The invention discloses a silicon carbide composite material, which comprises the following components by mass fraction: silicon carbide powder 60-80%, organic metal salt 10-30%, binder 1-15%. The invention also discloses a preparation method of silicon carbide composite material, which includes: ultrasonic treatment of silicon carbide powder, organic metal salt and binder; putting mixed and uniform raw materials into a cross-linked cracking furnace, under the protection of argon, heating the temperature of the cross-linked cracking furnace from 200 \u2103 to 1000 \u2103 at a heating rate of 1-2 \u2103 / min, and holding it for 2-3H at 1000 \u2103; cross-linking cracking furnace Under the protection of argon, the ball milled solid materials are put into the high temperature heat treatment furnace for heat treatment, and the SiC composite materials are obtained. The silicon carbide composite material prepared by the invention has the advantages of excellent corrosion resistance, heat conduction efficiency and oxidation resistance, and effectively reduces the cost.
【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅复合材料及其制备方法
本专利技术涉及碳化硅材料
,更具体地说,本专利技术涉及一种碳化硅复合材料及其制备方法。
技术介绍
碳化硅(SiC)陶瓷具有热膨胀系数小、分解温度高、密度低、高温强度高、耐腐蚀、耐磨损、耐烧蚀等优异性能,是在1300℃以上使用的最有前途的高温结构材料之一,广泛用于耐热、耐磨和使用环境苛刻的场合。SiC陶瓷高温使用时存在氧化现象,其氧化机制分为主动氧化和被动氧化。高温低氧分压时发生主动氧化,SiC材料氧化生成挥发的SiO,导致材料质量减少,继而材料失效。中温高氧分压时发生被动氧化,SiC材料氧化形成SiO2薄膜保护层,阻止氧向内部扩散,材料质量增加。SiC材料在被动氧化机制下表面形成的SiO2薄膜阻氧性能好,氧扩散率远远低于其他高温氧化物,从而有效保护SiC在高温下的使用。在一定的氧分压环境下,两种氧化机制存在温度转换点,材料表面温度高于转换温度时氧化机制由被动氧化变为主动氧化,主被动氧化的转换温度控制碳化硅的使用温度。SiC材料作为结构部件,例如航天用飞行器,其工作环境为高温低氧分压,易发生主动氧化,材料失效,因此需要碳化硅材料具有更高的使用温度。由于SiO2在高温低氧分压时主动挥发,所以,目前多数碳化硅的使用温度约为1700℃,限制了其使用范围,有必要开发新方法来制备碳化硅,提高其主被动氧化的转换温度,从而提高碳化硅使用温度,得到耐高温、抗氧化、低成本的碳化硅材料。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是解决至少上述问题,并提供至少后面将说明的优 ...
【技术保护点】
1.一种碳化硅复合材料,其特征在于,按质量分数计,包括以下组分:/n碳化硅粉末60~80%、有机金属盐10~30%、粘结剂1~15%。/n
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅复合材料,其特征在于,按质量分数计,包括以下组分:
碳化硅粉末60~80%、有机金属盐10~30%、粘结剂1~15%。
2.根据权利要求1所述的碳化硅复合材料,其特征在于,所述有机金属盐为乙酰丙酮钾或异丙醇钾。
3.根据权利要求1所述的碳化硅复合材料,其特征在于,所述粘结剂为水性有机硅树脂或低聚硅烷。
4.根据权利要求3所述的碳化硅复合材料,其特征在于,所述水性有机硅树脂为聚甲基硅树脂或聚乙基硅树脂。
5.根据权利要求3所述的碳化硅复合材料,其特征在于,所述低聚硅烷为3-甲基丙烯酰氧丙基三(三甲基硅氧基)硅烷、苯基三(二甲基硅氧基)硅烷、1,3-二苯基四(二甲基硅氧基)二硅氧烷中的任意一种。
6.根据权利要求1所述的碳化硅复合材料,其特征在于,所述碳化硅粉末的粒径为0.1~100μm。
7.一种制备根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘骏,刘振华,张海,
申请(专利权)人:湖南太子新材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:湖南;43
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