无刷控制器刹车保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种无刷控制器刹车保护电路。本实用新型专利技术中：母线电源经过电阻R1、R2分压后进入比较电路；电阻R2的一端接地；比较器U1的同相端3脚接入电阻R1与R2之间；比较器U1的反相端2脚与5V电压源连接；比较器U1的电源电压端8脚与12V电压源连接；功率MOSFET管Q1的栅极通过电阻R6与比较器U1的输出端1脚连接；功率MOSFET管Q1的漏极通过放电电阻R8连接到母线电源；功率MOSFET管的源极接地。本实用新型专利技术通过比较器和功率MOSFET管以及外围电路组成由迟滞比较器触发功率MOSFET管的开关来导通关断放电电阻R8，来消耗电机减速刹车过程中产生的对驱动器有害的能量，避免过高的电压会造成无刷驱动器内部部分电子元器件损坏。

Brake protection circuit of brushless controller

The utility model discloses a brake protection circuit of a brush less controller. In the utility model, the bus power supply enters into the comparison circuit after the resistance R1 and R2 are divided; one end of the resistance R2 is grounded; three pins of the same phase end of the comparator U1 are connected between the resistance R1 and R2; two pins of the reverse phase end of the comparator U1 are connected with the 5V voltage source; eight pins of the power supply voltage end of the comparator U1 are connected with the 12V voltage source; the grid of the power MOSFET tube Q1 is connected with one pin of the output end of the comparator U1 through the resistance R6; The drain of power MOSFET Q1 is connected to the bus power supply through discharge resistance R8; the source of power MOSFET is grounded. The utility model uses a switch composed of a comparator, a power MOSFET and a peripheral circuit, which is triggered by a hysteresis comparator to turn on and off the discharge resistance R8, so as to consume the energy harmful to the driver generated in the process of motor deceleration and braking, so as to avoid the damage of some electronic components in the internal part of the brushless driver caused by high voltage.

【技术实现步骤摘要】
无刷控制器刹车保护电路
本技术属于保护电路
，特别是涉及无刷控制器刹车保护电路。
技术介绍
当无刷电机及其驱动器在额定电压为24V工作时，在带负载刹车减速情况下，母线电压会泵升到30V以上，此过高的电压会造成无刷驱动器内部部分电子元器件损坏，必须加以限制，使母线电压保持在30V以下。此时需要将电机刹车过程中产生的能量需要用一个放电电阻消耗掉。当放电电阻打开时，必须持续消耗刹车过程中产生的能量，不能低于30V就关断,功率MOSFET的频繁开关会影响线路板电路地线的纹波。同时，不能过长时间的开通功率管，以免放电电阻发热过于严重，烧毁。
技术实现思路
本技术的目的在于提供无刷控制器刹车保护电路，通过比较器和功率MOSFET管以及外围电路组成由迟滞比较器触发功率MOSFET管的开关来导通关断放电电阻R8，来消耗电机减速刹车过程中产生的对驱动器有害的能量，避免过高的电压会造成无刷驱动器内部部分电子元器件损坏。为解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现的：本技术为一种无刷控制器刹车保护电路，包括母线电源、比较电路、开关电路、适配电阻R3、适配电阻R5和适配电阻R7；所述母线电源经过电阻R1、R2分压后进入比较电路；所述电阻R2的一端接地；所述比较电路主体由一比较器U1构成；所述比较器U1的同相端3脚接入电阻R1与R2之间；所述比较器U1的反相端2脚与一电压源连接；所述比较器U1的接地端4脚接地；所述比较器U1的电源电压端8脚与一12V电压源连接；所述比较器U1的输出端1脚与放电电路连接；所述开关电路主体由一功率MOSFET管Q1和一放电电阻R8组成；其中，所述功率MOSFET管Q1的栅极通过电阻R6与比较器U1的输出端1脚连接；所述功率MOSFET管Q1的漏极通过放电电阻R8连接到母线电源；所述功率MOSFET管的源极接地。优选地，所述适配电阻R3一端与比较器U1的同相端3脚连接，另一端接入电阻R1和电阻R2之间。优选地，所述比较器U1的输出端1脚与同相端3脚之间通过一适配电阻R4连接。优选地，所述适配电阻R5一端接入比较器U1的输出端1脚与电阻R6之间，另一端与一12V电压源连接。优选地，所述适配电阻R7一端接入电阻R6与功率MOSFET管Q1的漏极之间，另一端接地。本技术具有以下有益效果：本技术通过比较器和功率MOSFET管以及外围电路组成由迟滞比较器触发功率MOSFET管的开关来导通关断放电电阻R8，来消耗电机减速刹车过程中产生的对驱动器有害的能量，避免过高的电压会造成无刷驱动器内部部分电子元器件损坏。当然，实施本技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的无刷控制器刹车保护电路的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。实施例一：请参阅图1所示，本技术为一种无刷控制器刹车保护电路，包括母线电源、比较电路、开关电路、适配电阻R3、适配电阻R5和适配电阻R7；母线电源经过电阻R1、R2分压后进入比较电路；电阻R2的一端接地；比较电路主体由一比较器U1构成；比较器U1采用LM393；比较器U1的同相端3脚接入电阻R1与R2之间；比较器U1的反相端2脚与一5V电压源连接；5V电压源作为比较器U1的参考电压值；比较器U1的接地端4脚接地；比较器U1的电源电压端8脚与一12V电压源连接；12V电压源用于对比较器U1进行供电；比较器U1的输出端1脚与放电电路连接；开关电路主体由一功率MOSFET管Q1和一放电电阻R8组成；其中，功率MOSFET管Q1的栅极通过电阻R6与比较器U1的输出端1脚连接；功率MOSFET管Q1的漏极通过放电电阻R8连接到母线电源；功率MOSFET管的源极接地。优选地，适配电阻R3一端与比较器U1的同相端3脚连接，另一端接入电阻R1和电阻R2之间。优选地，比较器U1的输出端1脚与同相端3脚之间通过一适配电阻R4连接。其中，适配电阻R5一端接入比较器U1的输出端1脚与电阻R6之间，另一端与一12V电压源连接。其中，适配电阻R7一端接入电阻R6与功率MOSFET管Q1的漏极之间，另一端接地。实施例二：本实施例中，电路中的元器件数据如下：R1=10KΩ,R2=2.2KΩ,R3=10KΩ,R4=470KΩ,R5=1KΩ,R6=1KΩ,R7=10KΩ,放电电阻R8=10Ω（功率10W），比较器U1的反向输入端U2=5V,Uom=12V；此时比较器的上门限电压（导通功率MOSFET管的阈值电压）：UH=R3/R4*Uom+(R3+R4)/R4*U2=10/470*12+(10+470)/470*5=5.36V此时比较器的下门限电压（关断功率MOSFET管的阈值电压）：UL=-R3/R4*Uom+(R3+R4)/R4*U2=-10/470*12+(10+470)/470*5=4.85V当母线电压为V+=29.7V时,比较器的同向端输入电压U3=R2/(R1+R2)*V+=2.2/(2.2+10)*29.7=5.36V。当母线电压为V+=26.9V时,比较器的同向端输入电压U3=R2/(R1+R2)*V+=2.2/(2.2+10)*26.9=4.85V。故当母线电压上升到29.7V时，功率MOSFET管导通，放电电阻放电，母线电压降低，当电压降到26.9V时，功率MOSFET管关闭，放电电阻不耗电；由此保证母线打压不上升到30V以上，保护驱动器电路。实施例三：如图1所示，附图中的部分元件及作用如下：值得注意的是，上述系统实施例中，所包括的各个单元只是按照功能逻辑进行划分的，但并不局限于上述的划分，只要能够实现相应的功能即可；另外，各功能单元的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本技术的保护范围。另外，本领域普通技术人员可以理解实现上述各实施例方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，相应的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，所述的存储介质，如ROM/RAM、磁盘或光盘等。以上公开的本技术优选实施例只是用于帮助阐述本技术。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该技术仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本技术的原理和实际应用，从而使所属
技术人员能很好地理解和利用本技术。本技术仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无刷控制器刹车保护电路，其特征在于，包括母线电源、比较电路、开关电路、适配电阻R3、适配电阻R5和适配电阻R7；所述母线电源经过电阻R1、R2分压后进入比较电路；所述电阻R2的一端接地；所述比较电路主体由一比较器U1构成；所述比较器U1的同相端3脚接入电阻R1与R2之间；所述比较器U1的反相端2脚与一电压源连接；所述比较器U1的接地端4脚接地；所述比较器U1的电源电压端8脚与一12V电压源连接；所述比较器U1的输出端1脚与放电电路连接；所述开关电路主体由一功率MOSFET管Q1和一放电电阻R8组成；其中，所述功率MOSFET管Q1的栅极通过电阻R6与比较器U1的输出端1脚连接；所述功率MOSFET管Q1的漏极通过放电电阻R8连接到母线电源；所述功率MOSFET管的源极接地。

【技术特征摘要】
1.一种无刷控制器刹车保护电路，其特征在于，包括母线电源、比较电路、开关电路、适配电阻R3、适配电阻R5和适配电阻R7；所述母线电源经过电阻R1、R2分压后进入比较电路；所述电阻R2的一端接地；所述比较电路主体由一比较器U1构成；所述比较器U1的同相端3脚接入电阻R1与R2之间；所述比较器U1的反相端2脚与一电压源连接；所述比较器U1的接地端4脚接地；所述比较器U1的电源电压端8脚与一12V电压源连接；所述比较器U1的输出端1脚与放电电路连接；所述开关电路主体由一功率MOSFET管Q1和一放电电阻R8组成；其中，所述功率MOSFET管Q1的栅极通过电阻R6与比较器U1的输出端1脚连接；所述功率MOSFET管Q1的漏极通过放电...

【专利技术属性】
技术研发人员：金冠军，杜熠瑾，
申请(专利权)人：浙江联宜电机有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33