功率半导体模块及车辆制造技术

技术编号:22491773 阅读:14 留言:0更新日期:2019-11-06 18:27
本公开涉及一种功率半导体模块及车辆,该模块包括功率半导体芯片和分别连接在该功率半导体芯片两侧的第一散热基板和第二散热基板,该模块还包括第一电气转接块,第一散热基板或第二散热基板上具有导电层,功率半导体芯片通过第一电气转接块与导电层相连。通过在功率半导体芯片的两侧设置第一散热基板和第二散基板以实现对功率半导体芯片的双面散热,并且通过设置第一电气转接块和导电层的电连接,可以通过导电层使得功率半导体芯片完成和其他器件的电连接,从而取代现有的绑线实现功率半导体芯片的电连接,更加稳定可靠。

Power semiconductor module and vehicle

【技术实现步骤摘要】
功率半导体模块及车辆
本公开涉及电力电子
,具体地,涉及一种功率半导体模块及车辆。
技术介绍
功率半导体模块是将多个半导体芯片按照一定的电路结构封装在一起的器件。在一个IGBT模块里,IGBT芯片及二极管芯片被集成到一块共同的底板上,且模块的功率器件与其安装表面相互绝缘。目前IGBT模块具有的结构:芯片下表面直接连接在DBC基板上,再将贴有芯片的DBC基板与散热底板进行连接,连接方式有压接、焊接等,上表面金属化的芯片采用细的铝制键接线用键接方式实现电气连接。DBC基板既保证了良好导热性能还使得功率器件与模块底板之间实现电气绝缘。散热形式大多采用对芯片一侧的散热板进行液体冷却的方式来对模块进行散热。芯片上表面被硅凝胶覆盖,基本没有散热能力,只有靠芯片下表面的DBC基板和底板进行散热,并且这种封装结构由多层材料组成,结构较为复杂,多层的结构妨碍散热,底板散热能力有限,整个模块热阻大。DBC基板在多个温度循环或温度冲击过程中有出现裂纹等失效的风险进而影响模块的使用寿命。
技术实现思路
本公开的目的是提供一种功率半导体模块及车辆,该模块可实现双面散热,结构简单、散热能力强。为了实现上述目的,本公开提供一种功率半导体模块,所述模块包括功率半导体芯片和分别连接在该功率半导体芯片两侧的第一散热基板和第二散热基板,所述模块还包括第一电气转接块,所述第一散热基板或所述第二散热基板上具有导电层,所述功率半导体芯片通过所述第一电气转接块与所述导电层相连。可选地,所述模块包括功率端子,所述功率端子设置在所述第一散热基板上,所述功率半导体芯片通过所述第一电气转接块与所述第二散热基板的所述导电层相连,所述功率端子通过第二电气转接块与所述导电层相连。可选地,所述模块还包括控制端子,所述功率半导体芯片包括第一芯片和第二芯片,该第一芯片和第二芯片分别设在所述第一散热基板上,并且分别通过一个第一电气转接块与所述导电层相连,所述第一芯片通过相应的第一电气转接块、所述导电层和所述第二电气转接块与所述功率端子相连,所述第二芯片通过键合线与所述控制端子电连接。可选地,所述第一芯片为IGBT芯片,所述第二芯片为FRD芯片。可选地,所述第一散热基板具有同侧且间隔设置的第一导电层、第二导电层和第三导电层,所述第一芯片和所述第二芯片固定连接在该第一导电层上,所述功率端子焊接在所述第二导电层上,所述控制端子焊接在所述第三导电层上。可选地,所述功率半导体芯片为多个,该多个功率半导体芯片分别通过所述第一电气转接块与所述导电层相连。可选地,所述导电层和相应的电气转接块之间,以及所述功率半导体芯片和所述电气转接块之间均采用焊接连接。可选地,所述第一散热基板和/或所述第二散热基板为覆铜树脂基板,所述导电层为所述覆铜树脂基板所覆的铜皮层。可选地,所述模块还包括塑封体,所述塑封体用于对所述模块进行模封。可选地,相应的电气转接块的材料为铜钼。本公开还提供一种车辆,该车辆包括所述的功率半导体模块。本公开的有益效果:通过在功率半导体芯片的两侧设置第一散热基板和第二散热基板以实现对功率半导体芯片的双面散热,并且通过设置第一电气转接块和导电层的电连接,可以通过导电层使得功率半导体芯片完成和其他器件的电连接,从而取代现有的绑线实现功率半导体芯片的电连接,更加稳定可靠。本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。附图说明附图是用来提供对本公开的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本公开,但并不构成对本公开的限制。在附图中:图1是本公开的一种实施方式的功率半导体模块的结构示意简图;图2是本公开的一种实施方式的功率半导体模块的俯视图。附图标记说明1功率半导体芯片2第一散热基板3第二散热基板4第一电气转接块5功率端子6第二电气转接块7控制端子8键合线9塑封体11第一芯片12第二芯片21第一导电层22第二导电层23第三导电层100焊料10第一铜皮层20第二铜皮层30树脂层具体实施方式以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开,并不用于限制本公开。如图1和图2所示,本公开提供一种功率半导体模块,该模块可以包括功率半导体芯片1和分别连接在该功率半导体芯片1两侧的第一散热基板2和第二散热基板3,该第一散热基板2和第二散热基板3用于对该功率半导体芯片1的两侧进行散热处理,结构简单、散热性能好。具体地可以通过液体冷却该第一散热基板2和第二散热基板3的方式来对上述功率半导体芯片1进行散热处理。模块还可以包括第一电气转接块4,第一散热基板2或第二散热基板3上可以具有导电层,功率半导体芯片1可以通过第一电气转接块4与导电层相连,使得该第一电气转接块4作为电气连接部件取代了现有技术的多条绑线,从而通过导电层完成功率半导体芯片和其他器件的电连接,结构简单,实现电连接的同时也可以实现热量的传递,将功率半导体芯片1上的热量通过第一电气转接块4传递给第一散热基板2或者第二散热基板3。具体地,如图1所示,该功率半导体模块可以包括功率端子5,该功率端子5可以包括输入端和输出端,输入端可以与车辆上的电池包连接输入直流电,利用该功率半导体模块内的功率半导体芯片1的逆变功能进行电流的逆变,并经输出端输出交流电与电机连接。功率端子5可以设置在第一散热基板2上,功率半导体芯片1可以通过第一电气转接块4与第二散热基板3的导电层相连,功率端子5通过第二电气转接块6与导电层相连。在具体工作情况下,功率端子5输入端输入的电流经过功率半导体芯片1的逆变后,依次传递给第一电气转接块4、第二散热基板3的导电层以及第二电气转接块6,最后传递至功率端子5的输出端,即通过两个电气转接块和导电层完成逆变后电流的输出。并且在工作过程中,第一电气转接块4也能将功率半导体芯片1上的热量传递至第二散热基板3上,相应地,第一散热基板2也与该功率半导体芯片1的另一侧连接,从而实现对该功率半导体芯片1的两侧(即双面)进行散热处理,结构简单且散热性好。更具体地,如图1所示,该功率半导体模块还可以包括控制端子7,该控制端子7可以作为信号输出端用于对功率半导体芯片1上的电流或温度等进行检测,以保证功率半导体芯片1的正常工作。该控制端子7还可以作为门极信号端用于输入电压信号,从而实现对该功率半导体模块的导通或者关闭的控制。功率半导体芯片1可以包括第一芯片11和第二芯片12,该第一芯片11和第二芯片12可以分别设在第一散热基板2上,并且分别通过一个第一电气转接块4与上述的第二散热基板3的导电层相连,第一芯片11通过相应的第一电气转接块4、第二散热基板3的导电层和第二电气转接块6与功率端子5相连,第二芯片12可以通过键合线8与控制端子7电连接。在这种实施方式中,之所以这样布置,是因为控制端子7输出的电流小,可以直接通过一根键合线8安装在第二芯片12上并且占用极少的安装空间,故第二芯片12采用键合线8和控制端子7电连接即可。作为一种可选的实施方式,第一芯片11可以为IGBT芯片(insulatedgatebipolartransistor,绝缘栅双极型晶体管),第二芯片12可以为FRD芯片(fastrecoverydiode,快速恢复二极管),本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率半导体模块,其特征在于,所述模块包括功率半导体芯片(1)和分别连接在该功率半导体芯片(1)两侧的第一散热基板(2)和第二散热基板(3),所述模块还包括第一电气转接块(4),所述第一散热基板(2)或所述第二散热基板(3)上具有导电层,所述功率半导体芯片(1)通过所述第一电气转接块(4)与所述导电层相连。

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体模块,其特征在于,所述模块包括功率半导体芯片(1)和分别连接在该功率半导体芯片(1)两侧的第一散热基板(2)和第二散热基板(3),所述模块还包括第一电气转接块(4),所述第一散热基板(2)或所述第二散热基板(3)上具有导电层,所述功率半导体芯片(1)通过所述第一电气转接块(4)与所述导电层相连。2.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于,所述模块包括功率端子(5),所述功率端子(5)设置在所述第一散热基板(2)上,所述功率半导体芯片(1)通过所述第一电气转接块(4)与所述第二散热基板(3)的所述导电层相连,所述功率端子(5)通过第二电气转接块(6)与所述导电层相连。3.根据权利要求2所述的功率半导体模块,其特征在于,所述模块还包括控制端子(7),所述功率半导体芯片(1)包括第一芯片(11)和第二芯片(12),该第一芯片(11)和第二芯片(12)分别设在所述第一散热基板(2)上,并且分别通过一个所述第一电气转接块(4)与所述导电层相连,所述第一芯片(11)通过相应的第一电气转接块(4)、所述导电层和所述第二电气转接块(6)与所述功率端子(5)相连,所述第二芯片(12)通过键合线(8)与所述控制端子(7)电连接。4.根据权利要求3所述的功率半导体模块,其特征在于,所述第一芯片(11)为IGBT芯片,所述第二芯片(1...

【专利技术属性】
技术研发人员:李慧张建利韩寅平严百强
申请(专利权)人:比亚迪股份有限公司深圳比亚迪微电子有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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