一种基于半模基片集成脊波导的混合环制造技术

本发明专利技术公开了一种半模基片集成脊波导混合环。包括微带结构和半模基片集成脊波导结构；所述微带结构的端口二与端口三在中心环的位置分别与半模基片集成脊波导结构相连接，微带结构与半模基片集成脊波导结构相连接的部分是一个渐变段；微带结构的上金属层连接第一端口、第二端口、第三端口和第四端口；半模基片集成脊波导结构的第一介质层的上表面设有上金属层，第一介质层与上金属层的宽度与长度一致；第一介质层的上金属层和下金属层通过两排金属化通孔阵列连接，第一介质层的上金属层、下金属层和第二介质层的下金属层地通过两排金属化通孔连接。本发明专利技术能够实现和差网络的功能，即信号的和与信号的差，具有大于29％的相对带宽，混合环为平面结构。

【技术实现步骤摘要】
一种基于半模基片集成脊波导的混合环
本专利技术涉及半模基片集成脊波导技术，特别是涉及一种具有宽带的半模基片集成脊波导混合环。
技术介绍
随着4G、5G中大规模MIMO技术和相控阵天线技术的飞速发展，对天线馈电网络及射频系统关键器件的要求越来越高。天线馈电网络关键器件的超宽带、小型化、大容量、高速率、多功能等成为该领域的研究热点。实现小型化能够有效地利用现代封装技术进行集成。在微波系统中，宽带混合环是宽带馈电网络中一种关键的无源器件之一，根据不同结构的混合环，在端口匹配的情况下，实现端口之间的隔离、调节功率输出的相位以及提供同相或反相输出的等功率分流的重要功能。混合环可以用作和差网络，因此混合环在平衡功率放大器和混频器的功率分配中发挥着重要作用。传统混合环的尺寸比较大，带宽比较窄。本专利技术是采用半模基片集成脊波导技术实现的混合环，在系统集成化、小型化、宽带领域具有突出的优势。
技术实现思路
技术问题：为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的是提供一种具有宽带、小型化、易于集成的半模基片集成脊波导混合环。技术方案：为达到此目的，本专利技术的一种半模基片集成脊波导混合环采用以下技术方案：该混本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半模基片集成脊波导混合环，其特征在于：该混合环包括微带结构(20)和半模基片集成脊波导结构(8)；所述微带结构(20)的第二端口(2)与第三端口(3)在中左环(5)、中上环(6)、中下环(7)的位置分别与半模基片集成脊波导结构的两个端口相连接，微带结构(20)与半模基片集成脊波导结构(8)相连接的连接段(18)是一个渐变的过程，与半模基片集成脊波导结构中的金属(19)的宽度不一致；微带结构(20)的中左环(5)、中上环(6)、中下环(7)的宽度均为0.34mm，微带结构(20)的中间金属层(11)连接第一端口(1)、第二端口(2)、第三端口(3)和第四端口(4)；半模基片集成脊波导结构...

【技术特征摘要】
1.一种半模基片集成脊波导混合环，其特征在于：该混合环包括微带结构(20)和半模基片集成脊波导结构(8)；所述微带结构(20)的第二端口(2)与第三端口(3)在中左环(5)、中上环(6)、中下环(7)的位置分别与半模基片集成脊波导结构的两个端口相连接，微带结构(20)与半模基片集成脊波导结构(8)相连接的连接段(18)是一个渐变的过程，与半模基片集成脊波导结构中的金属(19)的宽度不一致；微带结构(20)的中左环(5)、中上环(6)、中下环(7)的宽度均为0.34mm，微带结构(20)的中间金属层(11)连接第一端口(1)、第二端口(2)、第三端口(3)和第四端口(4)；半模基片集成脊波导结构(8)的第一介质层(10)的上表面设有上金属层(9)，第一介质层(10)与上金属层(9)的宽度与长度一致，小于8mm；第一介质层(10)的上金属层(9)和中间金属层(11)通过两排金属化盲孔(14)连接，第一介质层(10)的上金属层(9)、中间金属层(11)和第二介质层的(12)的下金属层地(13)通过两排金属化通孔(15)连接。2.根据权利要求1所述的半模基片集成脊波导混合环，其特征在于：所述的第一介质层(10)、第二介质层(12)为介电常数为2.65的介质基板，厚度为0.25mm-0.5mm，第一介质层(10)的长度和宽度分别为12mm-16m...

【专利技术属性】
技术研发人员：华光，王曼丽，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32