过孔连接结构及阵列基板的制造方法、阵列基板技术

本公开实施例提供一种过孔连接结构及阵列基板的制造方法、阵列基板，该过孔连接结构的制造方法包括：在衬底基板上形成绝缘层并在该绝缘层中形成第一过孔；在该第一过孔中形成连接部；在该绝缘层的表面上形成覆盖该连接部的保护层；在该绝缘层和所述保护层中形成第二过孔；至少部分去除该保护层，暴露出该连接部。该制造方法通过在形成第二过孔之前形成保护层对连接部进行保护，避免了光刻胶的剥离工艺对该连接部造成损伤。

Through hole connection structure and manufacturing method of array substrate, array substrate

The embodiment of the disclosure provides a through-hole connection structure, a manufacturing method of the array substrate and the array substrate. The manufacturing method of the through-hole connection structure includes: forming an insulating layer on the substrate substrate and forming a first through-hole in the insulating layer; forming a connection part in the first through-hole; forming a protective layer covering the connection part on the surface of the insulating layer; forming a protective layer on the insulating layer and the protection layer A second through hole is formed in the protective layer; at least the protective layer is partially removed and the connection part is exposed. The manufacturing method protects the joint by forming a protective layer before forming the second through-hole, so as to avoid the damage of the joint caused by the stripping process of photoresist.

【技术实现步骤摘要】
过孔连接结构及阵列基板的制造方法、阵列基板
本公开实施例涉及一种过孔连接结构及阵列基板的制造方法、阵列基板。
技术介绍
显示面板通常包括显示区和焊盘(BondingPad)区，焊盘区用于在显示区器件制作完成后，与外部元件进行绑定(Bonding)以为显示面板提供信号，例如电源电压信号等。焊盘区的过孔连接结构的制作工艺如何不对显示区器件造成不利影响，是本领域关注的问题。
技术实现思路
本公开至少一实施例提供一种过孔连接结构的制造方法，包括：在衬底基板上形成绝缘层并在所述绝缘层中形成第一过孔；在所述第一过孔中形成连接部；在所述绝缘层的表面上形成覆盖所述连接部的保护层；在所述绝缘层和所述保护层中形成第二过孔；至少部分去除所述保护层，暴露出所述连接部。例如，所述制造方法还包括：在形成所述绝缘层之前，在所述衬底基板上形成第一接触电极和第二接触电极，所述绝缘层覆盖所述第一接触电极和所述第二接触电极，所述第一过孔和所述第二过孔分别至少部分暴露所述第一接触电极和所述第二接触电极，所述第一接触电极与所述连接部电连接。例如，所述第一接触电极和所述第二接触电极在所述衬底基板上的同一层中形成。例如，至少部分去除所述保护层包括：在所述保护层上涂覆第一光刻胶层，采用第一掩模板对所述第一光刻胶层曝光、显影，以形成第一刻蚀掩膜，所述第一刻蚀掩膜包括保留在所述第二过孔中的部分；采用所述第一刻蚀掩膜刻蚀所述保护层。例如，在所述绝缘层和所述保护层中形成所述第二过孔包括：在所述保护层上涂覆第二光刻胶层，采用第二掩模板对所述第二光刻胶层曝光，以形成第二刻蚀掩膜；采用所述第二刻蚀掩膜对所述保护层和所述绝缘层进行刻蚀。例如，所述第一掩模板和所述第二掩模板是同一掩模板或具有相同的图案，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层采用性质相反的光刻胶材料。例如，形成所述连接部包括：形成在所述绝缘层上形成导电层，其中所述导电层填充所述第一过孔，进行抛光处理以去除所述绝缘层表面上的所述导电层。例如，所述制造方法还包括：在去除所述保护层之后，在所述绝缘层之上形成第一电极，其中，所述第一电极与所述连接部电连接。例如，所述制造方法还包括：在形成第一电极的同时，在所述第二过孔中形成第二电极。本公开至少一实施例还提供一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括过孔连接结构，所述制造方法包括：包括采用上述制造方法形成所述过孔连接结构。例如，所述阵列基板包括显示区和焊盘区，其中，所述第一过孔位于所述显示区，所述第二过孔位于所述焊盘区。例如，所述制造方法还包括：在形成所述绝缘层之前，在所述衬底基板上形成第一接触电极和第二接触电极，所述绝缘层覆盖所述第一接触电极和所述第二接触电极，所述第一过孔和所述第二过孔分别至少部分暴露出所述第一接触电极和所述第二接触电极，所述第一接触电极与所述连接部电连接。例如，所述制造方法还包括：在去除所述保护层之后，在所述绝缘层之上形成第一电极，其中，所述第一电极与所述连接部电连接。例如，所述制造方法还包括：在所述第一电极上形成有机发光二极管。例如，所述阵列基板包括源漏电极层和栅极层，所述第一接触电极和第二接触电极与所述源漏电极层形成于同一层，或者所述第一接触电极与所述第二接触电极分别与所述源漏电极层和所述栅极层形成于同一层。本公开至少一实施例还提供一种阵列基板，所述阵列基板采用上述的制造方法形成。附图说明为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。图1A-1C为一种过孔连接结构的制造方法的步骤示意图；图2为本公开一实施例提供的过孔连接结构的制造方法流程图；图3A-3I为本公开一实施例提供的过孔连接结构的制造方法步骤示意图；图4A-4C为本公开另一实施例提供的过孔连接结构的制造方法步骤示意图；图5为本公开一实施例提供的阵列基板的平面示意图；图6A和图6B为图5中阵列基板的局部剖视图；图7为本公开实施例提供的阵列基板的制造方法的流程图。具体实施方式为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。专利技术人发现，过孔的制造工艺容易对已经形成的过孔中的连接部造成不利影响，例如，在焊盘区的接触孔的制造工艺中，容易对显示区中用于像素电极的过孔中的连接部造成腐蚀或剥落等不利影响。如图1A-1C所示，利用光刻胶层11作为掩模刻蚀绝缘层16形成接触孔12，从而暴露出焊盘区的接触电极13，之后在对光刻胶层11进行剥离时，容易将像素电极过孔17中的连接部14的导电材料部分带出，由此在像素电极过孔17中的连接部14上方形成空隙，该空隙导致后续在连接部14上形成的像素电极15容易断裂或者在该像素电极15的表面形成较大的段差(如图1C)，这不但容易造成该像素电极15与该连接部14之间的接触不良，还容易对后续形成在像素电极15上的发光元件等造成不利影响，从而导致由此得到的显示装置显示不均一等问题。本公开的至少一实施例提供一种过孔连接结构及阵列基板的制造方法、以及采用该制造方法形成的阵列基板，能够对该过孔连接结构中的连接部进行保护，使得其上形成的结构具有较为平整的表面，从而对工艺进行了改良。图2为本公开一实施例提供的过孔连接结构的制造方法流程图，图3A-3I为该制造方法的制造方法步骤示意图。如图所示，该过孔连接结构的制造方法包括以下步骤。步骤S201：如图3A所示，在衬底基板20上形成绝缘层21并在该绝缘层中形成第一过孔22。例如，衬底基板20可以是无机衬底(如玻璃、石英、蓝宝石、硅片等)或者有机柔性衬底(如聚酰亚胺(PI)、聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜等)，本实施例包括但不限于此。例如，该衬底基板为硅片，该过孔连接结构的制作工艺可与硅基工艺兼容，有助于实现更高的分辨率(PPI)。例如，绝缘层21可以包括无机绝缘材料，例如氮化硅、氮氧化硅等，或者氧化铝、氮化钛等。例如，该绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过孔连接结构的制造方法，包括：/n在衬底基板上形成绝缘层并在所述绝缘层中形成第一过孔；/n在所述第一过孔中形成连接部；/n在所述绝缘层的表面上形成覆盖所述连接部的保护层；/n在所述绝缘层和所述保护层中形成第二过孔；/n至少部分去除所述保护层，暴露出所述连接部。/n

【技术特征摘要】
1.一种过孔连接结构的制造方法，包括：
在衬底基板上形成绝缘层并在所述绝缘层中形成第一过孔；
在所述第一过孔中形成连接部；
在所述绝缘层的表面上形成覆盖所述连接部的保护层；
在所述绝缘层和所述保护层中形成第二过孔；
至少部分去除所述保护层，暴露出所述连接部。


2.如权利要求1所述的制造方法，还包括：在形成所述绝缘层之前，在所述衬底基板上形成第一接触电极和第二接触电极，
其中，所述绝缘层覆盖所述第一接触电极和所述第二接触电极，
所述第一过孔和所述第二过孔分别至少部分暴露所述第一接触电极和所述第二接触电极，
所述第一接触电极与所述连接部电连接。


3.如权利要求2所述的制造方法，其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极在所述衬底基板上的同一层中形成。


4.如权利要求1所述的制造方法，其中，至少部分去除所述保护层包括：
在所述保护层上涂覆第一光刻胶层，采用第一掩模板对所述第一光刻胶层曝光、显影，以形成第一刻蚀掩膜，所述第一刻蚀掩膜包括保留在所述第二过孔中的部分；
采用所述第一刻蚀掩膜刻蚀所述保护层。


5.如权利要求4所述的制造方法，其中，在所述绝缘层和所述保护层中形成所述第二过孔包括：
在所述保护层上涂覆第二光刻胶层，采用第二掩模板对所述第二光刻胶层曝光、显影，以形成第二刻蚀掩膜；
采用所述第二刻蚀掩膜对所述保护层和所述绝缘层进行刻蚀。


6.如权利要求5所述的制造方法，其中，所述第一掩模板和所述第二掩模板是同一掩模板或具有相同的图案，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层采用性质相反的光刻胶材料。


7.如权利要求1所述的制造方法，其中，形成所述连接部包括：
形成在所述绝缘层上形成导电层，其中所述导电层填充所...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢鹏程，陈小川，杨盛际，黄冠达，王辉，王晏酩，王维海，秦国红，宋亚歌，李健通，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11