The invention is applicable to the technical field of graphene materials, and provides a method for making graphene dielectric layer heterostructure, including: obtaining a plurality of graphene dielectric layer films, placing the plurality of graphene dielectric layer films in deionized water for cleaning; winding any piece of graphene dielectric layer film on a preset substrate by rotating the preset substrate in deionized water to obtain a stone The graphene dielectric layer heterostructure samples are dried; the graphene dielectric layer heterostructure samples are obtained by drying the graphene dielectric layer heterostructure samples on the preset substrate, and the rest of the graphene dielectric layer films are wound outside the dried graphene dielectric layer heterostructure samples until the preset number of graphene dielectric layer heterostructures are obtained. The invention obtains a preset number of layers of graphene dielectric layer heterostructure by rotating the preset substrate in deionized water, greatly improving the production efficiency of graphene dielectric layer heterostructure, and simplifying the production process.
【技术实现步骤摘要】
石墨烯介质层异质结构的制作方法
本专利技术属于石墨烯材料
,尤其涉及一种石墨烯介质层异质结构的制作方法。
技术介绍
石墨烯介质层异质结构是指多层的石墨烯与介质层间隔设置构成的结构,可以应用在电子器件的许多方面,特别是在光电传感器、光电探测器以及太赫兹放大器等领域,这种结构将每个单层石墨烯的效果累加起来进而达到信号的增强。目前石墨烯介质层异质结构是采用转移一层石墨烯生长一层介质层的方法制作的,这种制作方法步骤繁琐,耗时长,所制作的石墨烯介质层异质结构层数较少,如何提高石墨烯介质层异质结构的制作效率,在短时间内制作具有几十层甚至上百层的石墨烯介质层异质结构成为亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术实施例提供了一种石墨烯介质层异质结构的制作方法,以解决现有技术中制作的石墨烯介质层异质结构层数较少,制作效率较低的问题。本专利技术实施例提供了一种石墨烯介质层异质结构的制作方法,包括:获取多块石墨烯介质层薄膜,并将所述多块石墨烯介质层薄膜置于去离子水中清洗;通过预设衬底在去离子水中旋转的方式将任一块石墨烯介质层薄膜缠绕在所述预设衬底上,得到石墨烯介质层异质结构样品;晾干所述石墨烯介质层异质结构样品;采用获得所述石墨烯介质层异质结构样品的方式继续在所述预设衬底上的晾干的石墨烯介质层异质结构样品外缠绕其余石墨烯介质层薄膜,直至得到预设层数的石墨烯介质层异质结构。可选的,所述获取多块石墨烯介质层薄膜,包括:利用化学气相沉积法在金属衬 ...
【技术保护点】
1.一种石墨烯介质层异质结构的制作方法,其特征在于,包括:/n获取多块石墨烯介质层薄膜,并将所述多块石墨烯介质层薄膜置于去离子水中清洗;/n通过预设衬底在去离子水中旋转的方式将任一块石墨烯介质层薄膜缠绕在所述预设衬底上,得到石墨烯介质层异质结构样品;/n晾干所述石墨烯介质层异质结构样品;/n采用获得所述石墨烯介质层异质结构样品的方式继续在所述预设衬底上的晾干的石墨烯介质层异质结构样品外缠绕其余石墨烯介质层薄膜,直至得到预设层数的石墨烯介质层异质结构。/n
【技术特征摘要】
1.一种石墨烯介质层异质结构的制作方法,其特征在于,包括:
获取多块石墨烯介质层薄膜,并将所述多块石墨烯介质层薄膜置于去离子水中清洗;
通过预设衬底在去离子水中旋转的方式将任一块石墨烯介质层薄膜缠绕在所述预设衬底上,得到石墨烯介质层异质结构样品;
晾干所述石墨烯介质层异质结构样品;
采用获得所述石墨烯介质层异质结构样品的方式继续在所述预设衬底上的晾干的石墨烯介质层异质结构样品外缠绕其余石墨烯介质层薄膜,直至得到预设层数的石墨烯介质层异质结构。
2.如权利要求1所述的石墨烯介质层异质结构的制作方法,其特征在于,所述获取多块石墨烯介质层薄膜,包括:
利用化学气相沉积法在金属衬底上生长单层石墨烯,获得金属衬底石墨烯;
在所述金属衬底石墨烯表面旋涂光刻胶,获得第一样品;
去除所述第一样品的背面上未旋涂光刻胶的石墨烯,获得第二样品;
腐蚀掉所述第二样品的金属衬底,获得所述石墨烯介质层薄膜。
3.如权利要求2所述的石墨烯介质层异质结构的制作方法,其特征在于,所述去除所述第一样品的背面上未旋涂光刻胶的石墨烯,包括:
使用氧等离子体去除所述第一样品的背面上未旋涂光刻胶的石墨烯。
4.如权利要求2所述的石墨烯介质层异质结构的制作方法,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:高学栋,冯志红,蔚翠,何泽召,刘庆彬,郭建超,周闯杰,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十三研究所,
类型:发明
国别省市:河北;13
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