一种阵列基板和显示面板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种阵列基板和显示面板。一种阵列基板包括：衬底基板；第二金属层，包括源极金属层和漏极金属层，形成于衬底基板上；沟道区，位于源极金属层和漏极金属层之间；欧姆接触层，形成于源极金属层和漏极金属层上，以及沟道区内；有源层，形成于欧姆接触层上，以及沟道区内；第一绝缘层，形成于有源层、源极金属层和漏极金属层上；第一金属层，形成于第一绝缘层上；第二绝缘层，形成于第一金属层和第一绝缘层上；第一色阻层，形成于衬底基板上，隔挡沟道区；第一色阻层至少有两层色阻层，两层色阻层对应的颜色不同且层叠设置。色阻层制程中,同步形成层叠的第一色阻层，隔挡沟道区，色阻采用非导电材质，跟TFT器件不会产生寄生电容。

An array substrate and display panel

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板和显示面板
本技术涉及显示
，更具体的说，涉及一种阵列基板和显示面板。
技术介绍
随着科技的发展和进步，液晶显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(BacklightModule)。液晶面板包括彩膜基板(ColorFilterSubstrate，CFSubstrate，也称彩色滤光片基板)、薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorSubstrate，TFTSubstrate)和光罩(Mask)，上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一层液晶分子(Li-quidCrystal，LC)。薄膜晶体管的基本组成包括两层金属(常用Al或Cu)、两层绝缘层、一层有源层和一层位于半导体与金属层之间的欧姆接触层。两层金属构成的电极分别是扫描信号金属电极和数据信号金属电极；两层绝缘层分别指位于有源层下方的绝缘层(GI层)和位于有源层上方的绝缘层(PV层)；有源层和欧姆接触作用的掺杂层一起在薄膜晶体管中通常是个岛状图形，因此有时又被称为有源岛或硅岛。根据栅极与硅岛的上下位置关系，薄膜晶体管结构可以分为底栅结构和顶栅结构。现有顶栅结构受到背光照射使得TFT器件性能劣化。
技术实现思路
有鉴于现有技术的上述缺陷，本技术所要解决的技术问题是提供一种可以遮挡背光对TFT器件产生影响的一种阵列基板和显示面板。为实现上述目的，本技术提供了一种保护TFT器件性能的画素结构设计，包括：衬底基板；第二金属层，包括源极金属层和漏极金属层，形成于衬底基板上；沟道区，位于所述源极金属层和所述漏极金属层之间；欧姆接触层，形成于所述源极金属层和所述漏极金属层上，以及所述沟道区内；有源层，形成于所述欧姆接触层上，以及所述沟道区内；第一绝缘层(GI层)，形成于所述有源层、源极金属层和漏极金属层上；第一金属层，形成于所述第一绝缘层上；第二绝缘层(PV层)，形成于所述第一金属层和第一绝缘层上；第一色阻层，形成于衬底基板上，隔挡所述沟道区；所述第一色阻层至少有两层色阻层，所述两层色阻层对应的颜色不同且层叠设置。可选的，所述阵列基板包括非显示区和显示区，所述显示区和所述非显示区通过所述漏极金属层相连；所述第一色阻层和所述第二金属层均位于所述非显示区内，所述第一色阻层与所述第二金属层位置对应设置。可选的，所述阵列基板包括非显示区和显示区，所述显示区和所述非显示区通过所述漏极金属层相连；所述第一色阻层和所述沟道区均位于所述非显示区内，所述第一色阻层与所述沟道区位置对应设置。可选的，所述阵列基板包括第二色阻层，所述显示区包括像素；所述第二色阻层位于所述显示区，所述第二色阻层的各色阻层在所述显示区内并列分布，与所述像素位置对应设置。可选的，所述第一色阻层包括红色色阻和绿色色阻。可选的，所述第一色阻层包括红色色阻和蓝色色阻。可选的，所述第一色阻层包括绿色色阻和蓝色色阻。可选的，所述第一色阻层包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻。本技术还公开了一种保护TFT器件性能的画素结构设计，包括：一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板；第二金属层，包括源极金属层和漏极金属层，形成于衬底基板上；沟道区，位于所述源极金属层和所述漏极金属层之间；欧姆接触层，形成于所述源极金属层和所述漏极金属层上，以及所述沟道区内；有源层，形成于所述欧姆接触层上，以及所述沟道区内；第一绝缘层(GI层)，形成于所述有源层、源极金属层和漏极金属层上；第一金属层，形成于所述第一绝缘层上；第二绝缘层(PV层)，形成于所述第一金属层和第一绝缘层上；第一色阻层，形成于衬底基板上，隔挡所述沟道区；所述第一色阻层至少有两层色阻层，所述两层色阻层对应的颜色不同且层叠设置；所述阵列基板包括非显示区和显示区，所述显示区和所述非显示区通过所述漏极金属层相连；所述第一色阻层和所述第二金属层均位于所述非显示区内，所述第一色阻层与所述第二金属层位置对应设置；所述阵列基板包括第二色阻层，所述显示区包括像素，所述第二色阻层位于所述显示区，所述第二色阻层的各色阻层在所述显示区内并列分布，与所述像素位置对应设置。本技术还公开了一种显示面板，包括：如上任意所述的一种阵列基板，所述阵列基板设有第一色阻层，所述第一色阻层用于隔挡沟道区。本技术的有益效果是：顶栅结构的沟道与衬底基板直接接触，当点亮背光后，背光会通过衬底基板照射到沟道，导致TFT器件性能劣化。考虑到画素结构生产过程中，需要进行多次重复色阻沉积工序，而只要任意两种不同的色阻层层叠设置，就可以隔挡背光，因此，本案通过色阻层制程中,同步在形成层叠设置的色阻层，隔挡沟道区，从而隔挡背光对沟道的照射，并且无需增加额外的工序，节约成本。另外，色阻都采用非导电的材质制成，跟TFT器件以及其它导电线路之间不会产生寄生电容，使TFT器件性能得以稳定。附图说明所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1是的顶栅结构示意图；图2是本技术其中一种实施例的画素结构示意图；图3是本技术其中一种实施例的红色色阻和绿色色阻组成的第一色阻层画素结构示意图；图4是本技术其中一种实施例的红色色阻和蓝色色阻组成的第一色阻层画素结构示意图；图5是本技术其中一种实施例的绿色色阻和蓝色色阻组成的第一色阻层画素结构示意图；图6是本技术其中一种实施例的红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻组成的第一色阻层画素结构示意图；图7是本技术其中一种实施例的一种阵列基板的示意图。其中，10、阵列基板；11、衬底基板；12、源极金属层；13、漏极金属层；14、沟道区；15欧姆接触层；16、第一金属层；17、第一色阻层；18、第二色阻层；19、显示区；110红色色阻；111、绿色色阻；112、蓝色色阻；113、非显示区；114、像素；115、第二金属层；116、有源层；117、第一绝缘层；118、第二绝缘层；119氧化铟锡层。具体实施方式这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本申请的示例性实施例的目的。但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；第二金属层，包括源极金属层和漏极金属层，形成于衬底基板上；沟道区，位于所述源极金属层和所述漏极金属层之间；欧姆接触层，形成于所述源极金属层和所述漏极金属层上，以及所述沟道区内；有源层，形成于所述欧姆接触层上，以及所述沟道区内；第一绝缘层，形成于所述有源层、源极金属层和漏极金属层上；第一金属层，形成于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，形成于所述第一金属层和第一绝缘层上；第一色阻层，形成于衬底基板上，隔挡所述沟道区；所述第一色阻层至少有两层色阻层，所述两层色阻层对应的颜色不同且层叠设置。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；第二金属层，包括源极金属层和漏极金属层，形成于衬底基板上；沟道区，位于所述源极金属层和所述漏极金属层之间；欧姆接触层，形成于所述源极金属层和所述漏极金属层上，以及所述沟道区内；有源层，形成于所述欧姆接触层上，以及所述沟道区内；第一绝缘层，形成于所述有源层、源极金属层和漏极金属层上；第一金属层，形成于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，形成于所述第一金属层和第一绝缘层上；第一色阻层，形成于衬底基板上，隔挡所述沟道区；所述第一色阻层至少有两层色阻层，所述两层色阻层对应的颜色不同且层叠设置。2.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括非显示区和显示区，所述显示区和所述非显示区通过所述漏极金属层相连；所述第一色阻层和所述第二金属层均位于所述非显示区内，所述第一色阻层与所述第二金属层位置对应设置。3.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括非显示区和显示区，所述显示区和所述非显示区通过所述漏极金属层相连；所述第一色阻层和所述沟道区均位于所述非显示区内，所述第一色阻层与所述沟道区位置对应设置。4.如权利要求2所述的一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第二色阻层，所述显示区包括像素；所述第二色阻层位于所述显示区，所述第二色阻层的各色阻层在所述显示区内并列分布，与所述像素位置对应设置。5.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述第一色阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋振莉，
申请(专利权)人：重庆惠科金渝光电科技有限公司，惠科股份有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆,50