The invention discloses an on-board field programmable gate array and its reliability reinforcement method, wherein the reliability reinforcement method of the on-board field programmable gate array includes: making use of the characteristics of the field programmable gate array with different performance and the reliability level difference of the field programmable gate array to carry out the hardware hierarchical design; and / or carrying out at the software module level of the field programmable gate array Software hierarchical design. It can also realize reinforcement for optimizing at least one of the following: silicon wafer; packaging and process technology; software library; system design technology; analysis and verification technology, etc. The on-board field programmable gate array and the reliability strengthening method thereof provided by the invention reduce the reliability accident caused by a single point of hardware or software, and improve the working reliability of the overall space environment.
【技术实现步骤摘要】
星载现场可编程门阵列及其可靠性加固方法
本专利技术涉及雷达
,尤其涉及一种星载现场可编程门阵列及其可靠性加固方法。
技术介绍
现代星载SAR(合成孔径雷达)卫星具有多通道、多模式、高分辨率、大测绘幅宽、全天时和全天候对地观测能力,广泛应用于军事、测绘和农业生产等领域,其应用形式从之前的单一卫星下传然后大量数据经地面加工后信息转发,发展到现阶段多星组网、空天地多传感器信息直接通过星间中继或者广播分发系统下发到用户手中,下发的内容也从原始电磁回波变为现在图像和目标遥感结果。无论是从遥感结果的时效性还是从结果和应用的匹配程度上现代星载SAR比传统星载SAR都有大幅度提升。为了满足应用产品性能提升,星载SAR系统中加入以FPGA(现场可编程门阵列)为核心的高性能计算系统。通过对高性能计算系统功耗、性能和可靠性设计,实现星载SAR系统稳定高效工作。空间环境对电子器件的威胁主要为充放电效应和辐射效应。产生充放电效应的原因有三点:第一、深层充放电效应;第二、表面充放电效应;第三、电流泄露效应。产生辐射效应的原因也有三点:第一、单粒子效应;第二、位移损伤效应;第三、总剂量效应;应对充放电效应的方法主要包括材料、工艺和设计接地三个方面。传统应对辐射效应的方法为硬件上增加金属蒙皮和冷热备份,软件上进行冗余设计(三模冗余)。对比应对充放电效应的方法和应对辐射效应方法现阶段还不完善。传统应对辐射效应的方法都是进行冗余设计或大规模使用宇航级器件,这样的设计思路不仅增大了体积功耗,而且会大幅度提高成本。分析空间辐射效应对FPGA的影响主要是集中在SEE(单粒子辐射效应),产生这 ...
【技术保护点】
1.一种星载现场可编程门阵列的可靠性加固方法,其特征在于,包括:利用不同性能的现场可编程门阵列特点和现场可编程门阵列可靠性等级差别进行硬件层次化设计;和/或在所述现场可编程门阵列的软件模块层面进行软件层次化设计。
【技术特征摘要】
1.一种星载现场可编程门阵列的可靠性加固方法,其特征在于,包括:利用不同性能的现场可编程门阵列特点和现场可编程门阵列可靠性等级差别进行硬件层次化设计;和/或在所述现场可编程门阵列的软件模块层面进行软件层次化设计。2.根据权利要求1所述的星载现场可编程门阵列的可靠性加固方法,其特征在于,所述硬件层次化设计从下至上每层依次为:SRAM型现场可编程门阵列;第一FLASH型现场可编程门阵列;第二FLASH型现场可编程门阵列;其中,所述第二FLASH型现场可编程门阵列的可靠性高于所述第一FLASH型现场可编程门阵列的可靠性,所述SRAM型现场可编程门阵列、第一FLASH型现场可编程门阵列和第二FLASH型现场可编程门阵列两两相连。3.根据权利要求2所述的星载现场可编程门阵列的可靠性加固方法,其特征在于,所述硬件化层次设计的层数为N层,其中,第一层为SRAM型现场可编程门阵列,第二至第N层为FLASH型现场可编程门阵列,且所述第二至第N层的FLASH型现场可编程门阵列的可靠性依次递增。4.根据权利要求1所述的星载现场可编程门阵列的可靠性加固方法,其特征在于,所述软件层次化设计从下至上依次为:第一可靠模块,包括基础运算模块...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹越,刘霖,江率,
申请(专利权)人:中国科学院电子学研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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