一种SiC材料及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种SiC材料，包括：碳化硅粉末20～30％、废弃莫来石匣钵粗粉10～20％、废弃莫来石匣钵细粉10～20％、纳米氧化铝粉末10～20％、有机硅阻燃剂1～15％、低密度聚乙烯1～10％、聚氨酯1～10％、异丙醇1～10％、去离子水1～10％。本发明专利技术公开了一种SiC材料的制造方法，包括：将废弃莫来石匣钵进行机械破除粉碎，并筛分出废弃莫来石匣钵粗粉和废弃莫来石匣钵细粉；制备混合干料；制备混合湿料；制备成型坯；烧成即得到成品。本发明专利技术制备的SiC材料具有高耐热、耐酸碱、保温、成本低、高阻燃的性能。

A SiC material and its manufacturing method

The invention discloses a SiC material, which comprises 20-30% silicon carbide powder, 10-20% waste mullite sagger coarse powder, 10-20% waste mullite sagger fine powder, 10-20% nano alumina powder, 1-15% organosilicon flame retardant, 1-10% low density polyethylene, 1-10% polyurethane, 1-10% isopropanol and 1-10% deionized water. The invention discloses a manufacturing method of SiC material, which comprises the following steps: mechanical breaking and crushing of the waste mullite sagger, screening out the coarse powder and fine powder of the waste mullite sagger, preparing the mixed dry material, preparing the mixed wet material, preparing the forming blank and firing to obtain the finished product. The SiC material prepared by the invention has the properties of high heat resistance, acid and alkali resistance, heat preservation, low cost and high flame resistance.

【技术实现步骤摘要】
一种SiC材料及其制造方法
本专利技术涉及废弃莫来石匣钵回收利用
，更具体地说，本专利技术涉及一种以废弃莫来石匣钵为原料的SiC材料及其制造方法。
技术介绍
莫来石是A12O3-SiO2系中在标准大气压下从室温到高温唯一稳定的晶相，莫来石为斜方晶系，晶体中硅铝氧结构是由[SiO4]四面体连接成的双链，连接一条条双链的是六配位的铝离子。由于莫来石的结构为双链状排列，故它的晶体一般呈针状、柱状结构，在一些高铝质，特别是电熔莫来石中可形成密集交错的针状莫来石结晶网。性能：莫来石材料具有优越的性能：耐火度高、热震稳定性好、热膨胀系数低、高温抗蠕变性好、具有很高的耐磨性及耐剥落、耐侵蚀性等，其应用极其广泛。莫来石匣钵一般使用的原料是酸性材料，对酸性材料的侵蚀有良好的抵抗作用；耐碱性匣钵主要是在耐火材料中加入部分碱性氧化物或偏碱性的材料，使得此类匣钵对碱性材料有良好的抗侵蚀性，延长了匣钵的使用寿命。随着锂电池行业的迅猛发展，莫来石匣钵在锂电池正极材料合成中占据主导地位。由于合成锂电池正极材料所用原料在合成过程中会分解产生渗透力和反应活性强的氧化锂对耐高温匣钵进行侵蚀，另一方面，匣钵材料在高温后快速冷却，随着使用次数的增加，匣钵容易产生裂纹，匣钵的热震稳定受到破坏，耐高温匣钵的使用寿命会大大降低。与此同时，大量的废弃莫来石匣钵给环境和相关企业带来了巨大的压力。碳化硅质耐火材料具有导热系数高、热膨胀系数低、抗震性好、高温强度高、耐化学侵蚀性好、抗渣及锌铝铜铅等熔液侵蚀能力强和高温耐磨性能好等一系列优点，被广泛应用于冶金、化工、能源等各个高温行业中。当碳化硅作为换热器或辐射管的内衬时，不仅需要具备耐酸碱、耐磨等性能，还需要具有保温性能。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是解决至少上述问题，并提供至少后面将说明的优点。本专利技术还有一个目的是提供了一种高耐热、耐酸碱、保温、成本低、高阻燃的SiC材料。为了实现上述目的，本专利技术公开了一种SiC材料，按质量分数计，包括以下原料：碳化硅粉末20～30％、废弃莫来石匣钵粗粉10～20％、废弃莫来石匣钵细粉10～20％、纳米氧化铝粉末10～20％、有机硅阻燃剂1～15％、低密度聚乙烯1～10％、聚氨酯1～10％、异丙醇1～10％、去离子水1～10％。本专利技术中的聚氨酯为聚酯型聚氨酯。优选地，本专利技术中，所述有机硅阻燃剂选自硅油、聚硅氧烷、丙烯酸酯-硅氧烷材料中的任意一种。优选地，本专利技术中，所述碳化硅粉末的粒径为0.1～10μm，所述废弃莫来石匣钵粗粉的粒径为10～50mm，所述废弃莫来石匣钵细粉的粒径为0.01～0.1mm，所述纳米氧化铝粉末的粒径为1～50nm。本专利技术公开了一种SiC材料的制造方法，包括以下步骤：步骤一、将废弃莫来石匣钵进行机械破除粉碎，并筛分出粒径为10～50mm的废弃莫来石匣钵粗粉和粒径为0.01～0.1mm的废弃莫来石匣钵细粉；步骤二、按配方称取原料，对所述碳化硅粉末进行球磨，并将球磨后的碳化硅粉末与废弃莫来石匣钵粗粉、废弃莫来石匣钵细粉及纳米氧化铝粉末混合均匀，得到混合干料；步骤三、将所述混合干料与有机硅阻燃剂、低密度聚乙烯、聚氨酯、异丙醇及去离子水混合均匀，得到混合湿料；步骤四、将所述混合湿料进行真空挤压成型，得到成型坯；步骤五、将所述成型坯置于高温窑炉中进行烧成，烧成后冷却至室温即得到成品。优选地，本专利技术中，所述步骤五中，首先将高温窑炉的温度以10℃/min的升温速度升温至200℃，并在200℃的温度下保温0.5h；然后以20℃/min的升温速度升温至1300～1500℃，并在1300～1500℃的温度下保温2～3h。优选地，本专利技术中，所述步骤二中，球磨时间为1～2h。本专利技术至少包括以下有益效果：1、本专利技术提供的SiC材料实现了废弃莫来石匣钵的回收利用，并通过碳化硅、莫来石、纳米氧化铝的配合保证了材料的高耐热性能，并通过低密度聚乙烯、聚氨酯的配合保证了材料的化学稳定性、耐酸碱、耐腐蚀性能，同时具备优异的阻燃效果。2、本专利技术通过将SiC材料降低了生产成本，实现了废料利用，为企业和环境减轻了压力。本专利技术的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本专利技术的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。应当理解，本文所使用的诸如“具有”、“包含”以及“包括”术语并不排除一个或多个其它元件或其组合的存在或添加。实施例1本专利技术公开了一种SiC材料，按质量分数计，包括以下原料：碳化硅粉末20％、废弃莫来石匣钵粗粉15％、废弃莫来石匣钵细粉15％、纳米氧化铝粉末10％、硅油10％、低密度聚乙烯5％、聚氨酯5％、异丙醇10％、去离子水10％。碳化硅粉末的粒径为0.1μm，废弃莫来石匣钵粗粉的粒径为50mm，废弃莫来石匣钵细粉的粒径为0.01mm，纳米氧化铝粉末的粒径为50nm。本专利技术公开了一种SiC材料的制造方法，包括以下步骤：步骤一、将废弃莫来石匣钵进行机械破除粉碎，并筛分出粒径为50mm的废弃莫来石匣钵粗粉和粒径为0.01mm的废弃莫来石匣钵细粉；步骤二、按配方称取原料，对所述碳化硅粉末进行2h球磨，并将球磨后的碳化硅粉末与废弃莫来石匣钵粗粉、废弃莫来石匣钵细粉及纳米氧化铝粉末混合均匀，得到混合干料；步骤三、将所述混合干料与有机硅阻燃剂、低密度聚乙烯、聚氨酯、异丙醇及去离子水混合均匀，得到混合湿料；步骤四、将所述混合湿料进行真空挤压成型，得到成型坯；步骤五、将所述成型坯置于高温窑炉中进行烧成，烧成后冷却至室温即得到成品。烧成过程中：首先将高温窑炉的温度以10℃/min的升温速度升温至200℃，并在200℃的温度下保温0.5h；然后以20℃/min的升温速度升温至1300℃，并在1300℃的温度下保温3h。实施例2本专利技术公开了一种SiC材料，按质量分数计，包括以下原料：碳化硅粉末30％、废弃莫来石匣钵粗粉10％、废弃莫来石匣钵细粉20％、纳米氧化铝粉末10％、聚硅氧烷5％、低密度聚乙烯10％、聚氨酯10％、异丙醇2％、去离子水3％。碳化硅粉末的粒径为10μm，废弃莫来石匣钵粗粉的粒径为10mm，废弃莫来石匣钵细粉的粒径为0.1mm，纳米氧化铝粉末的粒径为1nm。本专利技术公开了一种SiC材料的制造方法，包括以下步骤：步骤一、将废弃莫来石匣钵进行机械破除粉碎，并筛分出粒径为10mm的废弃莫来石匣钵粗粉和粒径为0.1mm的废弃莫来石匣钵细粉；步骤二、按配方称取原料，对所述碳化硅粉末进行1h球磨，并将球磨后的碳化硅粉末与废弃莫来石匣钵粗粉、废弃莫来石匣钵细粉及纳米氧化铝粉末混合均匀，得到混合干料；步骤三、将所述混合干料与有机硅阻燃剂、低密度聚乙烯、聚氨酯、异丙醇及去离子水本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC材料，其特征在于，按质量分数计，包括以下原料：/n碳化硅粉末20～30％、废弃莫来石匣钵粗粉10～20％、废弃莫来石匣钵细粉10～20％、纳米氧化铝粉末10～20％、有机硅阻燃剂1～15％、低密度聚乙烯1～10％、聚氨酯1～10％、异丙醇1～10％、去离子水1～10％。/n

【技术特征摘要】
1.一种SiC材料，其特征在于，按质量分数计，包括以下原料：
碳化硅粉末20～30％、废弃莫来石匣钵粗粉10～20％、废弃莫来石匣钵细粉10～20％、纳米氧化铝粉末10～20％、有机硅阻燃剂1～15％、低密度聚乙烯1～10％、聚氨酯1～10％、异丙醇1～10％、去离子水1～10％。


2.根据权利要求1所述的一种SiC材料，其特征在于，所述有机硅阻燃剂选自硅油、聚硅氧烷、丙烯酸酯-硅氧烷材料中的任意一种。


3.根据权利要求1所述的一种SiC材料，其特征在于，所述碳化硅粉末的粒径为0.1～10μm，所述废弃莫来石匣钵粗粉的粒径为10～50mm，所述废弃莫来石匣钵细粉的粒径为0.01～0.1mm，所述纳米氧化铝粉末的粒径为1～50nm。


4.一种根据权利要求1～3任意一项所述的SiC材料的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、将废弃莫来石匣钵进行机械破除粉碎，并筛分出粒径为10～50mm的废弃莫来石匣...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘骏，刘振华，张海，
申请(专利权)人：湖南太子新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43