一种固态硬盘制造技术

本发明专利技术公开了一种固态硬盘控制器，至少包括固态硬盘控制器以及与其相连接的DRAM和FLASH，其中，固态硬盘控制器为集成封装为单颗芯片，至少包括CPU、主控接口控制器、DRAM控制器、闪存控制器和缓存单元，其中，CPU与主控接口控制器、DRAM控制器、闪存控制器和缓存单元相连接，用于控制固态硬盘控制器的工作；主控接口控制器与外部主机相连接，用于与外部主机进行数据传输；缓存单元和DRAM在逻辑上映射为连续内存地址，用于缓存主控接口控制器接收的数据；DRAM控制器与CPU、主控接口控制器、闪存控制器和缓存单元相连接，用于根据CPU的指令控制缓存单元和DRAM；闪存控制器与FLASH相连接，用于将缓存单元和DRAM中的数据存储至FLASH中。

A kind of SSD

【技术实现步骤摘要】
一种固态硬盘
本专利技术涉及存储器
，尤其涉及一种固态硬盘。
技术介绍
固态硬盘(SSD)已经成为目前主流的存储设备，广泛应用于各个领域的数据存储。目前，主流的SSD架构如图1所示，固态硬盘控制器(SSD控制器)为集成封装的芯片(ASIC)，其内设置主机接口控制器、闪存控制器和DRAM控制器，其中，主机接口控制器(HostInterfaceController)作为前端跟主机打交道，接口可以使PCIE，SATA，SAS等接口；闪存控制器(FlashController)作为后端跟闪存(FLASH)打交道并完成数据编解码和ECC验证，在此之外还有DRAM控制器通过AXI总线与独立封装的DRAM互联互通，用于数据缓存。在上述架构中，DRAM为外接在固态硬盘控制器外面通过PCB连线进行连接。数据通过主机接口传入，DRAM控制器而后向CPU申请传输总线的权限，而后将数据写入DRAM的对应地址内，并通知闪存控制器，闪存控制器将数据从DRAM内取出存入到FLASH中，便完成数据的存储过程。由于DRAM的接口带宽普遍较数据传入带宽大，所以能够持续全速接收处理主机接口的读写数据。如果主机接口处短时间内有大量的数据需要传入，由于DRAM的带宽不足只能放缓数据传入的速度，这极大的限制了SSD的写入性能，而通过升级DRAM来提高性能花费的成本较高，通常比集成封装的固态硬盘控制器芯片还贵，这无疑提高了SSD的硬件成本。故，针对现有技术的缺陷，实有必要提出一种技术方案以解决现有技术存在的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，确有必要提供一种固态硬盘，在固态硬盘控制器内部集成设置缓存单元的，在同等DRAM的硬件下，提高SSD的内存带宽，解决了由于SSD内存带宽不足导致的数据传输延时问题。为了解决现有技术存在的技术问题，本专利技术的技术方案如下：一种固态硬盘，至少包括固态硬盘控制器以及与其相连接的DRAM和FLASH，其中，所述固态硬盘控制器为集成封装为单颗芯片，至少包括CPU、主控接口控制器、DRAM控制器、闪存控制器和缓存单元，其中，所述CPU与主控接口控制器、DRAM控制器、闪存控制器和缓存单元相连接，用于控制所述固态硬盘控制器的工作；所述主控接口控制器与外部主机相连接，用于与外部主机进行数据传输；所述缓存单元和DRAM在逻辑上映射为连续内存地址，用于缓存主控接口控制器接收的数据；所述DRAM控制器与CPU、主控接口控制器、闪存控制器和缓存单元相连接，用于根据CPU的指令控制所述缓存单元和DRAM；所述闪存控制器与FLASH相连接，用于将所述缓存单元和DRAM中的数据存储至FLASH中。作为进一步的改进方案，所述缓存单元采用SRAM。作为进一步的改进方案，所述DRAM控制器与DRAM和缓存单元之间均采用AXI总线。作为进一步的改进方案，主控接口控制器写入带宽大于DRAM带宽时，所述DRAM控制器同时使用DRAM和缓存单元的带宽资源来进行数据传输以提高数据带宽。作为进一步的改进方案，所述缓存单元的带宽至少为主机接口端的数据传入带宽的两倍。作为进一步的改进方案，所述缓存单元的带宽为4GB/s。作为进一步的改进方案，所述DRAM的带宽为2GB/s。作为进一步的改进方案，所述缓存单元和DRAM在逻辑上映射为连续内存地址，其中，所述缓存单元地址为高位部分，所述DRAM地址为低位部分。作为进一步的改进方案，所述DRAM控制器根据数据的属性选择所述缓存单元或DRAM，其中，所述DRAM用于缓存连续的数据；所述缓存单元用于缓存随机数据。作为进一步的改进方案，所述主控接口控制器采用PCIE、SATA或SAS接口。与现有技术相比较，本专利技术提出了一种全新的SSD主控缓存架构，在固态硬盘控制器内部集成设置缓存单元实现DRAM的功能，进而提高了DRAM的传输带宽，保证了固态硬盘高速写入性能的稳定。相比较于直接换用更高性能的DRAM来提高传输带宽，该设计方法极大地降低了硬件设计成本，使用仲裁器把缓存单元接入，设计复杂度降低，能够保证了固态硬盘高速写入性能的稳定。附图说明图1为现有技术中固态硬盘的架构框图。图2为本专利技术固态硬盘的原理框图。图3为本专利技术中缓存单元和DRAM连续逻辑地址示意图。如下具体实施例将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式以下将结合附图对本专利技术提供的技术方案作进一步说明。现有技术中，提高SSD的数据带宽通常需要采用性能更好的DRAM，这会极大的增加SSD硬件成本。针对该技术缺陷，本专利技术提出了一种全新的SSD主控缓存架构，参见图2，所示为本专利技术固态硬盘的原理框图，至少包括固态硬盘控制器以及与其相连接的DRAM和FLASH，其中，所述固态硬盘控制器为集成封装为单颗芯片，至少包括CPU、主控接口控制器、DRAM控制器、闪存控制器和缓存单元，其中，所述CPU与主控接口控制器、DRAM控制器、闪存控制器和缓存单元相连接，用于控制所述固态硬盘控制器的工作；所述主控接口控制器与外部主机相连接，用于与外部主机进行数据传输；所述缓存单元和DRAM在逻辑上映射为连续内存地址，用于缓存主控接口控制器接收的数据；所述DRAM控制器与CPU、主控接口控制器、闪存控制器和缓存单元相连接，用于根据CPU的指令控制所述缓存单元和DRAM；所述闪存控制器与FLASH相连接，用于将所述缓存单元和DRAM中的数据存储至FLASH中。上述技术方案中，在固态硬盘控制器的内部再集成一块独立的缓存单元来实现DRAM的功能，在一种优选实施方式中，集成的缓存单元和外接的DRAM采用相同的AXI高速总线，拥有相同的带宽。DRAM控制器通过仲裁器控制缓存单元和DRAM，从而能够提高数据带宽，并优化数据缓存控制。在一种优选实施方式中，缓存单元采用SRAM，由于SRAM与主控芯片采用相同的工艺，从而能将缓存集成到主控芯片之中。参见图3，所示为本专利技术中缓存单元和DRAM连续逻辑地址示意图，整个机制如下：集成的缓存单元和DRAM在物理上是分离的，但是逻辑上将它们映射成一块连续的地址，缓存单元地址占高位部分，DRAM地址为低位部分。由DRAM控制器来进行统一控制，根据数据的属性，通过仲裁器控制缓存单元和DRAM，如高延时、连续的数据可以写入DRAM中，低延时、随机数据可以写入缓存单元中。假设缓存单元带宽是4GB/s，DRAM带宽是2GB/s。数据由主机接口传入，主机接口控制器负责对传入的数据进行解码和校验，而后通知DRAM控制器有数据需要传入，DRAM控制器则向CPU申请系统总线的使用权，DRAM控制器获得系统总线使用权后，直接将需要传入的数据直接存入缓存单元(DRAM)中并通知闪存控制器，而后闪存控制器直接将缓存单元(DRAM)中数据取出写入到FLASH当中。在写入带宽需求较大，如6GB/s，可以同时使用DRAM和缓存单元的带宽资源来进行数据传输，这样就解决了因DRAM带宽不足导致需要放缓数据传入速度的缺陷。以上实施例的说明只是用于帮助理解本专利技术的方法及其核心思想。应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以对本专利技术进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本专利技术权利要求的保护范围内。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本专利技术。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种固态硬盘，其特征在于，至少包括固态硬盘控制器以及与其相连接的DRAM和FLASH，其中，所述固态硬盘控制器为集成封装为单颗芯片，至少包括CPU、主控接口控制器、DRAM控制器、闪存控制器和缓存单元，其中，所述CPU与主控接口控制器、DRAM控制器、闪存控制器和缓存单元相连接，用于控制所述固态硬盘控制器的工作；所述主控接口控制器与外部主机相连接，用于与外部主机进行数据传输；所述缓存单元和DRAM在逻辑上映射为连续内存地址，用于缓存主控接口控制器接收的数据；所述DRAM控制器与CPU、主控接口控制器、闪存控制器和缓存单元相连接，用于根据CPU的指令控制所述缓存单元和DRAM；所述闪存控制器与FLASH相连接，用于将所述缓存单元和DRAM中的数据存储至FLASH中。

【技术特征摘要】
1.一种固态硬盘，其特征在于，至少包括固态硬盘控制器以及与其相连接的DRAM和FLASH，其中，所述固态硬盘控制器为集成封装为单颗芯片，至少包括CPU、主控接口控制器、DRAM控制器、闪存控制器和缓存单元，其中，所述CPU与主控接口控制器、DRAM控制器、闪存控制器和缓存单元相连接，用于控制所述固态硬盘控制器的工作；所述主控接口控制器与外部主机相连接，用于与外部主机进行数据传输；所述缓存单元和DRAM在逻辑上映射为连续内存地址，用于缓存主控接口控制器接收的数据；所述DRAM控制器与CPU、主控接口控制器、闪存控制器和缓存单元相连接，用于根据CPU的指令控制所述缓存单元和DRAM；所述闪存控制器与FLASH相连接，用于将所述缓存单元和DRAM中的数据存储至FLASH中。2.根据权利要求1所述的固态硬盘，其特征在于，所述缓存单元采用SRAM。3.根据权利要求1或2所述的固态硬盘，其特征在于，所述DRAM控制器与DRAM和缓存单元之间均采用AXI总线。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊凌雁，刘海銮，姚珅，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33