基于变频电源的二级互锁装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种基于变频电源的二级互锁装置，包括一级互锁电路和二级互锁电路，一级互锁电路同时接入上桥臂驱动信号和下桥臂驱动信号，当上桥臂驱动信号为高电平时导通，一级互锁电路输出高电平，驱动上桥臂导通；二级互锁电路同时接入上桥臂驱动信号和下桥臂驱动信号，当下桥臂驱动信号为高电平时导通，二级互锁电路输出高电平，驱动下桥臂导通，从而实现了上桥板和下桥臂交互导通。因此本实用新型专利技术有效地避免了上桥臂和下桥臂同时导通的情况发生，确保上桥臂和下桥臂互补导通，避免了IGBT因直通而损坏炸机。

【技术实现步骤摘要】
基于变频电源的二级互锁装置
本技术属于冶金行业的电力领域，涉及一种基于变频电源的二级互锁装置。
技术介绍
目前，电磁搅拌器已广泛应用在有色金属及黑色金属的冶炼过程中，而电磁搅拌采用的电源为交直交变频电源，其中大多采用二极管整流，IGBT逆变器的结构，随着国家对电网参数的要求不断严格，采用PWM整流，PWM逆变的电路结构，因其具有网侧单位功率等优点，越来越被厂家采用。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor英文首字母缩写)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT是全控型器件，由于其具有开关速度快，控制端输入电流小，驱动电流大等特点，被应用在PWM整流及PWM逆变电路中。在交直交变频电源中，目前电路结构均采用上下桥架构，即两只IGBT组成上下桥，如果两只IGBT同时导通将会造成直流(或交流的)瞬间短路，造成IGBT的过热而烧坏。为防止上下桥臂直通，目前普遍采用软件与硬件电路互锁相结合的方式，软件通过设置上下桥脉宽本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于变频电源的二级互锁装置，所述变频电源包括IGBT整流桥，所述IGBT整流桥的三相均包括桥臂，各所述桥臂均包括上桥臂和下桥臂，其特征在于，所述二级互锁装置包括与各所述桥臂一对一设置的一级互锁电路和二级互锁电路；所述一级互锁电路同时接入上桥臂驱动信号和下桥臂驱动信号，当所述上桥臂驱动信号为高电平时，所述一级互锁电路输出高电平给所述上桥臂，驱动所述上桥臂导通；所述二级互锁电路同时接入所述上桥臂驱动信号和所述下桥臂驱动信号，当所述下桥臂驱动信号为高电平时，所述二级互锁电路输出高电平给所述下桥臂，驱动所述下桥臂导通；从而实现所述上桥臂和所述下桥臂交互导通。

【技术特征摘要】
1.基于变频电源的二级互锁装置，所述变频电源包括IGBT整流桥，所述IGBT整流桥的三相均包括桥臂，各所述桥臂均包括上桥臂和下桥臂，其特征在于，所述二级互锁装置包括与各所述桥臂一对一设置的一级互锁电路和二级互锁电路；所述一级互锁电路同时接入上桥臂驱动信号和下桥臂驱动信号，当所述上桥臂驱动信号为高电平时，所述一级互锁电路输出高电平给所述上桥臂，驱动所述上桥臂导通；所述二级互锁电路同时接入所述上桥臂驱动信号和所述下桥臂驱动信号，当所述下桥臂驱动信号为高电平时，所述二级互锁电路输出高电平给所述下桥臂，驱动所述下桥臂导通；从而实现所述上桥臂和所述下桥臂交互导通。2.根据权利要求1所述的基于变频电源的二级互锁装置，其特征在于，所述一级互锁电路包括第一与门，该第一与门的一个输入端接入所述上桥臂驱动信号，另一个输入接...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘风亮，孙超，曾涛，刘世昌，孙永宝，王成业，
申请(专利权)人：山东华特磁电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37