摄像装置和电子设备制造方法及图纸

技术编号:22472418 阅读:29 留言:0更新日期:2019-11-06 13:22
本发明专利技术涉及能够获得更佳的像素信号的摄像装置和电子设备。本发明专利技术包括:将接收的光转换为电荷的光电转换部;保持从光电转换部传输的电荷的保持部;和在光电转换部与保持部之间遮挡光的遮光部。光电转换部、保持部和遮光部形成在具有预定厚度的半导体基板中。在将电荷从光电转换部传输至保持部的传输区域中的遮光部被形成为不穿透半导体基板的非穿透遮光部。传输区域之外的遮光部被形成为穿透半导体基板的穿透遮光部。本发明专利技术能够应用于摄像元件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置和电子设备
本专利技术涉及摄像装置和电子设备,例如,涉及能够获得更好的像素信号的摄像装置和电子设备。
技术介绍
诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CCD)的摄像装置广泛用于数码照相机、数码摄像机等。例如,CMOS图像传感器上的入射光在包括在像素中的光电二极管(PD)中经受光电转换。然后,PD中产生的电荷通过传输晶体管而被传输至浮动扩散部(FD),并转换成具有根据接收光量而定的电平的像素信号。同时,在传统CMOS图像传感器中,由于通常采用按顺序逐行读取来自各个像素的像素信号的机制(所谓的滚动快门机制),有时会由于曝光时间的差异而发生图像失真。因此,例如,专利文献1公开了一种CMOS图像传感器,其采用通过在每个像素中设置电荷保持部,以同时从所有像素读取像素信号的方案,即所谓的全局快门方案,该CMOS图像传感器具有全像素同步电子快门功能。通过采用全局快门方案,针对所有像素的曝光时间变得相同,使得能够避免图像中出现失真。引用列表专利文献专利文献1:日本专利申请公开第2008-103647号
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题由于在采用了像素中设置有电荷保本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种摄像装置,包括:光电转换部,所述光电转换部被构造用于将接收的光转换为电荷;保持部,所述保持部被构造用于保持从所述光电转换部传输的电荷;和遮光部,所述遮光部被构造用于在所述光电转换部与所述保持部之间遮光,其中,所述光电转换部、所述保持部和所述遮光部形成在具有预定厚度的半导体基板中,并且将所述电荷从所述光电转换部传输至所述保持部的传输区域的所述遮光部被形成为不穿透所述半导体基板的非穿透遮光部,并且所述传输区域之外的所述遮光部被形成为穿透所述半导体基板的穿透遮光部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.22 JP 2017-0553091.一种摄像装置,包括:光电转换部,所述光电转换部被构造用于将接收的光转换为电荷;保持部,所述保持部被构造用于保持从所述光电转换部传输的电荷;和遮光部,所述遮光部被构造用于在所述光电转换部与所述保持部之间遮光,其中,所述光电转换部、所述保持部和所述遮光部形成在具有预定厚度的半导体基板中,并且将所述电荷从所述光电转换部传输至所述保持部的传输区域的所述遮光部被形成为不穿透所述半导体基板的非穿透遮光部,并且所述传输区域之外的所述遮光部被形成为穿透所述半导体基板的穿透遮光部。2.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,当所述光电转换部的一条边的长度为1时,所述非穿透遮光部的长度为1/5或更大。3.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述非穿透遮光部形成在所述半导体基板的厚度的一半以上的深度处。4.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述非穿透遮光部形成在所述半导体基板的厚度的一半以下的深度处。5.根据权利要求1所述的摄像装置,还包括OFG栅极,其中,所述非穿透遮光部形成在布置有所述OFG栅极的一侧。6.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述保持部设置在相对于所述光电转换部偏移半个间距的位置处。7.根据权利要求1所述的摄像装置,还包括防回流栅极,所述防回流栅极被构造用于防止所述电荷从所述保持部回流至所述光电转换部。8.根据权利要求7所述的摄像装置,其中,所述防回流栅极是所述非穿透遮光部的一...

【专利技术属性】
技术研发人员:熊谷至通阿部高志吉田辽人
申请(专利权)人:索尼半导体解决方案公司
类型:发明
国别省市:日本,JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1