凹凸棒石/C2N一维/二维复合材料、制备方法和用途技术

技术编号:22458246 阅读:21 留言:0更新日期:2019-11-06 03:20
本发明专利技术提供一种凹凸棒石/C2N一维/二维复合材料的制备方法,利用原位化学反应将二维C2N薄层负载于一维凹凸棒石表面,有效抑制C2N薄层再次聚集,在有效暴露活性位点的同时提高其比表面积,获得具有优异光、电性能的新型凹凸棒石/C2N一维/二维复合材料。

Attapulgite / C2n one-dimensional / two-dimensional composite material, preparation method and Application

【技术实现步骤摘要】
凹凸棒石/C2N一维/二维复合材料、制备方法和用途
本专利技术属于新材料领域,具体涉及一种凹凸棒石/C2N一维/二维复合材料的制备方法。
技术介绍
近年来,碳氮化物基纳米结构材料,由于具有资源丰富、热稳定性和化学稳定性好、电子结构可调、无毒无害、成本低廉等优点,在光催化分解水领域引起了极大的关注[13,14]。其中C2N是目前最新报道的类石墨相氮化碳,它具有二维层状结构,理论预测表明其禁带宽度1.96eV。在C2N的二维薄层平面结构中,存在周期性的小孔,孔的边界由氮原子组成,导致电子在氮原子富集;而且C2N片层之间的作用力较弱,具有表面活性位点多,比表面积大,电子传导效率等特点,因此,在光电分解水、锂离子电池等领域具有较好的应用前景。二维材料特别是超薄二维材料,具有比零维和一维材料具有更高的比表面积、更多的表面活性位点、更有益的电子迁移率、更大的电子转移平台等优点,体现出高效的光学、电学及催化性能。但单层或薄层C2N必然存在着二次聚合的倾向,如何用简单、低耗的方法获得C2N薄层材料,并且能有效抑制其二次聚集,是一个具有挑战性的话题。
技术实现思路
本专利技术的技术方案中,在合成C2N薄层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.凹凸棒石/C2N一维/二维复合材料,其特征在于,所述的复合材料是以凹凸棒石作为载体,在凹凸棒石表面负载有C2N。

【技术特征摘要】
2018.05.21 CN 20181048634991.凹凸棒石/C2N一维/二维复合材料,其特征在于,所述的复合材料是以凹凸棒石作为载体,在凹凸棒石表面负载有C2N。2.权利要求1所述的凹凸棒石/C2N一维/二维复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将凹凸棒石、溶剂、六氨基苯三盐酸盐、浓硫酸混合,并升温回流,再加入六酮环己烷八水合物继续回流,将产物滤出后,干燥,再经过研磨、焙烧后,得到ATP/C2N薄层材料。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在一个实施方式中,所述的凹凸棒石的表面经过了接枝硅烷偶联剂的处理。4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,在一个实施方式中,所述的硅烷偶联剂是KH560。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:张莉莉汤超秦豆豆王婧怡殷竟洲赵伟李乔琦程志鹏周守勇赵宜江汪信
申请(专利权)人:淮阴师范学院
类型:发明
国别省市:江苏,32

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