The invention discloses a preparation method of high density and high purity silicon carbide products, which comprises: ultrasonic treatment of silicon carbide coarse powder, silicon carbide fine powder, oligosaccharide silane and cellulose derivative; water mixture after ultrasonic mixing is kneaded and made into plastic clay in kneading machine; spray granulation of the plastic slurry is made, and silicon carbide powder is obtained; dry pressing of the silicon carbide powder is carried out. One time molding, the molding pressure is 120-140mpa, to obtain the wet billet, after drying, to obtain the green billet; under the protection of inert gas, the green billet is placed in the vacuum sintering furnace for sintering reaction, the sintering temperature is 1500 \u2103, the sintering time is 0.5-3h, to obtain the pre sintering body; under the protection of inert gas, the pre sintering body is placed in the vacuum high temperature sintering furnace for sintering again, and after being discharged from the furnace, to obtain High density and high purity silicon carbide products. The silicon carbide product prepared by the invention has the advantages of high temperature resistance, high purity, high density, low cost, corrosion resistance and long service life.
【技术实现步骤摘要】
一种高密高纯碳化硅制品的制备方法
本专利技术涉及碳化硅材料
,更具体地说,本专利技术涉及一种高密高纯碳化硅制品的制备方法。
技术介绍
目前,重结晶碳化硅制品工艺,是将较粗粒度的碳化硅与碳化硅微粉混合,加结合剂制浆再由模型中成型,在真空感应炉内于2300度以上的高温条件下,使碳化硅微粉蒸发并与粗粒度的碳化硅凝聚烧结成重结晶碳化硅,重结晶的碳化硅纯度高,具有优异的高温力学性能。现有技术的碳化硅制品的再结晶过程是直接使用一定颗粒级的碳化硅微粉与碳粉混合后形成生坯,然后在高温下渗硅,这些渗出的硅中有一部分与碳反应,生成碳化硅,生成的碳化硅与胚体中的碳化硅结合,达到烧结的目的,但是仍含有较多的游离硅,这些游离硅在高温时挥发会生成很多微孔,降低了碳化硅制品的密度和纯度,大大限制了碳化硅制品的使用温度,最佳温度不能超过1300度,若超过这个温度,碳化硅制品的强度、耐腐蚀性、抗氧化能力大大下降,难以满足使用需求。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是解决至少上述问题,并提供至少后面将说明的优点。本专利技术还有一个目的是提供了一种制备耐高温、耐腐蚀、抗氧化能力强、使用寿命长的高密高纯碳化硅制品的制备方法。为了实现上述目的,本专利技术公开了一种高密高纯碳化硅制品的制备方法,按质量分数计,其原料由50~70%的碳化硅粗粉、10~40%的碳化硅细粉、1~10%的低聚硅烷和1~5%的纤维素衍生物组成,所述制备方法包括以下步骤:步骤一、将碳化硅粗粉、碳化硅细粉、低聚硅烷和纤维素衍 ...
【技术保护点】
1.一种高密高纯碳化硅制品的制备方法,其特征在于,按质量分数计,其原料由50~70%的碳化硅粗粉、10~40%的碳化硅细粉、1~10%的低聚硅烷和1~5%的纤维素衍生物组成,所述制备方法包括以下步骤:/n步骤一、将碳化硅粗粉、碳化硅细粉、低聚硅烷和纤维素衍生物进行超声处理,将超声后的混合料加水在捏炼机中捏炼成含水量为7~15%的可塑泥料;/n步骤二、对所述可塑泥料进行喷雾造粒,得到碳化硅造粉粒;/n步骤三、对所述碳化硅造粉粒进行干压一次成型,成型压力为120~140MPa,得到湿坯,经干燥后得生坯;/n步骤四、在惰性气体保护下,将生坯置于真空烧结炉进行烧结反应,烧结温度为1500℃,烧结时间为0.5~3h,得预烧结体;/n步骤五、在惰性气体保护下,将所述预烧结体置于真空高温烧结炉中进行再次升温烧结,出炉后得高密高纯碳化硅制品。/n
【技术特征摘要】
1.一种高密高纯碳化硅制品的制备方法,其特征在于,按质量分数计,其原料由50~70%的碳化硅粗粉、10~40%的碳化硅细粉、1~10%的低聚硅烷和1~5%的纤维素衍生物组成,所述制备方法包括以下步骤:
步骤一、将碳化硅粗粉、碳化硅细粉、低聚硅烷和纤维素衍生物进行超声处理,将超声后的混合料加水在捏炼机中捏炼成含水量为7~15%的可塑泥料;
步骤二、对所述可塑泥料进行喷雾造粒,得到碳化硅造粉粒;
步骤三、对所述碳化硅造粉粒进行干压一次成型,成型压力为120~140MPa,得到湿坯,经干燥后得生坯;
步骤四、在惰性气体保护下,将生坯置于真空烧结炉进行烧结反应,烧结温度为1500℃,烧结时间为0.5~3h,得预烧结体;
步骤五、在惰性气体保护下,将所述预烧结体置于真空高温烧结炉中进行再次升温烧结,出炉后得高密高纯碳化硅制品。
2.根据权利要求1所述的一种高密高纯碳化硅制品的制备方法,其特征在于,所述碳化硅粗粉的粒径为30~100μm,所述碳化硅细粉的粒径为0.1~1μm。
3.根据权利要求1所述的一种高密高纯碳化硅制品的制备方法,其特征在于,所述步骤一中,超...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘骏,刘振华,张海,
申请(专利权)人:湖南太子新材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:湖南;43
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。