存储设备写错误纠错能力的测试方法、系统及存储介质技术方案

技术编号:22566758 阅读:31 留言:0更新日期:2019-11-16 12:46
本发明专利技术提供了存储设备写错误纠错能力的测试方法、系统及存储介质,其中测试方法包括:挑选空白或是被擦除数据的闪存块,并在挑选的闪存块的数据页中写入数据;读取写入数据的闪存块的所有数据页上的数据并保存在缓存中,然后擦除该闪存块中的数据;对被擦除的数据块的数据页进行再写入操作;对被再次写入数据的数据块的数据页进行检验,根据报错的数据位的数量大小与写入数据的数据位的数量大小进行对比得到第一对比结果,以及报错的数据块的地址、数据页的地址与写入数据的数据位对应的数据块的地址、数据页的地址进行对比得到第二对比结果,上述第一、二对比结果即为该存储设备的写错误纠错能力的测试结果。

Test method, system and storage medium of write error correction capability of storage device

The invention provides a test method, a system and a storage medium for the write error correction capability of a storage device, wherein the test method includes: selecting a blank or erased data flash block, and writing data in the data page of the selected flash block; reading and storing the data on all data pages of the flash block to write data in a cache, and then erasing the data in the flash block; and The data page of the erased data block is rewritten; the data page of the rewritten data block is inspected, and the first comparison result is obtained by comparing the number of error reporting data bits with the number of data bits written, as well as the address of the error reporting data block, the address of the data page and the address of the data block corresponding to the data bits written The address of the data page is compared to obtain the second comparison result, which is the test result of the write error correction ability of the storage device.

【技术实现步骤摘要】
存储设备写错误纠错能力的测试方法、系统及存储介质
本专利技术涉及存储系统中的纠错能力测试技术,具体涉及一种存储设备写错误纠错能力的测试方法。
技术介绍
闪存芯片是一种利用闪存技术达到存储电子信息的存储介质,由于其具有快速存入和断电后数据不消失等特征,并且具有体积较小、存储容量大等优优势,越来越多的存储设备选择使用闪存芯片作为存储介质。然而,闪存芯片由于其本身的物理特性,写进去的数据在读出来的时候会发生一定量的数据位的翻转错误,从而导致存储数据的准确性降低。为了减少或避免这类问题产生,在以闪存芯片作为存储介质的存储设备控制器上,就必须加上冗余纠错以及错误处理程序来保证存储数据的正确性。在使用闪存技术的存储设备中,闪存的写入操作必须在目标区域处于空白状态即没有数据的条件下进行,如果目标区域已被写入数据,就必须先擦除后才能写入,因此擦除操作是闪存的基本操作。其中闪存芯片是按块为单位擦除,按页为单位写读,一个块里包含多个页,并且每一个块在写入之前必须先擦除。为了保证数据的正确性,闪存控制器在写入数据的时候会根据数据生成冗余纠错码数据并把冗余纠错码数据一并写入到闪存页里,在从闪存页里读取数据的时候,冗余纠错码数据会一并读入闪存控制器里并进行冗余校验以及纠错,如果错误的位数超过了纠错算法的阈值,就会触发错误处理程序来做后续处理,否则就会返回正确数据给调用者。目前闪存的错误处理能力渐渐成为评价整个基于闪存芯片的存储设备的可靠性的重要指标之一。然而现有技术中对存储设备中写错误纠错能力进行测试和评价的方法有待改进。r>
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述还没有较为合适的方法来对存储设备中写错误纠错能力进行测试和评价的问题而进行的,目的在于提供一种存储设备写错误纠错能力的测试方法、系统及存储介质。本专利技术主要针对这一问题,提出一种在研发期间人为插入一些预定义好的闪存的写错误,来检验存储设备本身处理错误的能力,以提高产品最终的可靠性。本专利技术提供了一种存储设备写错误纠错能力的测试方法,其特征在于,包括:S0、挑选空白或是被擦除数据的闪存块,并在挑选的闪存块中的数据页中写入数据;S1、读取写入数据的闪存块上的所有数据页上的数据并保存在缓存中,然后擦除该闪存块中的数据;S2、对被擦除数据的闪存块的数据页进行再写入操作;S3、对被再次写入数据的数据块的数据页进行检验,根据报错的数据位的数量大小与所述步骤S0中写入数据的数据位的数量大小进行对比,得到第一对比结果,并将所述第一对比结果写入所述存储设备的写错误纠错能力的测试结果。本专利技术提供的一种存储设备写错误纠错能力的测试方法,其还具有这样的特征,在所述步骤S2之后,还包括:根据报错的数据块的地址、数据页的地址与所述步骤S0中写入数据的数据位对应的数据块的地址、数据页的地址进行对比,得到第二对比结果,并将所述第二对比结果写入所述存储设备的写错误纠错能力的测试结果。本专利技术提供的一种存储设备写错误纠错能力的测试方法,其中所述第一对比结果用来准确判断在待检测的存储芯片或是存储设备中写入的数据是否存在写错误,所述第二对比结果用来确定所纠错的数据页的地址是不是预设的写错误的数据页,从而避免遇到非预期的错误。本专利技术提供了一种存储设备写错误纠错能力的测试方法,其中所述步骤S0中挑选的空白或是已被擦除数据的闪存块是随机的,可以是多个,并且被选中的数据块在存储设备的存储芯片中的地址是连续的或是间隔的或是连续与间隔并存的。本专利技术提供了一种存储设备写错误纠错能力的测试方法,其中挑选的闪存块中的数据页可以是多个,其中数据页是最小的写入单位。本专利技术提供了一种存储设备写错误纠错能力的测试方法,其中在挑选的闪存块中写入的数据是随机的。本专利技术提供了一种存储设备写错误纠错能力的测试方法,其中所述再写入步骤中进行写操作的数据块是随机的,当有效数据页写到所述写入步骤中的造错数据页时,由于闪存擦后只能写一次的特性,闪存芯片就会报写出错,而存储设备就会触发后续的错误处理程序。本专利技术提供了一种存储设备写错误纠错能力的测试方法,其中在挑选的闪存块中写入的数据位的数量可以根据存储设备的纠错算法的阈值来定,其中写入大于存储设备的纠错阈值的数据,将步骤S3中的所述测试结果记为第一检测结果;或者,写入等于存储设备的纠错阈值的数据,将步骤S3中的所述测试结果记为第二检测结果;或者,写入小于存储设备的纠错阈值的数据,将步骤S3中的所述测试结果记为第三检测结果。本专利技术还提供了一种存储设备写错误纠错能力的测试系统,其特征在于,包括:写入模块,其用于在待检测的存储芯片或存储设备上挑选一空白或是已被擦除数据的闪存块,并在挑选的闪存块中的数据页上写入数据;读取擦除模块,其用于读取所述写入模块中写入数据的闪存块上的所有数据页上的数据并保存在缓存中,然后擦除该闪存块中的数据;再写入模块,其用于对所述读取擦除模块中被擦除的数据块数据页进行写操作;读取检验模块,其用于对被再次写入数据的数据块的数据页进行读取检验,根据报错的数据位的数量大小与所述写入模块中写入数据的数据位的数量大小进行对比,得到第一对比结果,并将所述第一对比结果写入所述存储设备的写错误纠错能力的测试结果。本专利技术提供的一种存储设备写错误纠错能力的测试系统,其还具有这样的特征:所述读取检验模块还根据报错的数据块的地址、数据页的地址与写入数据步骤中写入数据的数据位对应的数据块的地址、数据页的地址进行对比,得到第二对比结果,并将所述第二对比结果写入所述存储设备的写错误纠错能力的测试结果。本专利技术提供的一种存储设备写错误纠错能力的测试系统,该测试系统中挑选的空白或是已被擦除数据的闪存块是随机的,可以是多个,被选中的数据块在存储设备中的地址是连续的或是间隔的或是连续与间隔并存的。本专利技术提供的一种存储设备写错误纠错能力的测试系统,其中按照预设的存储地址将随机数据写入到待检测的存储设备中,其中所述存储地址遍布于所述挑选空白或是被擦除数据的闪存块中的每一个数据块,但在每一个数据块的数据页的地址是随机分布的。本专利技术还提供了一种存储介质,其存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现上述的存储设备写错误纠错能力的测试方法中的步骤。本专利技术还提供了一种存储介质,其中所述存储介质为闪存芯片。专利技术的作用和效果根据本专利技术所涉及的存储设备写错误纠错能力的测试方法、系统及存储介质,因为其中测试方法具有写入步骤,能够挑选空白或是被擦除数据的闪存块,并在挑选的闪存块中的数据页中写入数据;具有读取擦除步骤,能够读取写入数据的闪存块上的所有数据页上的数据并保存在缓存中,然后擦除该闪存块中的数据;具有再写入步骤,能够对读取擦除步骤中被擦除的数据块的数据页进行写操作;还具有读取检验步骤,能够对被再次写入数据的数据块的数据页进行检验,并根据报错的数据位的数量大小与写入数据步骤中写入数据的数据位的数量大小进行对比得到第一对比结果,以及根据报本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储设备写错误纠错能力的测试方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS0、挑选空白或是被擦除数据的闪存块,并在挑选的闪存块中的数据页中写入数据;/nS1、读取写入数据的闪存块上的所有数据页上的数据并保存在缓存中,然后擦除该闪存块中的数据;/nS2、对被擦除数据的闪存块的数据页进行再写入操作;/nS3、对被再次写入数据的数据块的数据页进行检验,根据报错的数据位的数量大小与所述步骤S0中写入数据的数据位的数量大小进行对比,得到第一对比结果,并将所述第一对比结果写入测试结果。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储设备写错误纠错能力的测试方法,其特征在于,包括以下步骤:
S0、挑选空白或是被擦除数据的闪存块,并在挑选的闪存块中的数据页中写入数据;
S1、读取写入数据的闪存块上的所有数据页上的数据并保存在缓存中,然后擦除该闪存块中的数据;
S2、对被擦除数据的闪存块的数据页进行再写入操作;
S3、对被再次写入数据的数据块的数据页进行检验,根据报错的数据位的数量大小与所述步骤S0中写入数据的数据位的数量大小进行对比,得到第一对比结果,并将所述第一对比结果写入测试结果。


2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤S2之后,还包括:
根据报错的数据块的地址、数据页的地址与所述步骤S0中写入数据的数据位对应的数据块的地址、数据页的地址进行对比,得到第二对比结果,并将所述第二对比结果写入测试结果。


3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S0中的所述挑选空白或是被擦除数据的闪存块包括:
随机在存储芯片中选择多个空白或者被擦除数据的闪存块,且多个所述闪存块的地址是连续的、间隔的或连续与间隔并存的。


4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:
在所述步骤S0中,随机在所述挑选空白或是被擦除数据的闪存块中写入数据。


5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:
在步骤S0中,写入大于存储设备的纠错阈值的数据,将步骤S3中的所述测试结果记为第一检测结果;或者,
在步骤S0中,写入等于存储设备的纠错阈值的数据,将步骤S3中的所述测试结果记为第二检测结果;或者,
在步骤S0中,写入小于存储设备的纠错阈值的数据,将步骤S3中的所述测试结果记为第三检测结果。

【专利技术属性】
技术研发人员:董智敏
申请(专利权)人:至誉科技武汉有限公司
类型:发明
国别省市:湖北;42

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