半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，具备：基板，具有被供给接地电位的接地部；半导体芯片，安装在基板上，具有第一输出端子、第二输出端子、第一终止端子、以及接地端子；第一放大器，形成在半导体芯片的第一区域，将第一频带的第一输入信号放大并从第一输出端子经由第一输出导线输出第一放大信号；第二放大器，形成在半导体芯片的第二区域，将第二频带的第二输入信号放大并从第二输出端子经由第二输出导线输出第二放大信号；第一高次谐波终止电路，具有使第一放大信号包含的高次谐波分量衰减的频率特性，并具有将第一终止端子和接地部电连接的第一导线；以及接地导线，在半导体芯片的主面的俯视下设置在第一导线与第二输出导线之间，将接地端子和接地部电连接。

Semiconductor device

A semiconductor device is provided with: a substrate with a grounding part supplied with a grounding potential; a semiconductor chip installed on the substrate with a first output terminal, a second output terminal, a first termination terminal, and a grounding terminal; a first amplifier formed in the first area of the semiconductor chip, amplifies the first input signal of the first frequency band and passes through the first output terminal The first output wire outputs the first amplification signal; the second amplifier, formed in the second area of the semiconductor chip, amplifies the second input signal of the second frequency band and outputs the second amplification signal through the second output wire from the second output terminal; the first high-order harmonic termination circuit has the frequency characteristic of attenuating the high-order harmonic component contained in the first amplification signal, and has the function of attenuating the first high-order harmonic component contained in the first amplification signal The first wire electrically connected with the termination terminal and the grounding part, and the grounding wire are arranged between the first wire and the second output wire under the top view of the main surface of the semiconductor chip to electrically connect the grounding terminal and the grounding part.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本技术涉及半导体装置。
技术介绍
在便携式电话等移动体通信机中，使用用于放大向基站发送的无线频率(RF：RadioFrequency)信号的功率的功率放大模块。在功率放大模块中，为了使从放大器输出的放大信号包含的高次谐波分量(具有基频的整数倍的频率的信号)衰减，使用高次谐波终止电路。例如，在专利文献1公开了设置有使放大信号的二倍波的高次谐波分量与接地短路的高次谐波终止电路的高频用发送模块。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002-171137号公报近年来，在功率放大模块中，为了减小芯片面积，有时将对相互不同的频带的信号进行放大的多个放大路径配置在同一芯片。在这样的同一芯片上，从设置在一个放大路径的高次谐波终止电路漏出的高次谐波，例如，二倍波的分量容易转移到另一个放大路径。此时，例如，如果流过一个放大路径的信号的二倍波的频带与流过另一个放大路径的信号的基波的频带接近，则流入到另一个放大路径的二倍波干扰流过该另一个放大路径的信号，有可能使功率放大的特性劣化，或者使接收灵敏度劣化。
技术实现思路
技术要解决的课题本技术是鉴于这样的情形而完成的，其目的在于，提供一种能够抑制多个放大路径间的信号的干扰的半导体装置。用于解决课题的技术方案为了达到这样的目的，本技术的一个方面涉及的半导体装置具备：基板，具有被供给接地电位的接地部；半导体芯片，安装在基板上，具有第一输出端子、第二输出端子、第一终止端子、以及接地端子；第一放大器，形成在半导体芯片的第一区域，将第一频带的第一输入信号放大并从第一输出端子经由第一输出导线输出第一放大信号；第二放大器，形成在半导体芯片的第二区域，将第二频带的第二输入信号放大并从第二输出端子经由第二输出导线输出第二放大信号；第一高次谐波终止电路，具有使第一放大信号包含的高次谐波分量衰减的频率特性，并具有将半导体芯片的第一终止端子和基板的接地部电连接的第一导线；以及接地导线，在半导体芯片的主面的俯视下设置在第一导线与第二输出导线之间，将半导体芯片的接地端子和基板的接地部电连接。本技术的一个方面涉及的半导体装置具备：半导体芯片，具有第一输出端子、第二输出端子、以及被供给接地电位的接地部；第一放大器，形成在半导体芯片的第一区域，将第一频带的第一输入信号放大并从第一输出端子输出第一放大信号；第二放大器，形成在半导体芯片的第二区域，将第二频带的第二输入信号放大并从第二输出端子输出第二放大信号；第一高次谐波终止电路，具有使第一放大信号包含的高次谐波分量衰减的频率特性，并具有将半导体芯片的第一输出端子和接地部电连接的第一布线；以及导电部，在半导体芯片的主面的俯视下设置在第一布线与第二输出端子之间，被供给接地电位。技术效果根据本技术，能够提供一种能够抑制多个放大路径间的信号的干扰的半导体装置。附图说明图1是本技术的第一实施方式涉及的半导体装置包含的功率放大电路的电路图。图2是本技术的第一实施方式涉及的半导体装置的概略俯视图。图3是示出本技术的第一实施方式涉及的半导体装置以及比较例中的高次谐波分量的漏出的仿真结果的曲线图。图4是本技术的第一实施方式的变形例涉及的半导体装置包含的功率放大电路的电路图。图5是本技术的第一实施方式的变形例涉及的半导体装置的概略俯视图。图6是本技术的第二实施方式涉及的半导体装置的概略俯视图。图7是本技术的第二实施方式的变形例涉及的半导体装置的概略俯视图。附图标记说明1、2：功率放大电路，1A：第一路径，1B：第二路径，W：导电部，10A、10B、11A、11B：晶体管，20A、20B：匹配电路，30A、30B：高次谐波终止电路，31A、31B：电容器，32A、32B：电感器，100、200、300、400：半导体装置，110：基板，120：半导体芯片，130A、130B：输出端子，131A、131B：导线，140A、140B：终止端子，141A、141B：导线，150：接地端子，151：接地导线，160：中心线，161A、161B：区域，170A、170B：凸块，180、181、183：接地凸块，182：接地布线，190A、190B：凸块，191A、191B：布线。具体实施方式以下，参照附图对本技术的实施方式进行详细说明。另外，对于同一要素标注同一附图标记，并省略重复的说明。图1是本技术的第一实施方式涉及的半导体装置包含的功率放大电路的电路图。图1所示的功率放大电路1例如搭载于便携式电话，用于对发送到基站的无线频率(RF：RadioFrequency)信号的功率进行放大。被放大的RF信号的通信标准例如为2G(第二代移动通信系统)、3G(第三代移动通信系统)、4G(第四代移动通信系统)、5G(第五代移动通信系统)、LTE(LongTermEvolution，长期演进)-FDD(FrequencyDivisionDuplex，频分双工)、LTE-TDD(TimeDivisionDuplex，时分双工)、LTE-Advanced、LTE-AdvancedPro等。另外，功率放大电路1放大的信号的通信标准并不限于此。功率放大电路1具备将相互不同的频带的RF信号分别放大的两个放大路径。具体地，两个放大路径例如包括将低频段(第一频带)的RF信号放大的第一路径1A和将中频段(第二频带)的RF信号放大的第二路径1B。此外，功率放大电路1在第一路径1A与第二路径1B之间具备带接地电位的导电部W。另外，供给到第一路径1A以及第二路径1B的信号的频带是一个例子，并不限于此。例如，也可以是中频段和高频段、或低频段和高频段等的组合，或者还可以是LTE和5G、或4G和5G等不同的通信标准的组合。第一路径1A包括晶体管10A、匹配电路20A、以及高次谐波终止电路30A。第二路径1B包括晶体管10B和匹配电路20B。晶体管10A(第一放大器)、10B(第二放大器)分别进行RF信号的放大。在本实施方式中，晶体管10A、10B例如是异质结双极晶体管(HBT：HeterojunctionBipolarTransistor)等双极晶体管。具体地，晶体管10A在集电极被供给电源电压Vcc，在基极被供给低频段的输入信号RFinA(第一输入信号)，发射极接地。由此，晶体管10A将输入信号RFinA放大，并从集电极经由匹配电路20A输出放大信号RFoutA(第一放大信号)。晶体管10B在集电极被供给电源电压Vcc，在基极被供给中频段的输入信号RFinB(第二输入信号)，发射极接地。由此，晶体管10B将输入信号RFinB放大，并从集电极经由匹配电路20B输出放大信号RFoutB(第二放大信号)。另外，虽然省略了图示，但是在晶体管10A、10B的基极分别从偏置电路被供给偏置电流或电压。此外，第一路径1A以及第二路径1B也可以分别为包括两级或三级以上的多个晶体管且经多次对功率进行放大的结构。在该情况下，图1所示的晶体管10A、10B例如相当于最终级的晶体管。此外，晶体管10A、10B也可以代替双极晶体管而是MOSFET(Metal-oxide-semiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：基板，具有被供给接地电位的接地部；半导体芯片，安装在所述基板上，具有第一输出端子、第二输出端子、第一终止端子、以及接地端子；第一放大器，形成在所述半导体芯片的第一区域，将第一频带的第一输入信号放大并从所述第一输出端子经由第一输出导线输出第一放大信号；第二放大器，形成在所述半导体芯片的第二区域，将第二频带的第二输入信号放大并从所述第二输出端子经由第二输出导线输出第二放大信号；第一高次谐波终止电路，具有使所述第一放大信号包含的高次谐波分量衰减的频率特性，并具有将所述半导体芯片的所述第一终止端子和所述基板的所述接地部电连接的第一导线；以及接地导线，在所述半导体芯片的主面的俯视下，设置在所述第一导线与所述第二输出导线之间，将所述半导体芯片的所述接地端子和所述基板的所述接地部电连接。

【技术特征摘要】
2018.04.04 JP 2018-0724561.一种半导体装置，其特征在于，具备：基板，具有被供给接地电位的接地部；半导体芯片，安装在所述基板上，具有第一输出端子、第二输出端子、第一终止端子、以及接地端子；第一放大器，形成在所述半导体芯片的第一区域，将第一频带的第一输入信号放大并从所述第一输出端子经由第一输出导线输出第一放大信号；第二放大器，形成在所述半导体芯片的第二区域，将第二频带的第二输入信号放大并从所述第二输出端子经由第二输出导线输出第二放大信号；第一高次谐波终止电路，具有使所述第一放大信号包含的高次谐波分量衰减的频率特性，并具有将所述半导体芯片的所述第一终止端子和所述基板的所述接地部电连接的第一导线；以及接地导线，在所述半导体芯片的主面的俯视下，设置在所述第一导线与所述第二输出导线之间，将所述半导体芯片的所述接地端子和所述基板的所述接地部电连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述接地导线和所述第一导线相互平行地延伸，所述接地导线延伸的方向上的长度比所述第一导线延伸的方向上的长度长。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体芯片还具有第二终止端子，所述半导体装置还具备：第二高次谐波终止电路，具有使所述第二放大信号包含的高次谐波分量衰减的频率特性，并具有将所述半导体芯片的所述第二终止端子和所述基板的所述接地部电连接的第二导线，所述接地导线在所述半导体芯片的所述主面的俯视下设置在所述第一导线与所述第二导线之间。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述接地导线和所述第二导线相互平行地延伸，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田孝，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：日本,JP