设计相比，这可能较复杂且昂贵。因此，改进电子装置的功能性和减小电子装置的尺寸的一种有效方式是通过结构设计来实现。
技术实现思路
在一些实施例中，一种电子装置包含第一电介质层、第二电介质层和至少一个第一立柱凸块。所述第二电介质层安置在所述第一电介质层上。第一立柱凸块安置于第一电介质层和第二电介质层中。第一立柱凸块包含凸块部分和立柱部分，且立柱部分安置于凸块部分上。在一些实施例中，一种用于制造电子装置的方法包含：(a)提供载体；(b)在所述载体上形成至少一个第一立柱凸块，其中所述第一立柱凸块包含凸块部分和立柱部分，且所述立柱部分安置于凸块部分上；(c)形成第一电介质层以覆盖第一立柱凸块的凸块部分的至少一部分；以及(d)在第一电介质层上形成第二电介质层以覆盖第一立柱凸块的立柱部分的至少一部分。附图说明本公开的一些实施例的方面在与附图一起阅读时从以下详细描述最好地理解。应注意，各种结构可能未按比例绘制，且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。图1说明根据本公开的一些实施例的电子装置1的剖面图。图2说明图1中展示的区域“A”的放大视图。图3说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图。图4说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图。图5说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图。图6说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图。图7说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图。图8说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图。图9说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图。图10说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图。图11说明图10中展示的区域“B”的放大视图。图12说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图的放大视图。图13说明图12的俯视图。图14说明根据本公开的一些实施例的电子装置的放大俯视图。图15说明沿着图14的线I-I截取的剖面图。图16说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图的放大视图。图17说明图16的俯视图。图18说明根据本公开的一些实施例的电子装置的放大俯视图。图19说明沿着图18的线II-II截取的剖面图。图20说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图。图21说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图。图22说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图。图23说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图。图24说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图。图25说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图。图26说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图。图27说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图。图28说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图。图29说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图。图30说明根据本公开的一些实施例的电子装置的剖面图。图31说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图32说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图33说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图34说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图35说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图36说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图37说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图38说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图39说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图40说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图41说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图42说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图43说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图44说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图45说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图46说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图47说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图48说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图49说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图50说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图51说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图52说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图53说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图54说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图55说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。图56说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的实例的一或多个阶段。具体实施方式贯穿图式和详细描述使用共同参考标号来指示相同或类似组件。根据结合附图作出的以下详细描述将容易理解本公开的实施例。以下公开内容提供用于实施所提供标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例来阐释本公开的某些方面。当然，这些只是实例且并不希望为限制性的。举例来说，在以下描述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子装置，其包括：/n第一电介质层；/n第二电介质层，其安置于所述第一电介质层上；以及/n至少一个第一立柱凸块，其安置于所述第一电介质层和所述第二电介质层中，其中所述第一立柱凸块包含凸块部分和立柱部分，且所述立柱部分安置于所述凸块部分上。/n

【技术特征摘要】
20180508 US 15/974,4231.一种电子装置，其包括：
第一电介质层；
第二电介质层，其安置于所述第一电介质层上；以及
至少一个第一立柱凸块，其安置于所述第一电介质层和所述第二电介质层中，其中所述第一立柱凸块包含凸块部分和立柱部分，且所述立柱部分安置于所述凸块部分上。


2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一立柱凸块的所述凸块部分的体积大于所述第一立柱凸块的所述立柱部分的体积。


3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一立柱凸块的所述立柱部分呈圆锥形状，且所述第一立柱凸块的所述凸块部分呈盘形状。


4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一立柱凸块进一步包含位于所述第一立柱凸块的所述立柱部分和所述第一立柱凸块的所述凸块部分之间的肩部部分，所述第一立柱凸块的所述凸块部分的最大宽度大于所述第一立柱凸块的所述肩部部分的最大宽度，且所述第一立柱凸块的所述肩部部分的所述最大宽度大于所述第一立柱凸块的所述立柱部分的最大宽度。


5.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一立柱凸块的所述凸块部分的最大宽度大于所述第一立柱凸块的所述立柱部分的最大宽度。


6.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一立柱凸块的所述立柱部分和所述第一立柱凸块的所述凸块部分一体地形成。


7.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一立柱凸块的所述凸块部分的侧壁为凸面的。


8.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一电介质层和所述第二电介质层之间的边界低于所述第一立柱凸块的所述凸块部分的顶部表面。


9.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一电介质层和所述第二电介质层之间的边界高于所述第一立柱凸块的所述凸块部分的顶部表面。


10.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括安置于所述第二电介质层上的上部电路层，其中所述上部电路层接触所述第一立柱凸块的所述立柱部分。


11.根据权利要求10所述的电子装置，其进一步包括电连接到所述上部电路层的半导体裸片。


12.根据权利要求10所述的电子装置，其进一步包括安置于所述第一电介质层上的下部电路层，其中所述下部电路层的线宽/线距(L/S)大于所述上部电路层的线宽/线距(L/S)。


13.根据权利要求12所述的电子装置，其中所述下部电路层接触所述第一立柱凸块的所述凸块部分。


14.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述至少一个第一立柱凸块包含多个第一立柱凸块，且所述第一电介质层界定两个邻近的第一立柱凸块之间的凹口部分。


15.根据权利要求14所述的电子装...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕文隆，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;TW