The invention discloses a manufacturing method of silicon chip on the insulating layer, which comprises the following steps: S1. Forming a first oxide layer with dielectric isolation effect on the surface of polysilicon substrate by thermal oxidation growth method; S2. Coating photoresist on the first oxide layer, exposing and etching through holes; S3. Forming the first plurality by selective epitaxial growth on the surface of the first oxide layer by through holes Crystal silicon layer; S4. On the first polycrystalline silicon layer, silicon and oxidant react to form a second oxide layer at high temperature by thermal growth; S5. On the surface of the second oxide layer, the second polycrystalline silicon layer is formed by selective epitaxial growth; S6. In the second polycrystalline silicon layer, ions are implanted near the second oxide layer to form a metal impurity adsorption layer. The invention can improve the radiation resistance of SOI device, at the same time, avoid the influence of free metal impurities on the circuit and electronic components, and ensure that the imaging of CMOS image sensor with silicon structure on the insulator will not appear white spots.
【技术实现步骤摘要】
一种绝缘层上覆硅芯片的制作方法
本专利技术涉及覆硅芯片生产
,尤其涉及一种绝缘层上覆硅芯片的制作方法。
技术介绍
绝缘体上硅(SOI)是指在一绝缘衬底上再形成-层单晶硅薄膜。或者是单晶硅薄膜被-绝缘层(通常是SiO2)从支撑的硅衬底中分开这样结构的材料。这种材料结构可实现制造器件的薄膜材料完全与衬底材料的隔离。SOI是指以“工程化的”基板代替传统的体型衬底硅的基板技术,这种基板由以下三层构成:薄薄的单晶硅顶层,在其上形成蚀刻电路;相当薄的绝缘二氧化硅中间层;非常厚的体型衬底硅衬底层,其主要作用是为上面的两层提供机械支撑。绝缘体上硅,在整个行业向新一代半导体器件的衍变过程中,芯片制造商面临着严峻的挑战。具体的讲,生产高性能芯片的制造商面临的挑战来自对速度更快、温度更低的芯片设计的需求。用于移动应用的芯片制造商需要的是功耗更小的半导体器件。为了应对这些挑战,大多数业界领先的器件制造商都选择了绝缘体上硅。但是,由于SOI特殊的结构和工艺,目前其产品市场份额和发展空间还不够大。随着近几年SOI晶片制造技术取得的进步以及在商用芯片高速低压低功耗需求的日益驱动下。它已成为制造低电压低功耗芯片的关键技术,在IC制造中正在占据举足轻重的地位在解决材料均匀性低缺陷和漏电,以及材料成本等问题以后,SOI将成为硅集成电路的主流技术。成为21世纪微电子技术的核心正是基于SOI诱人的前景,由于速度更快、功耗更小等性能优势,绝缘体上硅结构的应用越来越广泛。基于绝缘体上硅结构的CM0S图像传感器也越来越多,但是经多次 ...
【技术保护点】
1.一种绝缘层上覆硅芯片的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1、在多晶硅衬底表面上通过热氧化生长法形成具有介质隔离作用的第一氧化层;/nS2、在第一氧化层上涂光刻胶,曝光、刻蚀出通孔;/nS3、通过通孔,在第一氧化层表面,利用选择外延生长形成第一多晶硅层;/nS4、在第一多晶硅层上,利用热生长使硅与氧化剂在高温下反应形成第二氧化层;/nS5、在第二氧化层表面,利用选择外延生长形成第二多晶硅层;/nS6、在第二多晶硅层内靠近第二氧化层的区域处注入离子,形成金属杂质吸附层;/nS7、在第二多晶硅层中远离第二氧化层的区域上形成电路及电子元件。/n
【技术特征摘要】
1.一种绝缘层上覆硅芯片的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、在多晶硅衬底表面上通过热氧化生长法形成具有介质隔离作用的第一氧化层;
S2、在第一氧化层上涂光刻胶,曝光、刻蚀出通孔;
S3、通过通孔,在第一氧化层表面,利用选择外延生长形成第一多晶硅层;
S4、在第一多晶硅层上,利用热生长使硅与氧化剂在高温下反应形成第二氧化层;
S5、在第二氧化层表面,利用选择外延生长形成第二多晶硅层;
S6、在第二多晶硅层内靠近第二氧化层的区域处注入离子,形成金属...
【专利技术属性】
技术研发人员:甄建伟,
申请(专利权)人:大同新成新材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:山西;14
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